【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种计算围栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)亚阈值摆幅的模型。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，器件尺寸不断减小，传统的MOSFET面临着短沟道效应等一系列许多问题。因此新的器件结构的研究就显得十分必要。双栅MOSFET则是一种比较理想的器件结构，栅极控制能力强，能抑制短沟道效应，减少亚阈值摆幅，从而有更低的功耗。对于这种结构，进行理论研究，创建解析模型，就显得十分重要。亚阈值摆幅S是MOSFET最为重要的参数之一，定义为在源漏电压固定的情况下， 电流每变化十倍所对应的栅压的改变。要了解器件的特性，建立精确地亚阈值摆幅模型是十分必要的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种物理概念清晰，易于计算，且计算精度高的双栅结构 MOSFET亚阈值摆幅解析模型。本专利技术提出的双栅结构MOSFET阈值电压解析模型，为双栅结构器件的模拟提供了一种快速计算的方法。对于全耗尽双栅M0SFET，当工作在亚阈值区域时，器件还没有达到强反型，此时电势分布由固定电荷决定，载流子的影响可以忽略。对于η型器件，沟道的电势分布可以由二维泊松方程以及边界条件得出权利要求1. 一种双栅结构MOSFET亚阈值摆幅模型，其特征在于该模型的解析表达式为全文摘要本专利技术属于半导体
，具体为一种双栅结构MOSFET亚阈值摆幅解析模型。本专利技术根据双栅结构MOSFET的电势分布，求出在MOSFET表面电势最低点的电子浓度随栅压的变化情况，由此得出亚阈值摆幅的解析模型。该模型物理概念清晰，易于计算，且计算精度高，为新型双栅器件...
【技术保护点】
１．一种双栅结构ＭＯＳＦＥＴ亚阈值摆幅模型，其特征在于该模型的解析表达式为：其中，栅氧化层电容，为栅氧化层厚度，和分别是硅和氧化层的介电常数；Ｌ为双栅器件的沟道长度；ｑ为电子电量；； 是热电压，是表面电势最低点沿沟道方向的坐标， ，为器件的厚度。
【技术特征摘要】
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