有机发光二极管的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种有机发光二极管的制备方法，包括：提供一基板，所述基板表面具有多个第一电极；在所述基板表面形成一第一有机材料层；在所述第一有机材料层的表面形成一第一有机发光层；提供一具有纳米图形的模板，所述纳米图形包括多个深度不同的凹部；将模板具有纳米图形的表面与所述第一有机发光层贴合，并挤压、脱模，在所述第一有机发光层远离基板的表面形成多个相互间隔的第一凸起、第二凸起及第三凸起；在所述第二凸起的表面形成一第二有机发光层，在所述第三凸起的表面形成一第三有机发光层；形成一第二有机材料层覆盖所述第一凸起、第二有机发光层及第三有机发光层；以及设置一第二电极与所述第二有机材料层电连接。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管的制备方法
本专利技术涉及一种有机发光二极管的制备方法。
技术介绍
有机发光二极管（organiclightemittingdiode，OLED）是一种发光层由有机复合物构成的发光二极管，作为一种高效的发光源，其具有重量轻、厚度薄、多色彩、低制造成本等诸多特点，使得有机发光二极管在大面积面光源的照明应用上逐渐显露出取代传统发光二极管的趋势，已经被广泛的运用于各种领域。OLED一般包括一基底，一第一电极、一第一有机材料层、一荧光粉层、一第二有机材料层以及一第二电极层叠设置，所述荧光粉层包括间隔设置的红、绿、蓝荧光粉层，相邻的红、绿、蓝荧光粉层形成一个像素点。现有技术提供了一种OLED的制备方法，所述第一有机材料层具有不同的高度，包括提供一基底，所述基底包括多个第一电极；提供一第一掩模，在所述基底上沉积有机材料层，形成一第一单元；提供一第二掩模，在所述基底上沉积有机材料层，形成一第二单元；提供一第三掩模，在所述基底上沉积有机材料层，形成一第三单元，所述第一单元、第二单元及第三单元间隔设置于基底上且具有不同的高度；在所述第一单元、第二单元、第三单元上分别对应沉积红、绿、蓝荧光粉层，形成一像素点；在所述荧光分层上沉积第二有机材料层；以及形成一第二电极与所述第二有机材料层电连接，得到所述OLED。然而，现有技术中所述OLED的制备需要在真空系统中进行，且至少需要更换三次掩模，工艺复杂，成本高；并且在更换掩模的工程中，容易对已沉积的有机材料层造成破坏，从而影响了OLED的发光效果及OLED的寿命。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种工艺简单、能够提高有机发光二极管的发光效果及寿命的有机发光二极管的方法。一种有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，所述基板表面具有多个第一电极；设置一第一有机材料层覆盖所述多个第一电极；在所述第一有机材料层的表面形成一第一有机发光层；提供一具有纳米图形的模板，所述纳米图形包括多个深度不同的凹部；将模板具有纳米图形的表面与所述第一有机发光层贴合，并挤压所述模板及所述第一有机发光层；将所述模板与所述第一有机发光层进行脱模，使所述纳米图形转印到第一有机发光层，在所述第一有机发光层远离基板的表面形成多个相互间隔且高度不同的第一凸起、第二凸起及第三凸起；在所述第二凸起的表面形成一第二有机发光层，在所述第三凸起的表面形成一第三有机发光层；形成一第二有机材料层覆盖所述第一凸起、第二有机发光层及第三有机发光层；以及设置一第二电极与所述第二有机材料层电连接。一种有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，所述基板表面具有多个第一电极；在所述设置有多个第一电极的基板表面形成一第一有机材料层；在所述第一有机材料层的表面形成一第一有机发光层；提供一模板，所述模板包括多个图形单元，每一图形单元包括N个不同深度的凹槽，N大于等于3；通过压印方法在第一有机发光层表面形成具有与所述多个图形单元对应图形的多个像素单元，每一像素单元包括N个不同高度的凸起结构；在每一像素单元中（N-1）个所述凸起结构顶面，分别沉积不同材料有机发光层；沉积一第二有机材料层；以及形成一第二电极与所述第二有机材料层电连接。一种有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，所述基板表面具有多个第一电极；设置一第一有机发光层覆盖所述多个第一电极；提供一具有纳米图形的模板，所述纳米图形包括多个按行列式排布的图形单元，每一图形单元包括相互间隔排列且不同深度的第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽；通过压印方法使所述纳米图形转印到第一有机材料层，对应形成多个不同高度的第一凸起、第二凸起、第三凸起；在所述第二凸起的顶面形成一第二有机发光层，在所述第三凸起远离的顶面沉积一第三有机发光层；形成一第二有机材料层覆盖所述第一有机发光层、第二有机发光层及第三有机发光层；以及形成一第二电极与所述第二有机材料层电连接。与现有技术相比，本专利技术提供的有机发光二极管的制备方法，利用模板通过采取纳米压印的方式直接在所述第一有机发光层表面形成不同高度的凸起，从而无需更换或移动掩模，避免了在更换掩模的过程中对第一有机材料层的破坏，从而提高了所述有机发光二极管的发光效果及寿命。附图说明图1为本专利技术实施例提供的有机发光二极管制备方法的流程图。图2为图1所述有机发光二极管制备方法中所述模板的结构示意图。图3为图1所述有机发光二极管制备方法中图案化的第一有机材料层的结构示意图。主要元件符号说明有机发光二极管10基板100第一电极112挡墙114第一有机材料层120第一有机发光层130第二有机材料层150第二电极160模板200第一凹槽201第二凹槽202第三凹槽203凸部205第一凸起131第二凸起132第三凸起133第二有机发光层141第三有机发光层142如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图1，本专利技术第一实施例提供一种有机发光二极管10的制备方法，包括如下步骤：步骤S10，提供一基板100，所述基板100表面具有多个第一电极112；步骤S20，在所述设置有多个第一电极112的基板100表面沉积一第一有机材料层120；步骤S30，在所述第一有机材料层的表面沉积一第一有机发光层130；步骤S40，提供一具有纳米图形的模板200；步骤S50，将模板200具有纳米图形的表面与所述第一有机发光层130贴合，并挤压所述模板200及所述第一有机发光层130；步骤S60，将所述模板200与所述第一有机发光层130进行脱模，使所述纳米图形转印到第一有机发光层130，形成相互间隔的第一凸起131、第二凸起132及第三凸起133；步骤S70，在所述第二凸起132的表面沉积一第二有机发光层141，在所述第三凸起133的表面沉积一第三有机发光层142；步骤S80，形成一第二有机材料层150覆盖所述第一凸起131、第二有机发光层141及第三有机发光层142；以及步骤S90，设置一第二电极160与所述第二有机材料层150电连接。在步骤S10中，所述基板100起到支撑的作用，可为一透明基板，该基板100的材料可为聚亚酰胺（polyimide）、聚合物(polymer)等复合材料。所述第一电极112与所述第一有机材料层120电连接以提供驱动电流，并控制有机发光二极管10的发光状态。所述第一电极112可为氧化铟锡（IndiumTinOxide，ITO）或氧化铟锌(IndiumZincOxide,IZO)等透明导电材料，可通过溅镀的方法形成；所述第一电极112也可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们中的任意混合物中的一种，则该第一电极112也可作为反射层。进一步，所述第一电极112也可采用碳纳米管，如碳纳米管线或碳纳米管膜等。所述碳纳米管线或碳纳米管膜可为一透明的自支撑结构，可直接铺设于所述基板100的表面形成所述第一电极112。进一步，所述基板100的表面具有多个挡墙114形成一阵列，相邻的挡墙114之间对应一显示像素。所述第一电极112设置于相邻的挡墙114之间。在步骤S20中，所述第一有机材料层120可包括一空穴传输层（HTL）或一空穴注入层（HIL）。所述空穴传输层的材料可为芳香多胺类化合物，如聚苯胺(Poly本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，所述基板表面具有多个第一电极；设置一第一有机材料层覆盖所述多个第一电极；在所述第一有机材料层的表面形成一第一有机发光层；提供一具有纳米图形的模板，所述纳米图形包括多个深度不同的凹部；将模板具有纳米图形的表面与所述第一有机发光层贴合，并挤压所述模板及所述第一有机发光层；将所述模板与所述第一有机发光层进行脱模，使所述纳米图形转印到第一有机发光层，在所述第一有机发光层远离基板的表面形成多个相互间隔且高度不同的第一凸起、第二凸起及第三凸起；在所述第二凸起的表面形成一第二有机发光层，在所述第三凸起的表面形成一第三有机发光层；形成一第二有机材料层覆盖所述第一凸起、第二有机发光层及第三有机发光层；以及设置一第二电极与所述第二有机材料层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，所述基板表面具有多个第一电极；设置一第一有机材料层覆盖所述多个第一电极；在所述第一有机材料层的表面形成一第一有机发光层；提供一具有纳米图形的模板，所述纳米图形包括多个深度不同的凹部；将模板具有纳米图形的表面与所述第一有机发光层贴合，并挤压所述模板及所述第一有机发光层；将所述模板与所述第一有机发光层进行脱模，使所述纳米图形转印到第一有机发光层，在所述第一有机发光层远离基板的表面形成多个相互间隔且高度不同的第一凸起、第二凸起及第三凸起；在所述第二凸起的表面形成一第二有机发光层，在所述第三凸起的表面形成一第三有机发光层；形成一第二有机材料层覆盖所述第一凸起、第二有机发光层及第三有机发光层；以及设置一第二电极与所述第二有机材料层电连接。2.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述模板包括至少一第一图形单元，所述第一图形单元包括深度不同的一第一凹槽、一第二凹槽以及一第三凹槽相互间隔排列。3.如权利要求2所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述模板包括多个第一图形单元呈一维阵列或二维阵列排布。4.如权利要求3所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽沿同一方向按照固定顺序依次相互间隔且交替排列。5.如权利要求2所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度d1、第二凹槽的深度d2及第三凹槽的深度d3满足d1>d2>d3。6.如权利要求2所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述纳米图形转印到第一有机发光层后在所述第一有机发光层远离基板的表面形成一纳米图案，所述纳米图案包括多个第二图形单元，每一所述第二图形单元包括一第一凸起、一第二凸起、一第三凸起，分别对应所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽设置。7.如权利要求6所述的有机发光二极管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑荣安，简良能，安东，朱振东，林昌廷，吴逸蔚，李群庆，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11