本实用新型专利技术提供了一种阵列基板及显示装置，用以实现通过在像素单元的像素电极的周边添加辅助电极，增强了该范围内的电场，从而增大了液晶分子在该范围内的偏转角度，避免了在该像素单元的边缘发生漏光现象。该实用新型专利技术提供的一种阵列基板，该阵列基板包括多条栅线和多条数据线，相邻的数据线和相邻的栅线围成的区域为像素单元，所述像素单元包括公共电极线、像素电极、薄膜晶体管以及辅助电极；其中，所述辅助电极的输入端与所述薄膜晶体管的漏极，且该辅助电极的输出端与所述像素电极电性相连的。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
液晶显示技术是目前使用最为广泛的显示技术，主要应用于电视机、手机以及公共信息显示装置。液晶显示装置(Liquid Crystal Display，IXD)通过控制液晶分子的偏转角度，利用不同的折射角度来改变透射光线的颜色。液晶显示装置是通过改变阵列基板上的电压而改变电场，从而控制液晶分子的偏转方向，使得液晶分子在不同角度下表现出不同的遮光性和透光性，依照此原理，控制每个像素单元，便可构成所需图像。每一所述像素单元均是由阵列基板中相邻的数据线101和相邻的栅线102围成的。参见图1，所述阵列基板包括:数据线101、栅线102、以及由数据线101和栅线102围成的像素单元106，其中，所述像素单元106包括公共电极线103、像素电极104和薄膜晶体管105。公共电极线103与栅线102设置于同一层，像素电极104与公共电极线103或者栅线102并非设置在同一层上。然而，在像素电极周边，由于电场较弱，所以该区域范围内的液晶分子偏转难度相对较大，从而容易在包含该范围的像素单元边缘处发生漏光现象。综上所述，现有液晶显示器，在像素电极周边，由于电场较弱，所以该区域范围内的液晶分子偏转难度相对较大，从而容易在包含该范围的像素单元边缘处发生漏光现象。
技术实现思路
本技术提供了一种阵列基板及显示装置，用以实现通过在像素单元的像素电极的周边添加辅助电极，增强了该范围内的电场，增大了液晶分子在该范围内的偏转角度，从而避免了在该像素单元的边缘发生漏光现象。本技术实施例提供了一种阵列基板，包括多条栅线和多条数据线，相邻的数据线和相邻的栅线围成的区域为像素单元，所述像素单元包括像素电极以及薄膜晶体管，所述像素单元还包括:辅助电极；所述辅助电极的输入端与所述薄膜晶体管的漏极，且该辅助电极的输出端与所述像素电极电性相连的。通过在像素单元的像素电极的周边添加辅助电极，从而增强了像素电极的周边的电场，增大了液晶分子在该范围内的偏转角度，避免了在该像素单元的边缘发生漏光现象。较佳地，所述辅助电极位于公共电极线与所述栅线之间。利用公共电极线与栅线之间的较大距离，更容易设置辅助电极，由于像素电极与栅线并不在同一层，从而有效的利用了公共电极线与栅线的间距，且通过在公共电极线与所述栅线之间添加辅助电极，可以使得公共电极线与辅助电极在公共电极线与所述栅线之间形成电场，从而增强了该范围内的电场，增大了液晶分子在该范围内的偏转角度，避免了在该像素单元的边缘发生漏光现象。 较佳地，所述辅助电极平行于公共电极线。较佳地，所述像素单元包括多条辅助电极。较佳地，所述多条辅助电极分别位于所述像素电极的周边。通过在所述像素电极的周边设置多条辅助电极，防止该像素电极的边缘电场不均匀的现象。较佳地，所述辅助电极与所述薄膜晶体管的漏极过孔连接，且与所述像素电极为同层相连。较佳地，所述辅助电极还与所述薄膜晶体管的源极部分交叠。通过辅助电极与薄膜晶体管的源极部分交叠，从而便于对像素电极的修复。较佳地，所述连接线包括多条连接线。较佳地，当所述像素单元包括至少两条连接线时，该连接线为并联的连接线，且至少一条连接线与所述辅助电极的末端相连。通过设置多条与像素电极、辅助电极相连的并联连接线，从而减少了连接线的电阻，增大了传输速度。较佳地，公共电极线与所述栅线处于同层，所述像素电极与所述栅线处于异层，所述辅助电极与所述像素电极处于同层。较佳地，所述辅助电极通过第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接，所述辅助电极通过第二过孔与所述像素电极连接。本技术实施例提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。通过包括上述阵列基板的液晶显示装置，通过在所述阵列基板中的像素单元的像素电极的周边添加辅助电极，从而增强了该范围内的电场，增大了液晶分子在该范围内的偏转角度，避免了在该像素单元的边缘发生漏光现象。【附图说明】图1为现有技术中阵列基板的结构示意图；图2a为本技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；图2b为本技术实施例提供的包括多条辅助电极的阵列基板的结构示意图；图3为本技术实施例提供的辅助电极与源极重叠的阵列基板的结构示意图；图4为本技术实施例提供的包含有两条连接线的阵列基板的结构示意图；图5为本技术实施例提供的阵列基板的制作方法的流程示意图。【具体实施方式】本技术提供了一种阵列基板及显示装置，用以实现通过在像素单元的像素电极的周边添加辅助电极，从而增强了像素电极的周边的电场，增大了液晶分子在该范围内的偏转角度，避免了在该像素单元的边缘发生漏光现象。本技术提供了一种阵列基板，包括多条栅线和多条数据线，相邻的数据线和相邻的栅线围成的区域为像素单元，所述像素单元包括公共电极线、像素电极和薄膜晶体管，分别与所述薄膜晶体管的漏极、所述像素电极电性相连的，用于增大液晶分子在像素单元边缘的偏转角度的辅助电极。通过在像素单元的像素电极的周边添加辅助电极，从而增强了像素电极的周边的电场，增大了液晶分子在该范围内的偏转角度，避免了在该像素单元的边缘发生漏光现象。较佳地，所述辅助电极平行于公共电极线。较佳地，所述像素单元包括多条位于所述像素电极周边的辅助电极。较佳地，每一辅助电极均对应至少一条连接线。通过设置至少一条辅助电极，防止该像素电极的边缘电场不均匀的现象。较佳地，所述连接线包括多条连接线。较佳地，当所述像素单元包括至少两条连接线时，该连接线为并联的连接线，且至少一条连接线与所述辅助电极的末端相连。较佳地，所述公共电极线与所述栅线处于同层，所述像素电极与所述栅线处于异层，所述辅助电极与所述像素电极处于同层。较佳地，所述辅助电极通过第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接，且与所述像素电极为同层相连。其中，所述辅助电极通过第二过孔与所述像素电极连接。下面将结合附图，进一步介绍本技术提供的阵列基板。参见图2a，本技术实施例一提供的阵列基板的一个像素单元，该像素单元中包括数据线101、栅线102、公共电极线103、像素电极104、薄膜晶体管105以及第一连接线201、辅助电极202。在像素单元的像素电极的周边添加辅助电极，从而增强了像素电极的周边的电场，增大了液晶分子在该范围内的偏转角度，避免了在该像素单元的边缘发生漏光现象。在一实施例中，辅助电极202与像素电极104，薄膜晶体管105的漏极位于不同层，辅助电极202和第一连接线201同一层；其中，辅助电极202与薄膜晶体管105的漏极第一过孔204连接，并与第一连接线201相连，第一连接线201通过第二过孔205与像素电极104连接。在又一实施例中，辅助电极202与像素电极104，薄膜晶体管105的漏极位于不同层，辅助电极202与第一连接线201不同层；其中，辅助电极202与第一连接线201通过过孔连接(未示出)，辅助电极202与薄膜晶体管105的漏极第一过孔204连接，并与第一连接线201相连，第一连接线201通过第二过孔205与像素电极104连接。再一实施例中，辅助电极202与薄膜晶体管105的漏极位于不同层，辅助电极202与薄膜晶体管105的漏极第一过孔204连接。其中，辅助电极202与像素电极104，第一连接线201本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括多条栅线和多条数据线，相邻的数据线和相邻的栅线围成的区域为像素单元，所述像素单元包括像素电极以及薄膜晶体管，其特征在于，所述像素单元还包括：辅助电极；所述辅助电极的输入端与所述薄膜晶体管的漏极，且该辅助电极的输出端与所述像素电极电性相连的。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：先建波，程鸿飞，李文波，乔勇，李盼，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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