气体阻隔性膜及含有其的电子器件制造技术

本发明专利技术提供可以适合应用于器件形成工序的气体阻隔性膜。气体阻隔性膜，其具有聚酰亚胺基材、和含有聚硅氮烷改性物质的气体阻隔层，上述聚酰亚胺基材及上述气体阻隔层的粘接强度为1.3N/cm以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及气体阻隔性膜及含有其的电子器件。
技术介绍
以往，在塑料基板、膜的表面形成了含有氧化铝、氧化镁、氧化硅等的金属氧化物的薄膜(气体阻隔层)的气体阻隔性膜在食品、医药品等的领域中在包装物品的用途中使用。通过使用气体阻隔性膜，能够防止水蒸气、氧等的气体引起的物品的变质。近年来，对于防止这样的水蒸气、氧等的透过的气体阻隔性膜，希望向有机电致发光(EL)元件、液晶显示(LCD)元件等的电子器件中展开，进行了许多的研究。在将气体阻隔性膜在电子器件中使用的情况下，要求高的气体阻隔性、例如与玻璃基材匹敌的气体阻隔性。作为具有这样的高气体阻隔性的气体阻隔性膜，例如，已知在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的基材上涂布含有聚硅氮烷的涂布液、对得到的聚硅氮烷的涂膜进行改性而形成了含有得到的聚硅氮烷改性物质的气体阻隔层的气体阻隔性膜(例如，参照专利文献1)。该气体阻隔性膜通过所谓的湿式成膜法形成，由于得到均匀的涂膜，因此一般具有高气体阻隔性。但是，在制造电子器件的情况下，通过将膜与载体玻璃等贴合、通过辊对辊等依次在膜上形成功能层等而形成器件、最后从载体玻璃等将器件分离的、所谓器件形成工序，因为生产率优异而适合采用。此时，在器件形成工序中，有时在该工序中暴露于300℃以上的高温的环境，使用的膜需要具备耐热性。作为具备这样的耐热性的膜，可列举聚酰亚胺基材。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-86436号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题以往的气体阻隔性膜主要使用PET等的热塑性树脂，因此不能应用于暴露于高温环境的器件形成工序。另外判明：如果在聚酰亚胺基材上通过干式或湿式成膜法等形成气体阻隔层，则在高温环境下聚酰亚胺基材与气体阻隔层的密合性变得不充分。其结果，在器件形成工序中，在该工序中、器件形成工序后的从载体玻璃等将器件分离时，有时气体阻隔层从聚酰亚胺基材剥离，应用于器件形成工序变得困难。因此，本专利技术的目的在于提供能够适合应用于器件形成工序的气体阻隔性膜。用于解决课题的手段本专利技术人进行了深入研究，结果发现：通过使用聚酰亚胺基材作为基材、作为气体阻隔层应用含有对聚硅氮烷进行了改性的聚硅氮烷改性物质的气体阻隔层、且使聚酰亚胺基材和气体阻隔层的粘接强度为一定以上，可以解决上述课题；完成了本专利技术。即，本专利技术的上述课题通过以下的手段实现。(1)气体阻隔性膜，其具有聚酰亚胺基材、和含有聚硅氮烷改性物质的气体阻隔层，上述聚酰亚胺基材和上述气体阻隔层的粘接强度为1.3N/cm以上；(2)(1)所述的气体阻隔性膜，其中，上述聚酰亚胺基材和上述气体阻隔层的粘接强度为4N/cm以上；(3)(1)或(2)所述的气体阻隔性膜，其中，上述聚酰亚胺为含有联苯四羧酸二酐及对苯二胺作为单体的聚合物；(4)(1)～(3)的任一项所述的气体阻隔性膜，其中，在上述聚酰亚胺基材和上述气体阻隔层之间具有粘接层；(5)(1)～(4)的任一项所述的气体阻隔性膜，其中，将上述聚酰亚胺基材的表面进行了等离子体处理、UV臭氧处理、或受激准分子处理；(6)(1)～(5)的任一项所述的气体阻隔性膜，其中，上述聚硅氮烷改性物质是用真空紫外光改性处理了的；(7)电子器件，其含有电子器件主体和(1)～(6)的任一项所述的气体阻隔性膜。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供可以适合在器件形成工序中应用的气体阻隔性膜。附图说明图1为表示在利用等离子体CVD法的气体阻隔层的形成中使用的制造装置的一例的示意图。具体实施方式以下对用于实施本专利技术的方式进行详细说明。＜气体阻隔性膜＞本方式涉及的气体阻隔性膜具有：聚酰亚胺基材、和含有聚硅氮烷改性物质的气体阻隔层。此时，聚酰亚胺基材和气体阻隔层的粘接强度为1.3N/cm以上，优选为2.7N/cm以上，更优选为4N/cm以上，进一步优选为5N/cm以上。通过聚酰亚胺基材和气体阻隔层的粘接强度为1.3N/cm以上，在阻隔表面所形成的绝缘膜的形成变得容易，作为具有阻隔性的耐热基材的价值得以认可。另外，聚酰亚胺基材和阻隔层的粘接强度为50N/cm以下，更优选为40N/cm以下。如果比50N/cm大，在各种制造线输送时
顺利地进行输送变得困难，导致制造装置的不利情形、生产率的降低。就聚酰亚胺基材而言，由于一般具有优异的耐热性，因此即使在器件形成工序的高温暴露下也能够耐受，能够在器件形成工序中使用。但是判明：聚酰亚胺基材在高温环境下的与含有聚硅氮烷改性物质的气体阻隔层的密合性非常低。因此，如果将含有聚酰亚胺基材和上述气体阻隔层的气体阻隔性膜应用于器件形成工序，该工序中、器件形成后的从载体玻璃将器件分离时，聚酰亚胺基材与气体阻隔层可剥离。其结果，不能形成所期望的器件。与此相对，就本方式涉及的气体阻隔性膜而言，由于聚酰亚胺基材及含有聚硅氮烷改性物质的气体阻隔层在高温环境下也具有高的粘接强度，因此能够防止器件形成工序中的聚酰亚胺基材及气体阻隔层的剥离。其结果，可以适合在器件形成工序中应用。在此，本说明书中，“聚酰亚胺基材和气体阻隔层的粘接强度”意思是指聚酰亚胺基材与气体阻隔层间的粘接强度。因此，即使在聚酰亚胺基材和气体阻隔层间介有其他层(例如，粘接层)，即使在气体阻隔层的配置聚酰亚胺基材的面的相反面存在其他层(例如，其他气体阻隔层)，也将上述聚酰亚胺基材和气体阻隔层间的粘接力称为“聚酰亚胺基材和气体阻隔层的粘接强度”。此时，本说明书中，“聚酰亚胺基材和气体阻隔层的粘接强度”的值为通过实施例中记载的方法所测定了的值。气体阻隔性膜的水蒸气透过度优选为0.01g/(m2·24h)以下，更优选为0.0001g/(m2·24h)以下。应予说明，本说明书中，“水蒸气透过度”的值为通过根据JIS K 7129-1992的方法所测定的值。另外，测定条件为温度：60±0.5℃、相对湿度(RH)：90±2％。[聚酰亚胺基材]聚酰亚胺基材一般为将含有四羧酸二酐及二胺的单体聚合而得到的树脂膜。作为四羧酸二酐，并无特别限制，可列举脂肪族四羧酸二酐、芳香族四羧酸二酐。作为上述脂肪族四羧酸二酐，可列举双环[2.2.2]辛-7-烯-2，3，5，6-四羧酸二酐、双环[2.2.2]辛烷-2，3，5，6-四羧酸二酐、5-(二氧代四氢呋喃基-3-甲基)-3-环己烯-1，2-二羧酸酐、4-(2，5-二氧代四氢呋喃-3-基)-四氢化萘-1，2-二羧酸酐、四氢呋喃-2，3，4，5-四羧酸二酐、双环-3，3’，4，4’-四羧酸二酐、3c-羧基甲基环戊烷-1r，2c，4c-三羧酸1，4，2，3-二酐、1，2，4，5-环己烷四羧酸二酐、1，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐、1，2，3，4-环戊烷四羧酸二酐等。另外，作为上述芳香族四羧酸二酐，可列举3，3’，4，4’-联苯四羧酸二酐、2，2’，3，3’-联苯四羧酸二酐、2，3’，3，4’-联苯四羧酸二酐、均苯四甲酸二酐、氧联二邻苯二甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯基砜四甲酸二酐、间-三联苯-3，3’，4，4’-四甲酸二酐、4，4’-(2，2-六氟亚异丙基)二邻苯二甲酸二酐、2，2’-双(3，4-二羧基苯基)丙烷二酐、2，2-双(2，3-二羧基苯基)丙烷二酐、双(3，4-二羧基苯基)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体阻隔性膜，其具有聚酰亚胺基材、和含有聚硅氮烷改性物质的气体阻隔层，所述聚酰亚胺基材和所述气体阻隔层的粘接强度为1.3N/cm以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.10 JP 2014-0035111.一种气体阻隔性膜，其具有聚酰亚胺基材、和含有聚硅氮烷改性物质的气体阻隔层，所述聚酰亚胺基材和所述气体阻隔层的粘接强度为1.3N/cm以上。2.根据权利要求1所述的气体阻隔性膜，其中，所述聚酰亚胺基材和所述气体阻隔层的粘接强度为4N/cm以上。3.根据权利要求1或2所述的气体阻隔性膜，其中，所述聚酰亚胺为含有联苯四羧酸二酐及对苯二胺...

【专利技术属性】
技术研发人员：小渊礼子，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP