一种可调谐薄膜体声波谐振器的制备系统技术方案

技术编号:41014290 阅读:37 留言:0更新日期:2024-04-18 21:51
本发明专利技术涉及谐振器制备技术领域,尤其涉及一种可调谐薄膜体声波谐振器的制备系统,包括准备单元,构建单元,用以形成初级谐振器;刻画单元,用以对初级谐振器以预设刻画深度进行蚀刻以形成薄膜结构确定谐振频率,并形成次级谐振器;附着单元,用以形成待检谐振器;检测单元,反馈单元,用以确定是否调整沉积时长以及谐振频率,并形成目标谐振器;本发明专利技术通过刻画单元对薄膜材料以不同的预设刻画深度进行蚀刻形成带有不同深度的若干凹陷部的薄膜结构,因不同预设刻画深度形成的不同厚度的次级谐振器,可形成不同谐振频率的薄膜体声波谐振器,在使用中可实现薄膜体声波谐振器的调谐,从而有效增强了薄膜体声波谐振器的泛用性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及谐振器制备,尤其涉及一种可调谐薄膜体声波谐振器的制备系统


技术介绍

1、可调谐薄膜体声波谐振器具有广泛的应用前景,其应用于通信设备,可调谐薄膜体声波谐振器可以用于无线通信设备中,例如手机、无线传感器网络等。它们可以作为振荡器或滤波器的关键组件,帮助实现频率选择性和信号调制,可调谐薄膜体声波谐振器还可以用作传感器,用于测量和检测声波信号的特定参数,例如压力、温度、湿度等,这些传感器在工业、医疗、环境监测等领域中具有重要的应用价值。

2、目前常用的可调谐薄膜体声波谐振器为中国专利授权公告号:cn114826196b公开了一种可调谐的薄膜体声波谐振器及其制备方法,涉及微电子
该可调谐的薄膜体声波谐振器,包括衬底,以及依次设置于所述衬底上的底电极、压电层和顶电极,所述衬底设置有凹槽以与所述底电极之间形成空腔,所述底电极、所述压电层和所述顶电极在所述衬底上的正投影的共同部分与所述空腔在所述衬底上的正投影的交叠区域作为有效振动区,所述压电层上开设有容置槽,所述容置槽在所述衬底上的正投影与所述空腔在所述衬底上的正投影交叠,且所述容置槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种可调谐薄膜体声波谐振器的制备系统,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的可调谐薄膜体声波谐振器的制备系统,其特征在于,所述准备单元对所述薄膜基底进行表面超声波清洗以去除表面的杂质和污染物,并对完成清洗的薄膜基底一侧的平面进行水平校正,直至该平面的水平度不大于预设水平度;

3.根据权利要求2所述的可调谐薄膜体声波谐振器的制备系统,其特征在于,所述构建单元包括反应组件以及沉积组件;

4.根据权利要求3所述的可调谐薄膜体声波谐振器的制备系统,其特征在于,所述沉积组件包括沉降装置以及分离装置;

5.根据权利要求4所述的可调谐薄膜体声波...

【技术特征摘要】

1.一种可调谐薄膜体声波谐振器的制备系统,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的可调谐薄膜体声波谐振器的制备系统,其特征在于,所述准备单元对所述薄膜基底进行表面超声波清洗以去除表面的杂质和污染物,并对完成清洗的薄膜基底一侧的平面进行水平校正,直至该平面的水平度不大于预设水平度;

3.根据权利要求2所述的可调谐薄膜体声波谐振器的制备系统,其特征在于,所述构建单元包括反应组件以及沉积组件;

4.根据权利要求3所述的可调谐薄膜体声波谐振器的制备系统,其特征在于,所述沉积组件包括沉降装置以及分离装置;

5.根据权利要求4所述的可调谐薄膜体声波谐振器的制备系统,其特征在于,所述沉积时长与气体流速以及沉积温度正相关。

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:李国强
申请(专利权)人:华南理工大学
类型:发明
国别省市:

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