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一种半导体器件，包含：半导体区；第一阱区；第二阱区；源极区；漏极区；沟道区；以及栅极绝缘膜。所述第一阱区和所述第二阱区形成在所述半导体区中，所述第一阱区和所述第二阱区彼此相邻。所述源极区位于所述第一阱区上；所述漏极区位于所述第二阱区上。所述...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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