一种三栅FinFET电势和亚阈值摆幅的提取方法技术

本发明专利技术属于半导体集成电路技术领域，具体为一种三栅FinFET电势和亚阈值摆幅的提取方法。本发明专利技术首先根据沟道电势分布的三维泊松方程，构筑合适的边界条件，建立沟道的电势分布的解析模型；然后根据三栅FinFET的电势分布，根据器件工作在亚阈值区的情况下，沟道表面电势、电场状况，建立亚阈值电流解析模型，并由此得到亚阈值摆幅的解析模型；然后根据获得的电势分布的解析模型和亚阈值摆幅的解析模型，快速、准确、方便地计算得到三栅FinFET电势和亚阈值摆幅。本发明专利技术方法物理概念清晰，易于计算，且计算精度高，为新型三栅FinFET器件的关键参数提取提供了一种有效的解决办法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路
，具体设及=栅结构金属-氧化物-半导体 场效应晶体管（M0SFET)的电势和亚阔值摆幅的快速提取方法。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，器件尺寸不断减小，传统的M0S阳T面临着短沟道 效应等一系列问题，因此研究新的器件结构就显得十分重要。S栅FinFET则是一种比较理 想的器件结构，栅极控制能力强，能抑制短沟道效应，优化亚阔值摆幅，从而有更低的功耗。 对于该种新型结构的器件，在被实际应用之前，必须能够快速、准确提取它的关键参数，如 沟道电势、亚阔值摆幅等，使之用于电路分析和电路仿真中，对电路功能验证、设计优化起 到不可或缺的作用。 亚阔值摆幅SS是M0SFET最为重要的参数之一，定义为：在源漏电压固定的情况 下，器件处于亚阔值区域时电流每变化一个数量级所需的栅压的改变量。要了解器件的开 关特性，建立精确的亚阔值摆幅模型是十分必要的。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种物理概念清晰、计算方便、精度很高的S栅FinFET电势 和亚阔值摆幅的提取方法。 本专利技术首先构建S栅SOI Fin阳T的电势和亚阔值摆幅解析模型，为S栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三栅 SOI FinFET的电势参数和亚阈值摆幅的提取方法，其特征在于具体步骤如下：（1）首先构建三栅SOI FinFET的电势解析模型对于n型器件，沟道的电势分布由三维泊松方程以及边界条件得出：（1）对边界条件进行简化，将氧化层归一化到沟道硅介质中：(2)(3)其中，为沟道电势，为硅的介电常数，为沟道参杂浓度，Tox1和Tox2是顶栅和侧栅的氧化层厚度，Hfin和Wfin分别为沟道高度和宽度，εox是氧化层的介电常数；假设沟道与埋氧层界面处的电场为零，简化后的边界条件为：(4)(5)(6)(7)(8)(9)其中，为内建电势，为漏端电压，为栅压，为平带电压，L为沟道长度，和为有效沟道宽度和...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡光喜，向平，刘冉，郑立荣，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海;31