一种花瓣形表面结构的可控温加热盘制造技术

一种花瓣形表面结构的可控温加热盘，主要解决现有的加热盘及静电卡盘所存在的无法快速、准确控制晶圆温度的问题。它包括中心设有进气孔的加热盘。所述加热盘的表面制有花瓣形布局的气体流动径向沟槽，在加热盘中心的一个圆形空间设有中心稳流区。所述加热盘设计有圆形空间边缘稳流区及设有的气体回收孔。所述的加热盘外圆的沟槽设计成开放式或封闭式。本发明专利技术通过合理化设计的表面气体分布结构，使得导热介质能够直接、快速、均匀的分布在加热盘与晶圆之间，并依据介质流动所带来的压力及流速变化规律确定各个区域大小或沟槽尺寸，来调节导热介质所带走的热量，以实现对晶圆温度的快速准确控制。可广泛应用于半导体薄膜沉积应用技术领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种应用于半导体沉积设备的可控温加热盘的盘面结构。使用花瓣形盘面气体分布形式，以实现对晶圆温度的精确控制。属于半导体薄膜沉积应用及制造

技术介绍
半导体设备在沉积反应时往往需要使晶圆及腔室空间预热或维持在沉积反应所需要的温度，大多数半导体沉积设备都会使用加热盘或静电卡盘来实现对晶圆预热的目的。但因为沉积反应多是在真空条件下进行，真空环境因缺乏导热介质，热传导性能较差。往往无法快速将晶圆预热到所需温度，或是在沉积反应前无法均匀的将晶圆预热。在有射频参与的半导体镀膜设备中，当射频所激发的能量到达晶圆表面时，因为热传导介质的缺乏，往往又会使晶圆表面的温度快速升高，使得晶圆表面温度超出沉积所需温度，而使晶圆发生损坏。随着晶圆尺寸的逐渐增大，晶圆本身的温度均匀性直接决定着晶圆品质的好或坏，快速、准确的控温对生广效率的提尚及广品良率的提尚都是至关重要的。现有的半导体沉积设备加热盘及静电卡盘大都只具有加热盘自身的温度调节及控温功能，对于晶圆的温度是无法达到精确控制的。然而沉积反应所最急需的确是对晶圆温度的快速、准确控制。只有将晶圆的温度快速、准确的维持在沉积反应所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种花瓣形表面结构的可控温加热盘，其特征在于：它包括中心设有进气孔的加热盘，所述加热盘的表面制有花瓣形布局的气体流动径向沟槽，在加热盘中心的一个圆形空间设有中心稳流区；所述加热盘的边缘设计有圆形空间边缘稳流区及设有的气体回收孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈英男，姜崴，郑旭东，关帅，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21