半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件，包含：半导体区；第一阱区；第二阱区；源极区；漏极区；沟道区；以及栅极绝缘膜。所述第一阱区和所述第二阱区形成在所述半导体区中，所述第一阱区和所述第二阱区彼此相邻。所述源极区位于所述第一阱区上；所述漏极区位于所述第二阱区上。所述半导体区具有第一区、第二区、以及第三区。所述第三区中的掺杂剂浓度高于所述第一区中的掺杂剂浓度。所述第一阱区具有第一导电类型；所述第二阱区具有第二导电类型。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】相关申请的交叉引用本申请基于2014年I月28日递交的日本专利申请N0.2014-013800，并且要求享有该申请的优先权权益，该申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本文中所描述的实施例总体上涉及半导体器件和制造该半导体器件的方法。
技术介绍
例如，至于具有高击穿容量的金属氧化物半导体(MOS)晶体管，已经知道诸如其中通过双扩散工艺来形成MOS晶体管的沟道区的双扩散MOS (DMOS)晶体管之类的半导体器件。在该半导体器件中，已经存在对提高击穿电阻和可靠性的需求，提高抗击穿性和可靠性有助于提高安全工作区(SOA)。
技术实现思路
本文中所描述的实施例提供了，所述半导体器件提高了SOA。实施例提供了:一种半导体器件，包括:第一导电类型的第一阱区，所述第一阱区位于半导体区中并且在与所述半导体区的所述上表面平面正交的第一方向上从所述上表面平面延伸第一距离；第二导电类型的第二阱区，所述第二阱区位于所述半导体区中并且在与所述第一方向垂直的第二方向上与所述第一阱区相邻，并且在所述第一方向上从所述半导体区的所述上表面平面延伸第二距离；所述第二导电类型的源极区，所述源极区在所述第一阱区上；所述第二导电类型的漏极区，所述漏极区在所述第二阱区上；以及栅极电极，所述栅极电极在所述半导体区中的所述源极区与所述漏极区之间的一部分上，其中所述半导体区具有在所述第一方向上位于所述第一阱区下方的第一位置处的第一区、在所述第一方向上位于所述第二阱区下方的第二位置处的第二区、以及在所述第一方向上位于所述第一阱区下方的第三位置处的第三区，并且所述第三区在所述第二方向上为所述第一位置与所述第二位置之间，并且所述第三区中的所述第二导电类型的掺杂剂的浓度高于所述第一区中的所述第二导电类型的掺杂剂的浓度。进一步地，实施例提供了晶体管器件，包括:半导体区，所述半导体区具有第一平面中的上表面；第一导电类型的第一阱区，所述第一阱区在所述半导体区内并且在与所述第一平面正交的第一方向上从所述第一平面延伸第一距离；第二导电类型的第二阱区，所述第二阱区在所述半导体区内并且在与所述第一方向垂直的第二方向上与所述第一阱区相邻，并且在所述第一方向上从所述第一平面延伸第二距离；所述第二导电类型的源极区，所述源极区在所述第一阱区中并且在所述上表面处；所述第二导电类型的漏极区，所述漏极区在所述第二阱区中并且在所述上表面处，所述源极区和所述漏极区在所述第二方向上间隔开；栅极电极，所述栅极电极在所述源极区与所述漏极区之间的所述上表面的一部分上；以及栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜在所述栅极电极与所述上表面的所述部分之间，其中所述半导体区中的所述第二导电类型的掺杂剂的浓度在沿着所述第一方向的大于所述第一距离的距离处、在既位于所述栅极电极下方又位于所述第一平面下方的部分中最闻。进一步地，实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括:在半导体区中形成第一导电类型的第一阱区，所述第一阱区在与所述上表面平面正交的第一方向上从所述半导体区的上表面平面延伸第一距离；在所述半导体区中形成第二导电类型的第二阱区，所述第二阱区在与所述第一方向垂直的第二方向上与所述第一阱区相邻，并且在所述第一方向上从所述半导体区的所述上表面平面延伸第二距离；在所述第一阱区上形成所述第二导电类型的源极区；在所述第二阱区上形成所述第二导电类型的漏极区；以及在所述半导体区中的所述源极区与所述漏极区之间的一部分上形成栅极电极，其中所述半导体区具有在所述第一方向上位于所述第一阱区下方的第一位置处的第一区、在所述第一方向上位于所述第二阱区下方的第二位置处的第二区、以及在所述第一方向上位于所述第一阱区下方的第三位置处的第三区，并且所述第三区在所述第二方向上为所述第一位置与所述第二位置之间，并且所述第三区中的所述第二导电类型的掺杂剂的浓度高于所述第一区中的所述第二导电类型的掺杂剂的浓度。根据所述实施例，提高了诸如SOA之类的特性。【附图说明】图1是示例了根据示例实施例的半导体器件的截面示意图。图2是例示了半导体器件中掺杂剂的分布的图表。图3是示例了半导体器件的特性的截面示意图。图4A和图4B是例示了参考示例的半导体器件的截面示意图。图5是示例了根据示例实施例的变型例的半导体器件的截面示意图。图6A和图6B是例示了根据示例实施例的其它变型例的半导体器件的截面示意图。图7是示例了根据示例实施例的制造半导体器件的方法的流程图。【具体实施方式】根据实施例，提供了其中增加了 SOA的耐抗性的半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件(例如，晶体管器件)包含第一导电类型的第一阱区，该第一阱区在半导体区中并且在与上表面平面正交的第一方向上从半导体区的上表面平面延伸第一距离。第二导电类型的第二阱区在与第一方向垂直的第二方向上被设置在与第一阱区相邻的半导体区中。第二阱区在第一方向上从半导体区的上表面平面延伸第二距离。第二导电类型的源极区被设置在第一阱区上。第二导电类型的漏极区被设置在第二阱区上。栅极电极被设置在半导体区中的源极区与漏极区之间的一部分上。半导体区具有在第一方向上位于第一阱区下方的第一位置处的第一区、在第一方向上位于第二阱区下方的第二位置处的第二区、以及在第一方向上位于第一阱区下方的第三位置处的第三区，并且第三位置在第二方向上为第一位置与第二位置之间。第三区中的第二导电类型的掺杂剂的浓度高于第一区中的第二导电类型的掺杂剂的浓度。通常，根据一个实施例，提供了半导体器件，该半导体器件包含:半导体区；第一阱区；第二阱区；源极区；漏极区；中间区；栅极电极；栅极绝缘膜；源极电极；以及漏极电极。第一阱区形成在半导体区上，并且是第一导电类型的。第二阱区形成在半导体区上，被设置为在与深度方向相交的方向上与第一阱区平行，并且是第二导电类型的，所述深度方向从第一阱区朝向半导体区延伸。源极区形成在第一阱区上，并且是第二导电类型。漏极区形成在第二阱区上，并且是第二导电类型。中间区被设置在源极区与漏极区之间。栅极电极形成在中间区上。栅极绝缘膜形成在中间区与栅极电极之间。源极电极与源极区进行电连接。漏极电极与漏极区进行电连接。半导体区具有被设置在第一阱区下方的第一位置处的区域、被设置在第二阱区下方的第二位置处的区域、以及被设置在第一阱区下方的第三位置处的区域，第三位置在第一位置与第二位置之间。第三位置处的区域中的第二导电类型的掺杂剂的浓度高于第一位置处的区域中的第二导电类型的掺杂剂的浓度。在下文中，参照附图对各自实施例进行解释。附图是示意图或概念图，并且由此各自部分中的厚度与宽度之间的关系、各自部分中的尺寸的比率等不总是等于实际半导体器件中的那些关系和比率。进一步地，即使当在附图中描述完全相同的部分时，部分的尺寸或尺寸的比率可以取决于附图而不同。在此公开内容和各自附图中，相同的符号给出了与先前针对已经解释过的附图而描述的部分相同的部分，以及当适当时，省略对完全相同的部分的详细解释。在下文中解释的实施例中，在假定第一导电类型是P类型且第二导电类型是η类型的情况下作出了解释。同样在其中第一导电类型是η类型且第二导电类型是P类型的情况下也可以执行实施例。(第一实施例)第一实施例涉及半导体器件。根据实施例的半导体器件可以是例如DM0S、横向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一阱区，所述第一阱区位于半导体区中并在与所述半导体区的上表面平面正交的第一方向上从所述上表面平面延伸第一距离；第二导电类型的第二阱区，所述第二阱区位于所述半导体区中并在与所述第一方向垂直的第二方向上与所述第一阱区相邻，并且在所述第一方向上从所述半导体区的所述上表面平面延伸第二距离；所述第二导电类型的源极区，所述源极区位于所述第一阱区上；所述第二导电类型的漏极区，所述漏极区位于所述第二阱区上；以及栅极电极，所述栅极电极位于所述半导体区中的所述源极区与所述漏极区之间的一部分上，其中所述半导体区具有在所述第一方向上位于所述第一阱区下方的第一位置处的第一区、在所述第一方向上位于所述第二阱区下方的第二位置处的第二区以及在所述第一方向上位于所述第一阱区下方的第三位置处的第三区，并且所述第三区在所述第二方向上位于所述第一位置与所述第二位置之间，并且所述第三区中的所述第二导电类型的掺杂剂的浓度高于所述第一区中的所述第二导电类型的掺杂剂的浓度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：篠原大辅，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP