本实用新型专利技术公开了一种多硬盘系统错峰上电控制电路,属于计算机电路技术领域；控制电路为由系统电源输出端，经过电压调节器连接硬盘工作电压输入端，将电压转至硬盘工作电压输出端，硬盘工作电压输出端分别连接各个硬盘电路单元；硬盘电路单元设置电容，电容放电电阻及电容充电电阻，P型MOS管开关，N型MOS管开关；其中硬盘工作电压输出端连接电容充电电阻及P型MOS管开关，P型MOS管开关连接至硬盘，N型MOS管开关一端连接至P型MOS管开关，一端与电容连接；不同组硬盘电路单元的电容与电容充电电阻值不同；本实用新型专利技术防止多个硬盘统一供电时，硬盘启动峰值电流过大造成供电电路过流保护，而使系统无法启动的情况发生。
【技术实现步骤摘要】
本技术公开了一种错峰上电控制电路，属于计算机电路
，具体地说是一种多硬盘系统错峰上电控制电路。
技术介绍
硬盘是电脑内的重要部件，也是电脑中重要的存储媒介，随着计算机技术的不断发展，人们对电脑储存用途的硬盘容量也产生了更多的要求，单个硬盘的容量已经很难满足用户的需要，为增加硬盘容量，一方面增加单块硬盘的存储容量，另一方面增加硬盘的数量。其中增加硬盘的数量因其技术较为简单易行而推广更快。但增加硬盘的数量必定会增加整个系统的功耗，尤其是开机过程瞬间的功耗。一旦超过了电源的额定值，对电源的使用寿命会造成很大影响。目前还没有有效地方法解决最大限度地利用供电上线，控制服务器硬盘运行不超出额定的功率限制，尤其是当配置硬盘数量较多时更为明显，多硬盘上电时的瞬间功耗太大，可能造成跳闸断电的情况，进而造成系统无法启动。本技术提供一种多硬盘系统错峰上电控制电路，对硬盘上电设置错峰控制电路，防止多个硬盘统一供电时，硬盘启动峰值电流过大造成供电电路过流保护，而使系统无法启动的情况发生。
技术实现思路
本技术针对多硬盘上电时的瞬间功耗太大，可能造成跳闸断电的情况，进而造成系统无法启动的问题，提供一种多硬盘系统错峰上电控制电路，设计简单，占用空间少，防止多个硬盘统一供电时，硬盘启动峰值电流过大造成供电电路过流保护，而使系统无法启动的情况发生。本技术所采用的技术方案为:一种多硬盘系统错峰上电控制电路，由系统电源输出端，经过电压调节器连接硬盘工作电压输入端，将电压转至硬盘工作电压输出端，硬盘工作电压输出端分别连接各个硬盘电路单元；硬盘电路单元设置电容，电容放电电阻及电容充电电阻，P型MOS管开关，N型MOS管开关；其中硬盘工作电压输出端连接电容充电电阻及P型MOS管开关，P型MOS管开关连接至硬盘，N型MOS管开关一端连接至P型MOS管开关，一端与电容连接；不同组硬盘电路单元的电容与电容充电电阻值不同。所述硬盘电路单元中电压的输出过程为:由硬盘工作电压输出端输出电压给硬盘电路单元，电容充电电阻开始对电容充电，当充电电压达到P型MOS管开关的门电压阀值时，P型MOS管开关导通，N型MOS管开关的门级被拉低，N型MOS管开关导通，电压输出到硬盘。所述的多硬盘系统错峰上电控制电路电压输出过程为:系统电源输出电压经过电压调节器输出硬盘工作电压，硬盘工作电压输出端给各个硬盘电路单元输出电压，因每组电容与电容充电电阻值不同，其中电容充电电阻对电容充电的时间最短的那组硬盘电路单元，充电电压达到P型MOS管开关的门电压阀值的时间最短，P型MOS管开关导通，N型MOS管开关的门级被拉低，N型MOS管开关导通，电压输出到硬盘的时间也最短，最先导通，以后依次进行，直至所有硬盘上电完成。本技术的有益效果为:本技术中硬盘工作电压输出端后设置硬盘电路单元，因不同组的电容与电容充电电阻值不同，形成不同组的P型MOS管开关与N型MOS管开关导通的时间不同，达到硬盘错峰上电的目的，本技术设计简单，占用空间少，防止多个硬盘统一供电时，硬盘启动峰值电流过大造成供电电路过流保护，而使系统无法启动的情况发生。【附图说明】图1本技术结构示意图。【具体实施方式】下面参照附图所示，通过【具体实施方式】对本技术进一步说明:一种多硬盘系统错峰上电控制电路，由系统电源输出端，经过电压调节器连接硬盘工作电压输入端，将电压转至硬盘工作电压输出端，硬盘工作电压输出端分别连接至4个硬盘电路单元，4个硬盘电路单元分别连接至硬盘A、硬盘B、硬盘C、硬盘D ;每个硬盘电路单元设置电容用Cl表示，电容放电电阻用R2表示，电容充电电阻用Rl表示，P型MOS管开关用Ql表示，N型MOS管开关用Q2表示；其中硬盘工作电压输出端连接Rl及Ql，Ql连接至硬盘，Q2 一端连接至Q1，一端与Cl连接；不同组硬盘电路单元的Cl与Rl值不同。硬盘电路单元中电压的输出过程为:由硬盘工作电压输出端输出电压给硬盘电路单元，Rl开始对Cl充电，当充电电压达到Ql的门电压阀值时，Ql导通，Q2的门级被拉低，Q2导通，电压输出到硬盘。此【具体实施方式】中，设定4个硬盘电路单元由硬盘A到硬盘D的次序上电，即硬盘A的硬盘电路单元中Rl对Cl充电的时间最短，充电电压达到Ql的门电压阀值的时间最短，Ql导通，Q2的门级被拉低，Q2导通，电压输出到硬盘A的时间最短，最先导通，以后依次进行，直至所有剩下3个硬盘上电完成。【主权项】1.一种多硬盘系统错峰上电控制电路，其特征是由系统电源输出端，经过电压调节器连接硬盘工作电压输入端，将电压转至硬盘工作电压输出端，硬盘工作电压输出端分别连接各个硬盘电路单元；硬盘电路单元设置电容，电容放电电阻及电容充电电阻，P型MOS管开关，N型MOS管开关；其中硬盘工作电压输出端连接电容充电电阻及P型MOS管开关，P型MOS管开关连接至硬盘，N型MOS管开关一端连接至P型MOS管开关，一端与电容连接；不同组硬盘电路单元的电容与电容充电电阻值不同。2.根据权利要求1所述的一种多硬盘系统错峰上电控制电路，其特征是所述硬盘电路单元中电压的输出过程为:由硬盘工作电压输出端输出电压给硬盘电路单元，电容充电电阻开始对电容充电，当充电电压达到P型MOS管开关的门电压阀值时，P型MOS管开关导通，N型MOS管开关的门级被拉低，N型MOS管开关导通，电压输出到硬盘。3.根据权利要求1或2所述的一种多硬盘系统错峰上电控制电路，其特征是所述的多硬盘系统错峰上电控制电路电压输出过程为:系统电源输出电压经过电压调节器输出硬盘工作电压，硬盘工作电压输出端给各个硬盘电路单元输出电压，因每组电容与电容充电电阻值不同，其中电容充电电阻对电容充电的时间最短的那组硬盘电路单元，充电电压达到P型MOS管开关的门电压阀值的时间最短，P型MOS管开关导通，N型MOS管开关的门级被拉低，N型MOS管开关导通，电压输出到硬盘的时间也最短，最先导通，以后依次进行，直至所有硬盘上电完成。【专利摘要】本技术公开了一种多硬盘系统错峰上电控制电路,属于计算机电路
；控制电路为由系统电源输出端，经过电压调节器连接硬盘工作电压输入端，将电压转至硬盘工作电压输出端，硬盘工作电压输出端分别连接各个硬盘电路单元；硬盘电路单元设置电容，电容放电电阻及电容充电电阻，P型MOS管开关，N型MOS管开关；其中硬盘工作电压输出端连接电容充电电阻及P型MOS管开关，P型MOS管开关连接至硬盘，N型MOS管开关一端连接至P型MOS管开关，一端与电容连接；不同组硬盘电路单元的电容与电容充电电阻值不同；本技术防止多个硬盘统一供电时，硬盘启动峰值电流过大造成供电电路过流保护，而使系统无法启动的情况发生。【IPC分类】G06F1-26【公开号】CN204595760【申请号】CN201520330897【专利技术人】吴安 【申请人】浪潮电子信息产业股份有限公司【公开日】2015年8月26日【申请日】2015年5月21日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多硬盘系统错峰上电控制电路，其特征是由系统电源输出端，经过电压调节器连接硬盘工作电压输入端，将电压转至硬盘工作电压输出端，硬盘工作电压输出端分别连接各个硬盘电路单元；硬盘电路单元设置电容，电容放电电阻及电容充电电阻，P型MOS管开关，N型MOS管开关；其中硬盘工作电压输出端连接电容充电电阻及P型MOS管开关，P型MOS管开关连接至硬盘，N型MOS管开关一端连接至P型MOS管开关，一端与电容连接；不同组硬盘电路单元的电容与电容充电电阻值不同。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴安，
申请(专利权)人：浪潮电子信息产业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37
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