本发明专利技术公开了一种全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料的制备方法，该方法利用放电等离子技术进行快速烧结制得全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料；然后，采用放电等离子烧结技术将全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料进行热变形处理，获得全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料。本发明专利技术采用HDDR为初始原料，来源丰富，价格相对低廉，所制备的磁体材料的磁性能显著提高，可广泛应用于手机扬声器、计算机硬磁盘驱动器等。本发明专利技术在热变形处理过程中采用钽片将块状磁体材料与WC模具隔开，有效地解决了WC模具容易损坏的问题，不仅工艺简单，而且节约了生产成本，提高了生产效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于磁性材料制备领域，具体涉及一种。
技术介绍
NdFeB永磁合金，因其具有高剩磁、高矫顽力和高磁能积，已经在计算机硬磁盘驱动器、电机、人体核磁共振成像仪、音响器件等许多方面得到应用。NdFeB永磁材料的制备方法主要包括烧结、热变形和粘结。粘结NdFeB由于粘结剂的加入使得磁性能普遍偏低。而传统烧结NdFeB则因组织不均匀性、存在非磁性相以及高温烧结诱发晶粒粗大等原因，致使其温度稳定性差、磁化强度和抗腐蚀性能偏低。与粘结、传统烧结NdFeB相比，热变形(Hot-Deformation, HD) NdFeB磁体因烧结后的热变形处理晶粒会沿着压力方向(C轴)取 向，并表现出更为优异的磁性能、抗腐蚀性及断裂韧性。目前，研究者们针对热变形工艺、微观组织及磁性能三者间关系已进行了较为深入的研究，并且注意到传统烧结和后续热变形过程中的晶粒均易发生长大而导致磁性能恶化。近年来,放电等离子烧结(Spark Plasma Sintering, SPS)得到了快速发展,并被视为制备具有超细晶和纳米结构材料较为可行的一种方法。放电等离子烧结是利用脉冲能、放电脉冲压力以及焦耳热产生高频率、瞬间的局部高温场来完成烧结过程的，具有升温和冷却速度快、烧结温度低和烧结时间短等优点，可有效地抑制晶粒长大。最近，苏雷斯(K. Suresh)等，于2009年第321期《磁学和磁性材料》(Journal of Magnetism andMagnetic Materials)上发表的论文《放电等离子烧结HDDR (吸氢-歧化-脱氢-再结合)粉末制备钦铁硼磁体》(Consolidation of hydrogenation - disproportionation -desorption - recombinationprocessed Nd - Fe - B magnets by spark plasmasintering)中采用SPS烧结HDDR磁粉，成功制备出了纳米晶NdFeB材料，不过其致密度偏低。岳明等，于2010年第107期《应用物理》(Journal of Applied Physics)上发表的论文《放电等离子技术制备各向同性和各向异性钕铁硼磁体的组织和磁性能》(Structureand magnetic properties of magnetically isotropic and anisotropic Nd-Fe-Bpermanent magnets prepared by spark plasma sintering technology)中利用 SPS 设备进行烧结和后续热变形处理则进一步制备出了磁能积高达400kJ/m3的各向异性纳米晶NdFeB磁体，但其初始粉末材料价格昂贵，不利于工业生产。显然，利用SPS技术进行烧结和热变形制备具有纳米晶的各向异性NdFeB磁体有着一定的优势。HDDR是目前制取纳米晶NdFeB磁粉的一种有效途径。铸态NdFeB合金经过HDDR处理，其组织由几十微米以上的粗大晶粒转变为约200-300nm的细小晶粒。HDDR磁粉价格相对便宜且因其晶粒尺寸和Nd2Fe14B单畴体尺寸接近，可成为制备永磁体所需的优异原材料。然而，HDDR磁粉在目前主要应用于制备粘结磁体，在烧结磁体领域的应用较少，这是由于，当热变形温度达到650°C以上，NdFeB磁体中富钕相处于液态，它会粘着在WC模具上，严重损坏WC模具，影响生产效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中采用HDDR磁粉为初始材料，放电等离子烧结设备进行热变形处理时存在WC模具容易损坏等技术问题，提供一种。本专利技术利用放电等离子技术进行快速烧结制得全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料；然后，采用放电等离子烧结技术将全 致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料进行热变形处理，获得全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料，其制备方法具体包括以下步骤步骤一放电等离子烧结将粒径为45 -IOOum的HDDR磁粉装入石墨模具中后，经过40 - 50MPa预压后，进行快速烧结，烧结工艺条件如下烧结压力40- 50MPa烧结温度750°C- 850°C升温速率100- 150°C/min保温时间10- 20min烧结真空度彡4Pa经快速烧结即可获得全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料；步骤二 热变形处理将步骤一获得的全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料放置于放电等离子烧结设备中，并采用钽片将其与WC模具隔开，然后进行快速热变形处理，热变形工艺条件如下热变形压力为100 - 300MPa热变形温度为750°C _ 850°C升温速率为100- 150 0C /min保温时间为10 - 30min烧结真空度彡4Pa经过热变形处理后，可获得全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点I)本专利技术采用HDDR为初始原料，来源丰富，价格相对低廉，并且利用放电等离子烧结技术烧结成形和热变形处理，制备的全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料具有组分、粒度分布均匀以及全致密等特点，可以显著提高材料的磁性能。本专利技术所制备的各向异性NdFeB磁体用途广泛，可应用于手机扬声器、计算机硬磁盘驱动器等，可充分利用我们丰富的稀土资源，减少我国对高性能NdFeB永磁材料的进口依赖。2)本专利技术在热变形处理过程中采用钽片将全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料与WC (碳化钨)模具隔开，有效地解决了现有技术中采用HDDR磁粉为初始材料时，放电等离子烧结设备进行热变形处理存在WC模具容易损坏等技术问题，不仅工艺简单，而且节约了生产成本,提高了生产效率。3)本专利技术所制备的各向异性纳米晶NdFeB磁体的Nd2Fe14B晶粒呈板条状，长度为500-800nm,厚度为200_300nm，且沿着压力方向取向明显。附图说明图I为本专利技术采用放电等离子设备进行热变形处理的工艺示意图。图2为实施例2制备的NdFeB块状磁体材料热变形处理前后的X-射线衍射图谱。图3为实施例3制备的全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料沿着易磁化轴和难磁化轴方向上的磁滞回线图。具体实施方式 通过如下实施例对本专利技术作进一步说明，但本专利技术的实施方式不仅限于此。实施例I本专利技术利用放电等离子技术进行快速烧结制得全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料；然后，采用放电等离子烧结技术将全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料进行热变形处理，获得全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料，其制备方法具体包括以下步骤步骤一放电等离子烧结将粒径为45 -IOOum的HDDR磁粉装入石墨模具中后，经过40MPa预压后，进行快速烧结，烧结工艺条件如下烧结压力40MPa烧结温度750°C升温速率100°C/min保温时间IOmin烧结真空度4Pa经快速烧结即可获得全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料。步骤二 热变形处理将步骤一获得的全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料放置于放电等离子烧结设备中，采用钽片4将步骤一中获得的磁体与WC模具隔开，如图I热变形处理的工艺示意图所示，其中I、上电极，2、下电极，3、WC压头，4、钽片，5、红外测温仪，6、真空系统本文档来自技高网...
【技术保护点】
全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料的制备方法，其特征在于，该方法利用放电等离子技术进行快速烧结制得全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料；然后，采用放电等离子烧结技术将全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料进行热变形处理，获得全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料，其制备方法具体包括以下步骤：步骤一：放电等离子烧结将粒径为45–100μm的HDDR磁粉装入石墨模具中后，经过40–50MPa预压后，进行快速烧结，烧结工艺条件如下：烧结压力：40–50MPa烧结温度：750℃–850℃升温速率：100–150℃/min保温时间：10–20min烧结真空度：≤4Pa经快速烧结即可获得全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料；步骤二：热变形处理将步骤一获得的全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料放置于放电等离子烧结设备中，并采用钽片将其与WC模具隔开，然后进行快速热变形处理，热变形工艺条件如下：热变形压力为：100–300MPa热变形温度为：750℃–850℃升温速率为:100–150℃/min保温时间为：10–30min烧结真空度：≤4Pa经过热变形处理后，可获得全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李小强，陈志成，敖敬培，屈盛官，杨超，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：
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