本实用新型专利技术提供一种彩膜基板，包括一基板，所述基板包括上底面和下底面，所述基板的下底面设置有网格状的黑色矩阵，在所述基板的上底面设置有导电层；在垂直所述基板上底面和下底面的方向上，所述导电层的投影落入所述黑色矩阵的范围内。本实用新型专利技术提供的彩膜基板，在屏蔽外部静电的同时，不占用开口率，并且静电屏蔽效果也更好。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及显示
，尤其涉及一种彩膜基板及一种包含该彩膜基板的 液晶显示装置。
技术介绍
现有技术的面内电场驱动型液晶显示面板，其中像素电极和公共电极都设置在液 晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板上。为了保证薄膜晶体管阵列基板上像素电极和公共电 极之间的面内电场不受外界静电的影响，在彩膜基板的外侧还设置有一透明的屏蔽层。但 是该屏蔽层影响液晶显示面板的透过率，同时该屏蔽层的材料一般为氧化铟锡，电阻高导 静电差。
技术实现思路
本技术的一个方面提供一种彩膜基板，包括一基板，所述基板包括上底面和 下底面，所述基板的下底面设置有网格状的黑色矩阵，在所述基板的上底面设置有导电层； 在垂直所述基板上底面和下底面的方向上，所述导电层的投影落入所述黑色矩阵的范围 内。 可选地，所述导电层的形状和所述黑色矩阵的形状相同，并且所述导电层的投影 和所述黑色矩阵重合。 可选地，所述导电层的材料为金属遮光材料或者为透明导电材料。 可选地，在所述导电层和所述基板的上底面之间还设置有透明导电层，所述透明 导电层覆盖所述基板的整个上底面。 可选地，所述透明导电层经退火步骤工艺形成。 可选地，所述透明导电层的材料为氧化铟锡。 可选地，所述透明导电层的厚度小于等于200人。 可选地，所述导电层的厚度为小于等于丨200人。 本技术的另一个方面还提供一种液晶显示装置，包括如上所述的彩膜基板， 还包括薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板和所述彩膜基板相向设置。 本技术提供的彩膜基板及包含该彩膜基板的液晶显示装置，在屏蔽外部静电 的同时，不占用开口率，并且静电屏蔽效果也更好。【附图说明】 图1为本技术实施例一提供的彩膜基板的截面示意图； 图2为本技术实施例一提供的彩膜基板的俯视图； 图3为本技术实施例一提供的液晶显不面板的不意图； 图4为本技术实施例一另一种实施方式提供的彩膜基板的示意图； 图5为本技术实施例二提供的彩膜基板的示意图。【具体实施方式】 尽管下面将参照附图对本技术进行更详细的描述，其中表示了本技术的 优选实施例，应当理解为本领域技术人员可以在此描述的基础上进行修改，而仍然可以实 现本技术的有利效果。因此，下列的描述应当被理解为对本领域技术人员的思路的扩 展，而并不作为对本技术的限制。 在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据下列说明使本 技术的要点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精 准的比率，仅用以方便、清晰地辅助说明本技术实施例的目的。 实施例一 图1为本技术实施例一提供的彩膜基板的截面示意图，图2为本技术实 施例一提供的彩膜基板的俯视图。请参考图1和图2,实施例一提供的彩膜基板包括一基 板100,基板100包括上底面101和下底面102。在基板100的下底面102处，设置有网格 状的黑色矩阵103。黑矩阵103为黑色不透光位置，在液晶显示面板中，其作用是遮挡薄膜 晶体管阵列基板上的数据线和扫描线。在网格状的黑色矩阵103之间的透光区域设置还设 置有彩色光阻，黑色矩阵103还可以避免彩色光阻之间相互混色。 在基板100的上底面101设置有导电层104,在垂直基板100上底面101和下底面 102的方向上，导电层104的投影落入黑色矩阵103的范围内。导电层104的作用是屏蔽外 部静电。请参考图3,为本技术实施例一提供的液晶显不面板的不意图。液晶显不面 板包括上述彩膜基板和一薄膜晶体管阵列基板105。该薄膜晶体管阵列基板105包括公共 电极106和像素电极107,公共电极106和像素电极107之间形成面内电场，以驱动液晶分 子108的转动。导电层104的作用是屏蔽外部静电，使得公共电极106和像素电极107之 间的面内电场不受外界影响，稳定地驱动液晶分子108。同时，因为黑色矩阵103不透光，导 电层104也不会占用开口率或者降低液晶显示面板的透光率，因此导电层104的材料可以 是金属遮光材料或者为透明导电材料比如氧化铟锡。导电层104为金属遮光材料时，其电 阻低，具备更好的屏蔽静电的效果。 请参考图2,示出了本技术提供的导电层的一种实现方式，在垂直基板100上 底面101和下底面102的方向上，导电层104的投影落入黑色矩阵103的范围内，但是导电 层104和图形未完全和黑色矩阵103 -致。在其他实施方式中，导电层的形状还可以为：在 垂直基板上底面和下底面的方向上，导电层的投影落入横向的黑色矩阵范围内，或者导电 层的投影落入纵向的黑色矩阵范围内，以及导电层的投影落入部分黑色矩阵范围内的其他 方式。 请参考图4,为本技术实施例一另一种实施方式提供的彩膜基板的示意图，导 电层104的形状和黑色矩阵103的形状相同，并且导电层104的投影和黑色矩阵103重合。 在本技术实施例一另一种实施方式中，因为导电层104的形状和黑色矩阵103的形状 相同，因此导电层104和黑色矩阵103可以使用同一张掩膜板形成。 比如，可通过如下步骤形成上述彩膜基板： 提供一基板，所述基板包括上底面和下底面； 在基板的下底面形成黑色遮光层，使用第一掩膜板对该黑色遮光层进行光刻形成 网格状的黑色矩阵； 在基板的上底面形成导电材料层，使用上述的第一掩膜板对该导电材料层进行光 刻形成导电层，在垂直所述基板上底面和下底面的方向上，导电层的投影落入黑色矩阵的 范围内。 或者，还可通过如下步骤形成上述彩膜基板 提供一基板，所述基板包括上底面和下底面； 在基板的上底面形成导电材料层，使用第一掩膜板对该导电材料层进行光刻形成 导电层； 在基板的下底面形成黑色遮光层，使用上述的第一掩膜板对该黑色遮光层进行光 刻形成网格状的黑色矩阵；在垂直所述基板上底面和下底面的方向上，导电层的投影落入 黑色矩阵的范围内。 使用同一张掩膜板形成彩膜基板的黑色矩阵和导电层，可大大制造节省成本。 实施例二 图5为本技术实施例二提供的彩膜基板的示意图，请参考图5,实施例二提供 的彩膜基板还包括一透明导电层109。具体地，在导电层104和基板100的上底面101之间 还设置有透明导电层109,透明导电层109是覆盖基板100的整个上底面101的。 整面设置的透明导电层109可以较好抗外界干扰，同时因为位于该透明导电层 109之上的导电层104的存在，导电层104在非透光区域厚度可增大以提高抗静电能力，因 此该透明导电层109的厚度可以做得很薄。即透明导电层109和导电层104为一个屏蔽整 体，即对透过率影响较小，同时屏蔽效果好，抗静电能力强，可以大大优化面内驱动型液晶 显示面板的性能。 可选地，透明导电层109的厚度小于等于200人。 可选地，导电层的厚度小于等于1200A。 可选地，透明导电层109经过退火工艺。透明导电层109经过退火工艺后，材料性 质改变，在原有刻蚀条件下无法被刻蚀掉。然后在退火后的透明导电层109上再形成导电 层材料层，然后对导电层材料层进行刻蚀以形成导电层104。在对导电层材料层进行刻蚀 时，透明导电层109不会被刻蚀掉，因此不用再其上形成保护层，也免除了保护层去除等工 艺，形成工艺简单。 本实用新本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种彩膜基板，包括一基板，所述基板包括上底面和下底面，其特征在于，所述基板的下底面设置有网格状的黑色矩阵，在所述基板的上底面设置有导电层；在垂直所述基板上底面和下底面的方向上，所述导电层的投影落入所述黑色矩阵的范围内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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