本实用新型专利技术公开了封片封装领域内的一种双芯片封装结构，包括引线框架，所述引线框架的表面并列设置有晶体管芯片和集成电路控制芯片，所述集成电路控制芯片通过导电银浆层与所述引线框架粘接固定，所述引线框架的表面安装晶体管芯片的位置设有一凹槽，凹槽内填充有用于固定粘接所述晶体管芯片的焊料，所述晶体管芯片的下侧与凹槽内的焊料固定粘接，所述晶体管芯片的上表面与所述集成电路控制芯片的上表面位于同一平面内。所述引线框架的表面分布有用于保护晶体管芯片的焊料，引线框架表面上的焊料厚度小于晶体管芯片的高度，并将晶体管芯片的下半部分包裹在其中。本实用新型专利技术通过在引线框架上设置凹槽，减小了塑封体的厚度，提高了散热性能。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于芯片封装领域，具体涉及一种双芯片封装结构。
技术介绍
“封装技术”是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术。对于芯片而言，封装十分重要，一方面因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电性能下降；另一方面，封装后的芯片更便于安装和运输。封装技术的好坏直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB (印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。现有技术中，有一种双芯片封装体，包括一引线框架，所述引线框架表面并列设置MOS晶体管芯片和集成电路控制芯片，所述MOS晶体管芯片与所述引线框架之间通过焊料层粘接在一起，所述焊料层靠近所述MOS晶体管芯片一侧的表面为一预制的平面，以防止MOS晶体管芯片发生倾斜，所述集成电路控制芯片与所述引线框架之间通过导电银浆层粘接在一起。其不足之处在于，该装置中的MOS晶体管芯片的厚度要大于集成电路控制芯片的厚度，而封装完成后的塑封体上表面要求高出芯片上表面一定的高度，才能对芯片起到安放、固定、密封保护的作用，因此以MOS晶体管的厚度计算，导致塑封体的厚度较厚，从散热性能考虑，不利于引线框架上芯片的散热，容易导致芯片故障，电路短路，最终影响集成电路的使用寿命。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种双芯片封装结构，使得封装完成后塑封体的厚度更薄，更加利于芯片的散热。本技术的目的是这样实现的:一种双芯片封装结构，包括引线框架，所述引线框架的表面并列设置有晶体管芯片和集成电路控制芯片，所述集成电路控制芯片通过导电银浆层与所述引线框架粘接固定，所述引线框架的表面安装晶体管芯片的位置设有一凹槽，凹槽内填充有用于固定粘接所述晶体管芯片的焊料，所述晶体管芯片的下侧与凹槽内的焊料固定粘接，所述晶体管芯片的上表面与所述集成电路控制芯片的上表面位于同一平面内。与现有技术相比，本技术的有益效果在于:通过在引线框架上设置凹槽，将粘接晶体管芯片用的焊料焊进凹槽中，降低了晶体管芯片在竖直方向的高度，使得晶体管芯片的上表面与集成电路控制芯片的上表面位于同一平面内，以集成电路控制芯片的上表面高度计算，加上塑封体上表面要求高出芯片上表面的高度，得到的塑封体的厚度更薄，更加利于芯片散热，避免局部过热影响电路工作；保证晶体管芯片和集成电路控制芯片的上表面位于同一平面，使得塑封体更好地保护晶体管芯片和集成电路控制芯片，更好地缓冲外界对芯片的冲击。作为本技术的进一步改进，所述引线框架的晶体管表面分布有用于保护晶体管芯片的焊料，引线框架表面上的焊料厚度小于晶体管芯片的高度，并将晶体管芯片的下半部分包裹在其中。引线框架表面上的焊料包裹住晶体管芯片的下半部分，增大了晶体管芯片的强度，缓冲由于塑封体内引线框架、芯片和包封材料的热膨胀系数不同产生的挤压应力对晶体管芯片的挤压，晶体管芯片的上半部分不与焊料接触，其发热产生的热量更加容易传递出去。作为本技术的进一步改进，所述集成电路控制芯片部分嵌入导电银浆层中。该技术方案增大了集成电路控制芯片的抗挤压强度，缓冲由于塑封体内引线框架、芯片和包封材料的热膨胀系数不同产生的挤压应力对集成电路控制芯片的挤压。作为本技术的优选，所述焊料成分采用铅锡合金。铅和锡的导热性均较好，晶体管芯片发热产生的热量更加容易经焊料传递出去，进一步提高了散热性能。【附图说明】图1为本技术的结构示意图。 其中，I引线框架，2晶体管芯片，3集成电路控制芯片，4导电银浆层，5焊料，6塑封体。【具体实施方式】如图1所示，为本技术的一种双芯片封装结构，包括引线框架1，引线框架I的表面并列设置有晶体管芯片2和集成电路控制芯片3，集成电路控制芯片3通过导电银浆层4与引线框架I粘接固定，引线框架I的表面安装晶体管芯片2的位置设有一凹槽，凹槽内填充有用于固定粘接晶体管芯片2的焊料5，晶体管芯片2的下侧与凹槽内的焊料5固定粘接，晶体管芯片2的上表面与集成电路控制芯片3的上表面位于同一平面内。为了缓冲塑封体6内引线框架1、芯片和包封材料的热膨胀系数不同产生的挤压应力对晶体管芯片2和集成电路控制芯片3的挤压，引线框架I的表面分布有用于保护晶体管芯片2的焊料5，引线框架I表面上的焊料5厚度小于晶体管芯片2的高度，并将晶体管芯片2的下半部分包裹在其中；集成电路控制芯片3部分嵌入导电银浆层4中；焊料5成分采用铅锡合金。本装置通过在引线框架I上设置凹槽，将粘接晶体管芯片2用的焊料5焊进凹槽中，降低了晶体管芯片2在竖直方向的高度，使得晶体管芯片2的上表面与集成电路控制芯片3的上表面位于同一平面内，以集成电路控制芯片3的上表面高度计算，加上塑封体6上表面要求高出芯片上表面的高度，得到的塑封体6的厚度更薄，更加利于芯片散热，避免局部过热影响电路工作；保证晶体管芯片2和集成电路控制芯片3的上表面位于同一平面，使得塑封体6更好地保护晶体管芯片2和集成电路控制芯片3，更好地缓冲外界对芯片的冲击。本技术并不局限于上述实施例，在本技术公开的技术方案的基础上，本领域的技术人员根据所公开的
技术实现思路
，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征作出一些替换和变形，这些替换和变形均在本技术的保护范围内。【主权项】1.一种双芯片封装结构，包括引线框架，所述引线框架的表面并列设置有晶体管芯片和集成电路控制芯片，所述集成电路控制芯片通过导电银浆层与所述引线框架粘接固定，其特征在于，所述引线框架的表面安装晶体管芯片的位置设有一凹槽，凹槽内填充有用于固定粘接所述晶体管芯片的焊料，所述晶体管芯片的下侧与凹槽内的焊料固定粘接，所述晶体管芯片的上表面与所述集成电路控制芯片的上表面位于同一平面内。2.根据权利要求1所述的一种双芯片封装结构，其特征在于，所述引线框架的表面分布有用于保护晶体管芯片的焊料，引线框架表面上的焊料厚度小于晶体管芯片的高度，并将晶体管芯片的下半部分包裹在其中。3.根据权利要求1或2所述的一种双芯片封装结构，其特征在于，所述集成电路控制芯片部分嵌入导电银浆层中。4.根据权利要求1或2所述的一种双芯片封装结构，其特征在于，所述焊料成分采用铅锡合金。【专利摘要】本技术公开了封片封装领域内的一种双芯片封装结构，包括引线框架，所述引线框架的表面并列设置有晶体管芯片和集成电路控制芯片，所述集成电路控制芯片通过导电银浆层与所述引线框架粘接固定，所述引线框架的表面安装晶体管芯片的位置设有一凹槽，凹槽内填充有用于固定粘接所述晶体管芯片的焊料，所述晶体管芯片的下侧与凹槽内的焊料固定粘接，所述晶体管芯片的上表面与所述集成电路控制芯片的上表面位于同一平面内。所述引线框架的表面分布有用于保护晶体管芯片的焊料，引线框架表面上的焊料厚度小于晶体管芯片的高度，并将晶体管芯片的下半部分包裹在其中。本技术通过在引线框架上设置凹槽，减小了塑封体的厚度，提高了散热性能。【IPC分类】H01L23-367, H01L25-16, H01L23-31, H01L23-495【公开号】CN204538022【申请号】CN201520236059【专利技术人】高潮, 黄素娟 【申请人】扬州江新电子有限公司【公开日】2015年8月5日【申请日】2015年4月20日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种双芯片封装结构，包括引线框架，所述引线框架的表面并列设置有晶体管芯片和集成电路控制芯片，所述集成电路控制芯片通过导电银浆层与所述引线框架粘接固定，其特征在于，所述引线框架的表面安装晶体管芯片的位置设有一凹槽，凹槽内填充有用于固定粘接所述晶体管芯片的焊料，所述晶体管芯片的下侧与凹槽内的焊料固定粘接，所述晶体管芯片的上表面与所述集成电路控制芯片的上表面位于同一平面内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高潮，黄素娟，
申请(专利权)人：扬州江新电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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