本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该方法包括:在衬底基板上形成第一栅极金属图形；在形成有所述第一栅极金属图形的衬底基板上形成栅极绝缘层、第一有源层图形和源漏极金属图形；在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成第一保护层图形和过孔图形；在形成有所述第一保护层图形的衬底基板上形成第二保护层图形、第二有源层图形和像素电极图形。本发明专利技术解决了阵列基板的显示性能较差且成本较高的问题，实现了提高显示性能且降低成本的效果，用于显示装置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
21世纪是显示领域中的平板显示的时代，大多数的平板显示器都是有源矩阵液晶显不器(英文:Active Matrix Liquid Crystal Display ;简称:AM LCD)。一般来讲，一块完整的液晶显示面板必须由背光模块组、偏光片、上基板和下基板以及由两块基板组成的盒中填充的液晶分子构成。其中，上基板通常为彩膜基板，下基板通常为阵列基板。因此，作为有源矩阵液晶显示器的重要组成部分，阵列基板的制造方法十分重要。现有技术中，阵列基板上形成有纵横交叉的数据线和栅线。数据线和栅线共同形成矩阵形式排列的像素单元。每个像素单元包括薄膜晶体管(英文:Thin FilmTransistor ;简称:TFT)开关和像素电极图形，其中TFT开光包括栅极金属图形、源漏极金属图形和有源层图形；栅极金属图形连接栅线，源漏极金属图形连接数据线和像素电极图形，有源层图形形成在源、漏极金属图形与栅极金属图形之间。阵列基板上一般还形成有公共电极图形，用于和像素电极图形形成电场，公共电极图形与像素电极图形之间的电场强度变化控制着液晶分子的旋转程度。随着TFT性能的不断提高，现有TFT技术很难再有突破性的提高。作为有源层材料的非晶娃(英文:Amorphous silicon ;简称:a_Si)虽易于在低温下大面积制备，技术较为成熟，成为目前最广泛使用的技术，但a-Si材料带隙只有1.7V，对可见光不透明，并在可见光范围内具有光敏性，需增加不透明金属掩膜板(黑矩阵)来阻挡光线，这便增加了TFT-LCD的工艺复杂性，提高了成本，降低了器件开态电流，像素充电时间较长，且对于大尺寸显示产品，降低了可靠性和开口率，增加了功耗，性能难以进一步提高，因此，阵列基板的显示性能较差且成本较高。
技术实现思路
为了解决阵列基板的显示性能较差且成本较高的问题，本专利技术提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下:第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括:在衬底基板上形成第一栅极金属图形；在形成有所述第一栅极金属图形的衬底基板上形成栅极绝缘层、第一有源层图形和源漏极金属图形；在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成第一保护层图形和过孔图形；在形成有所述第一保护层图形的衬底基板上形成第二保护层图形、第二有源层图形和像素电极图形。可选的，所述在衬底基板上形成第一栅极金属图形，包括:在所述衬底基板上沉积第一氧化物透明半导体薄膜；在沉积有所述第一氧化物透明半导体薄膜的衬底基板上沉积第一金属层；对沉积有所述第一金属层的衬底基板进行一次构图工艺，形成公共电极图形和公共线；在形成有所述公共电极图形的衬底基板上进行刻蚀形成公共线、栅线、所述第一栅极金属图形和数据线。可选的，所述第一氧化物透明半导体薄膜由氧化铟锡ITO或铟锌氧化物IZO制成；所述第一金属层由钼、铝、铜、钛或钨制成。可选的，所述在形成有所述第一栅极金属图形的衬底基板上形成栅极绝缘层、第一有源层图形和源漏极金属图形，包括:在形成有所述第一栅极金属图形的衬底基板上通过等离子体增强化学气相沉积法PECVD工艺形成所述栅极绝缘层；在形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上沉积第二氧化物透明半导体薄膜；在沉积有所述第二氧化物透明半导体薄膜的衬底基板上沉积第二金属层；对沉积有所述第二金属层的衬底基板进行一次构图工艺，形成所述第一有源层图形和所述源漏极金属图形。可选的，所述第二氧化物透明半导体薄膜由氧化锌ZnO、铟锌氧化物IZ0、铟镓锌氧化物IGZO或铟锡锌氧化物ITZO制成；所述第二金属层由钼、铝、铜、钛或钨制成。可选的，所述在形成有所述过孔图形的衬底基板上形成第二保护层图形、第二有源层图形和像素电极图形，包括:在形成有所述过孔图形的衬底基板上通过磁控溅射工艺沉积第三氧化物透明半导体薄膜；在沉积有所述第三氧化物透明半导体薄膜的衬底基板上通过所述PECVD工艺沉积保护层薄膜；在沉积有所述保护层薄膜的衬底基板上涂覆一层光刻胶；采用灰色或半色调掩膜板对涂覆的光刻胶进行曝光、显影形成所述第二保护层图形、所述第二有源层图形和所述像素电极图形。可选的，所述在形成有所述过孔图形的衬底基板上形成第二保护层图形、第二有源层图形和像素电极图形，包括:在形成有所述过孔图形的衬底基板上通过磁控溅射工艺沉积第三氧化物透明半导体薄膜；在沉积有所述第三氧化物透明半导体薄膜的衬底基板上通过所述PECVD工艺沉积保护层薄膜；同时，在沉积有所述保护层薄膜的衬底基板上沉积第三金属层；在沉积有所述第三金属层的衬底基板上涂覆一层光刻胶；采用灰色或半色调掩膜板对涂覆的光刻胶进行曝光、显影形成所述第二保护层图形、所述第二有源层图形、第二栅极金属图形和所述像素电极图形。可选的，所述第三氧化物透明半导体薄膜由氧化锌ZnO、铟锌氧化物IZ0、铟镓锌氧化物IGZO或铟锡锌氧化物ITZO制成。第二方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括:衬底基板；所述衬底基板上形成有第一栅极金属图形；形成有所述第一栅极金属图形的衬底基板上形成有栅极绝缘层、第一有源层图形和源漏极金属图形；形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成有第一保护层图形；形成有所述第一保护层图形的衬底基板上形成有第二有源层图形和像素电极图形。可选的，所述阵列基板还包括:形成有所述第二有源层图形的衬底基板上形成有第二保护层图形。可选的，所述阵列基板还包括:形成有所述第二保护层图形的衬底基板上形成有第二栅极金属图形。可选的，所述阵列基板还包括:形成有所述第一保护层图形的衬底基板上形成有过孔图形。可选的，所述阵列基板还包括:所述衬底基板上形成有公共电极图形、公共线、栅线和数据线。第三方面，提供了一种显示装置，包括第二方面任一所述的阵列基板。本专利技术提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，通过在形成有第一栅极金属图形的衬底基板上形成栅极绝缘层、第一有源层图形和源漏极金属图形，在形成有源漏极金属图形的衬底基板上形成第一保护层图形和过孔图形，在形成有第一保护层图形的衬底基板上形成第二保护层图形、第二有源层图形和像素电极图形，使得阵列基板形成双有源层图形，相较于现有的阵列基板，降低了 TFT-LCD的工艺复杂性，提高了器件开态电流，缩短了像素充电时间，且对于大尺当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成第一栅极金属图形；在形成有所述第一栅极金属图形的衬底基板上形成栅极绝缘层、第一有源层图形和源漏极金属图形；在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成第一保护层图形和过孔图形；在形成有所述第一保护层图形的衬底基板上形成第二保护层图形、第二有源层图形和像素电极图形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宁策，杨维，李晓虎，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。