一种高矫顽力纳米晶热压磁体及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高矫顽力纳米晶热压磁体及其制备方法，通式为REaMbFecBd，采用REiMj合金的粉末包裹表面光洁的通式为REeMfFegBh的HDDR纳米晶热压磁体，经真空热处理1-5小时得到合金，进行切割得到所述的磁体，其中，RE、M、a、b、c、d、e、f、g、h、i和j的定义如说明书和权利要求书所述。本发明专利技术利用稀土合金化合物对HDDR热压磁体进行扩散热处理，提高了该种磁体的矫顽力，使其具有较好的温度稳定性，得到的磁体还具有一定各向异性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及材料制造领域，尤其涉及一种纳米晶热压磁体及其制备方法。
技术介绍
钕铁硼磁体由于其优异的磁性能，包括高矫顽力，高剩磁和高磁能积，在信息通讯、医疗设备、交通运输、仪器仪表等方面有着广泛的用途，成为促进各种高新技术与新兴产业发展以及社会进步的重要物质基础之一。HDDR(hydrogenation-disproportionation-desorption-recombination，简称HDDR工艺是一种制备纳米晶钕铁硼各向异性磁粉的方法，通过热压工艺能获得具有优异磁性能的各向异性磁体，其具有良好的抗腐蚀性、热稳定性和力学性能，并可加工成精确尺寸，在信息、通讯、计算机等领域有着广阔的利用前景。由于用于热压的HDDR磁粉的晶粒约为300纳米，接近于钕铁硼的单畴尺寸，根据理论研究，该种尺寸的钕铁硼晶粒应具有较高的矫顽力。已有研究表明，HDDR磁粉的晶界相较为缺失，直接导致相邻晶粒间发生磁耦合作用，从而使磁粉的矫顽力没有达到理论预期。因此，HDDR纳米晶热压磁体的矫顽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁体，其特征在于，所述磁体的通式为REaMbFecBd，其中，RE为Pr、Nd、Tb或Dy的一种或两种以上；M为Cu、Ga、Al、Nb、Zr或Co中的一种或两种以上；28≤a≤32；0<b<7.3；0<d<1.1；c=100‑a‑b‑d。

【技术特征摘要】
1.一种磁体，其特征在于，所述磁体的通式为REaMbFecBd，其中，
RE为Pr、Nd、Tb或Dy的一种或两种以上；
M为Cu、Ga、Al、Nb、Zr或Co中的一种或两种以上；
28≤a≤32；
0<b<7.3；
0<d<1.1；
c=100-a-b-d。
2.如权利要求1所述的磁体，其特征在于，所述磁体的晶粒尺寸为250
纳米至700纳米。
3.如权利要求1或2所述的磁体的制备方法，其特征在于，所述方法包
括如下步骤：
a)对通式为REeMfFegBh的HDDR纳米晶热压磁体作表面光洁处理；
b)采用REiMj合金的粉末包裹步骤a)得到的表面光洁的HDDR纳米晶热
压磁体形成复合物；
c)将步骤b)得到的复合物进行真空热处理，时间为1-5小时得到合金；
d)将步骤c)得到的合金进行切割得到所述的磁体；
其中，28≤e≤32；
0<f<7.2；
0<h<1.1；
g=100-e-f-h；
RE为Pr、Nd、Tb或Dy的一种或两种以上；
M为Cu、Ga、Al、Nb或Co中的一种或两种以上；
50≤i≤90；
10≤j≤50。
4.如权利要求3所述的磁体的制备方法，其特征在于，所述通式为
REeMfFegBh的HDDR纳米晶热压磁体采用以下步骤制备：
a’)熔炼通式为REe...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡岭文，闫阿儒，郭帅，陈仁杰，严长江，李东，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：浙江;33