本实用新型专利技术一种LED红光封装结构，属于LED封装技术领域；解决的技术问题是提供了一种在不改变现有封装流程的情况下，直接在封装体内串接一齐纳二极管，从而保证成品正向电压分布在2.8～3.6V之间的LED红光封装结构；采用的技术方案为：一种LED红光封装结构，包括红光芯片和封装本体，所述红光芯片设置在封装本体内，还包括齐纳管，所述齐纳管设置在封装本体上，并与红光芯片串联在一起，所述LED红光封装结构封装成品的输入电压为2.8～3.6V；本实用新型专利技术可广泛应用于LED红光封装领域。
【技术实现步骤摘要】
本技术一种LED红光封装结构，属于LED封装
技术介绍
传统LED封装形式为单纯芯片封装，即对芯片起到简单放大作用，不改变芯片本身电性参数。故封装成品电性参数完全取决于所选择封装的芯片。在此封装形式下，一般LED红光封装结构成品正向电压基本取决于红光芯片自身正向电压，电压分布为1.8?2.4V，低于LED蓝、绿芯片2.8?3.6V区间，在应用端须增加电阻贴片工序，或在恒压驱动下红光须串接电阻才能正常使用，可靠性和经济性差。
技术实现思路
本技术克服了现有技术存在的不足，提供了一种在不改变现有封装流程的情况下，直接在封装体内串接一齐纳二极管，从而保证成品正向电压分布在2.8?3.6V之间的LED红光封装结构。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为:一种LED红光封装结构，包括红光芯片和封装本体，所述红光芯片设置在封装本体内，还包括齐纳管，所述齐纳管设置在封装本体上，并与红光芯片串联在一起，所述LED红光封装结构封装成品的输入电压为 2.8 ?3.6Vo优选地，所述红光芯片和齐纳管的极性相反。优选地，所述红光芯片与齐纳管之间以一引线联接彼此金属焊垫。优选地，所述红光芯片与齐纳管的底部均以导电胶与封装本体的功能区结合。本技术与现有技术相比具有的有益效果是:本技术鉴于LED红光芯片电压分布于1.8?2.4V之间，低于LED蓝、绿芯片2.8?3.6V区间，在封装成品使用过程红光单独增加电阻或其他方式来保证其可与LED蓝、绿混用，解决了红光芯片与蓝、绿芯片电压压降不一问题，方便应用端应用。【附图说明】下面结合附图对本技术做进一步的说明。图1为本技术的结构示意图。图中，I为红光芯片、2为封装本体、3为齐纳管。【具体实施方式】如图1所示，本技术一种LED红光封装结构，包括红光芯片I和封装本体2，所述红光芯片I设置在封装本体2内，还包括齐纳管3，所述齐纳管3设置在封装本体2上，并与红光芯片I串联在一起，所述LED红光封装结构封装成品的输入电压为2.8?3.6V。所述红光芯片I和齐纳管3的极性相反。所述红光芯片I与齐纳管3之间以一引线联接彼此金属焊垫。所述红光芯片I与齐纳管3的底部均以导电胶与封装本体2的功能区结合。本技术鉴于LED红光芯片电压分布于1.8?2.4V之间，低于LED蓝、绿芯片2.8?3.6V区间，故在封装成品使用过程红光单独增加电阻或其他方式来保证其可与LED蓝、绿混用，本技术封装结构旨在解决红光芯片与蓝、绿芯片电压压降不一问题，方便应用端应用。本技术封装结构在内部加装一齐纳管与红光芯片串接，保证成品电压分布在2.8 ?3.6V。具体地，本技术的连接要求为:1、要求红光芯片I与齐纳管3极性相反；2、封装成品电压分布2.8?3.6V;3、红光芯片I与齐纳管3以一引线联接彼此金属焊垫；4、红光芯片I与齐纳管3底部以导电胶与支架功能区结合；上面结合附图对本技术的实施例作了详细说明，但是本技术并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本技术宗旨的前提下作出各种变化。【主权项】1.一种LED红光封装结构，包括红光芯片(I)和封装本体(2)，所述红光芯片(I)设置在封装本体(2 )内，其特征在于:还包括齐纳管(3 )，所述齐纳管(3 )设置在封装本体(2 )上，并与红光芯片(I)串联在一起，所述LED红光封装结构封装成品的输入电压为2.8?3.6V。2.根据权利要求1所述的一种LED红光封装结构，其特征在于:所述红光芯片(I)和齐纳管(3)的极性相反。3.根据权利要求1所述的一种LED红光封装结构，其特征在于:所述红光芯片(I)与齐纳管(3)之间以一引线联接彼此金属焊垫。4.根据权利要求1所述的一种LED红光封装结构，其特征在于:所述红光芯片(I)与齐纳管(3)的底部均以导电胶与封装本体(2)的功能区结合。【专利摘要】本技术一种LED红光封装结构，属于LED封装
；解决的技术问题是提供了一种在不改变现有封装流程的情况下，直接在封装体内串接一齐纳二极管，从而保证成品正向电压分布在2.8～3.6V之间的LED红光封装结构；采用的技术方案为：一种LED红光封装结构，包括红光芯片和封装本体，所述红光芯片设置在封装本体内，还包括齐纳管，所述齐纳管设置在封装本体上，并与红光芯片串联在一起，所述LED红光封装结构封装成品的输入电压为2.8～3.6V；本技术可广泛应用于LED红光封装领域。【IPC分类】H01L25-16, H01L33-48【公开号】CN204558463【申请号】CN201520187893【专利技术人】徐龙飞 【申请人】长治虹源光电科技有限公司【公开日】2015年8月12日【申请日】2015年3月31日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED红光封装结构，包括红光芯片（1）和封装本体（2），所述红光芯片（1）设置在封装本体（2）内，其特征在于：还包括齐纳管（3），所述齐纳管（3）设置在封装本体（2）上，并与红光芯片（1）串联在一起，所述LED红光封装结构封装成品的输入电压为2.8～3.6V。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐龙飞，
申请(专利权)人：长治虹源光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山西;14
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