气体阻隔性膜制造技术

本发明专利技术的目的是提供保存稳定性、特别是严酷的条件(高温高湿条件)下的保存稳定性优异的气体阻隔性膜。本发明专利技术涉及气体阻隔性膜，其含有基材和具有由下述化学式(1)所示的化学组成、且满足下述数学式1及数学式2的关系的含硅膜。SiOxNyMz···(1)0.001≤Y/(X+Y)≤0.25···数学式13.30≤3Y+2X≤4.80···数学式2所述化学式(1)中，M表示选自由长式元素周期表的第2～第14族的元素组成的组中的至少一种(但不包括硅及碳)，z为0.01～0.3，所述数学式1及数学式2中，X＝x/(1+(az/4))、Y＝y/(1+(az/4))(其中，a为元素M的价数。)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气体阻隔性膜
本专利技术涉及气体阻隔性膜。更详细而言，本专利技术涉及保存稳定性优异的气体阻隔性膜。
技术介绍
以往，在食品、包装材料、医药品等的领域中，为了防止水蒸汽、氧等的气体的透过，使用具有在树脂基材的表面设有金属、金属氧化物的蒸镀膜等的无机膜的比较简易的构造的气体阻隔性膜。近年来，这样的防止水蒸汽、氧等的透过的气体阻隔性膜也一直被利用于液晶显示元件(LCD)、太阳能电池(PV)、有机电致发光(EL)等的电子器件的领域。为了对这样的电子器件赋予柔性和轻而不易破裂的性质，并不需要硬而容易破裂的玻璃基板，而是需要具有高气体阻隔性的气体阻隔性膜。作为用于得到可应用于电子器件的气体阻隔性膜的计策，已知有在树脂基材上通过等离子体CVD法(ChemicalVaporDeposition：化学气相生长法、化学蒸镀法)在膜等的基材上形成气体阻隔层的方法、将以聚硅氮烷为主要成分的涂布液涂布在基材上后、实施表面处理(改性处理)而形成气体阻隔层的方法。例如在日本特开2009-255040号公报中，公开有为了实现用于得到高气体阻隔性的气体阻隔层的厚膜化和抑制厚膜化气体阻隔层的开裂的兼顾而将含有聚硅氮烷的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体阻隔性膜，其含有：基材；和具有由下述化学式(1)所示的化学组成、且满足下述数学式1及下述数学式2的关系的含硅膜，SiOxNyMz…(1)0.001≤Y/(X+Y)≤0.25…数学式13.30≤3Y+2X≤4.80…数学式2所述化学式(1)中，M表示选自由长式元素周期表的第2～第14族的元素组成的组中的至少一种，但不包括硅及碳；x为氧相对于硅的原子比，y为氮相对于硅的原子比，z为M相对于硅的原子比、为0.01～0.3，所述数学式1及所述数学式2中，X＝x/(1+(az/4))、Y＝y/(1+(az/4))，其中，a为元素M的价数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.01.11 JP 2013-003640;2013.02.14 JP 2013-026891.一种气体阻隔性膜，其含有：基材；和具有由下述化学式(1)所示的化学组成、且满足下述数学式1及下述数学式2的关系的含硅膜，SiOxNyMz…(1)0.001≤Y/(X+Y)≤0.25…数学式13.30≤3Y+2X≤4.80…数学式2所述化学式(1)中，M表示选自由长式元素周期表的第2～第14族的元素组成的组中的至少一种，但不包括硅及碳；x为氧相对于硅的原子比，y为氮相对于硅的原子比，z为M相对于硅的原子比，x为1.1～3.1，y为0.001～0.51，且z为0.01～0.3，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：室田和敏，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP