【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶闸管领域，具体的是。
技术介绍
晶闸管的通态电流一般是指在环境温度为40度和规定的冷却条件下，器件在电阻性负载的单相工频正弦半波，导通角不小于170度的电路中，当稳定的额定结温时所允许的最大通态电流。在使用中，其工作电流不能超过通态电流，否则，晶闸管将不能可靠工作。从晶闸管的设计来看，要提高晶闸管的通态电流，必须提高晶闸管的源区面积。一般而言，半导体硅器件台面晶闸管制造工艺过程中需要在台面槽中填满熔融的玻璃粉。然后，通过光刻的方法选择性去除引线孔处的钝化层，露出电极处的硅，在硅上面蒸发金属铝作为内引线及引出电极，以实现与外引线相联。在芯片尺寸确定的情况下，台面槽所占面积越小，源区面积就越大，承载的电流越大。对于台面晶闸管而言，由于硅的膨胀系数与玻璃粉的膨胀系数不一致，芯片尺寸越小的芯片，台面槽所占的面积比例越大，导致芯片尺寸越小的芯片越容易翘片，翘片又非常容易导致碎片，现有技术的台面晶闸管的芯片，虽然已经采用了共用台面槽技术，从而来增加了源区面积，这种现有技术的台面晶闸管存在如下缺陷:参见图1所示，在台面槽图中的I形成后，采用玻璃粉填满台...
【技术保护点】
一种台面晶闸管，包括芯片、台面槽(1)、基区(2)以及表面氧化层(5)，所述基区(2)形成在芯片上，在基区(2)上形成有阳极(7)、阴极(4)和门极(6)，所述表面氧化层(5)上形成有引线孔，所述引线孔分别对准所述的阴极(4)和门极(6)并填充有铝电极，其特征在于：台面槽(1)的槽深低于基区(2)的结深，且所述台面槽(1)与基区(2)形成的夹角近直角。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何春海，
申请(专利权)人：江苏东晨电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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