基板处理装置以及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够一边抑制损伤一边充分清洗表层上形成有多孔膜的基板的技术。对具有多孔结构的多孔膜(90)在表层上的基板(9)进行处理的基板处理方法，包括第一工序以及第二工序。在第一工序中，使含有水的第一处理液和气体进行混合来生成第一处理液的液滴，朝向多孔膜(90)喷射第一处理液的液滴。另外，在第二工序中，在进行第一工序之后，使第二处理液和气体进行混合来生成第二处理液的液滴，朝向多孔膜(90)喷射第二处理液的液滴，第二处理液为挥发性高于第一处理液的有机溶剂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对在表层形成有具有多孔结构的膜(多孔膜)的基板进行处理的技术。成为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(Field Emission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
技术介绍
在半导体装置或液晶显示装置等的制造工序中，进行如下的清洗处理，即，从半导体晶片或液晶显示装置用玻璃基板等基板除去异物。关于清洗处理，例如在专利文献1、2中公开了如下技术，即，利用所谓双流体喷嘴，使纯水和气体进行混合来生成纯水的液滴，朝向基板喷射该纯水的液滴，通过纯水的液滴与基板发生碰撞时的动能，物理性地除去在基板上附着的异物。但是，近几年，要求层间绝缘膜具有低介电常数，采用了如下的技术，即，应用如下技术，即，通过具有多孔结构的多孔膜形成致密膜难以实现的、介电常数为2.5以下的膜(所谓的超低介电常数膜：ULK膜)。如专利文献3所记载那样，这样的多孔膜讨厌水(由于水使介电常数发生变化)，不优选通过纯水对多孔膜进行清洗。因此，例如在专利文献3中提出如下技术，即，不利用纯水而利用IPA(异丙醇)，来清洗具有多孔膜的基板。专利文献1：日本特开2009－21617号公报专利文献2：日本特开2011－77153号公报专利文献3：日本特开2003－275696号公报但是，在设液滴的生成条件(处理液的流量以及气体的流量)相同，若对利用IPA作为处理液来用IPA的液滴清洗基板的情况和利用纯水作为处理液来用纯水的液滴清洗基板的情况进行比较，则发现只能获得前者比后者低的异物除去效果。因此，在不利用纯水而仅用IPA的液滴来清洗表层上形成有多孔膜的基板的情况下，虽然抑制基板的损伤，但是存在如下缺点，即，若不持续喷出IPA的液滴相当的时间，则不能从基板充分除去异物。在该方式中，使处理时间变长，使IPA的消耗量也增加。因此，要寻找能够充分清洗表层上形成有多孔膜的基板的其它方法。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够一边抑制损伤一边充分清洗表层上形成有多孔膜的基板的技术。第一方式为基板处理方法，对在表层形成有多孔膜的基板进行处理，该多孔膜具有多孔结构，包括：第一工序，使含有水的第一处理液和气体进行混合来生成所述第一处理液的液滴，朝向所述多孔膜喷射所述第一处理液的液滴，第二工序，在进行所述第一工序之后，使第二处理液和气体进行混合来生成所述第二处理液的液滴，朝向所述多孔膜喷射所述第二处理液的液滴，所述第二处理液为挥发性高于所述第一处理液的挥发性的有机溶剂。第二方式的基板处理方法，在第一方式的基板处理方法中，所述第一处理液为纯水。第三方式的基板处理方法，在第一方式的基板处理方法中，所述第二处理液为异丙醇。第四方式的基板处理方法，在第一至第三中任一方式的基板处理方法中，在所述第一工序中，一边使所述第一处理液的液滴的着落位置移动，一边朝向所述多孔膜喷射所述第一处理液的液滴。第五方式的基板处理方法，在第一至第三中任一方式的基板处理方法中，在所述第二工序中，一边使所述第二处理液的液滴的着落位置移动，一边朝向所述多孔膜喷射所述第二处理液的液滴。第六方式为基板处理装置，对在表层形成有多孔膜的基板进行处理，该多孔膜具有多孔结构，具有：保持部，保持基板，双流体喷嘴，使处理液和气体进行混合来生成所述处理液的液滴，并喷射所述液滴，控制部，使所述双流体喷嘴生成含有水的第一处理液的液滴，并使所述双流体喷嘴朝向所述多孔膜喷射所述第一处理液的液滴，然后，使所述双流体喷嘴生成第二处理液的液滴，并使所述双流体喷嘴朝向所述多孔膜喷射所述第二处理液的液滴，所述第二处理液为挥发性高于所述第一处理液的挥发性的有机溶剂。根据第一至第六方式，首先，通过含有水的第一处理液的液滴有效地除去在基板上附着的异物。此时，进入多孔膜的多孔内的第一处理液在下一工序中置换为第二处理液，从多孔内除去。因此，不会因含有水的第一处理液残留在多孔内而对基板带来损伤。另外，多孔内的第二处理液迅速地挥发，因此第二处理液也不会对基板带来损伤。这样，根据第一至第六方式，能够一边抑制损伤一边充分清洗表层上形成有多孔膜的基板。尤其，根据第四方式，第一处理液的液滴的着落位置移动，因此能够使第一处理液的液滴与基板的上表面内的大的范围发生碰撞。由此，尤其能够充分清洗基板的上表面内。尤其，根据第五方式，第二处理液的液滴的着落位置移动，因此能够使第二处理液的液滴与基板的上表面内的大的范围发生碰撞。由此，尤其能够充分抑制基板的上表面内产生损伤。附图说明图1是基板处理装置的示意性的侧视图。图2是双流体喷嘴的示意性的侧剖视图。图3是示出基板处理装置的电结构的框图。图4是示意性地示出成为处理对象的基板的表层附近的情况的剖视图。图5是用于说明通过基板处理装置进行的处理的一例的图。图6是用于说明第一液滴处理的图。图7是用于说明第二液滴处理的图。图8是示出纯水以及IPA各自的随着氮气流量增加而产生的异物除去率的变动方式的图。图9是示出纯水以及IPA各自的随着氮气流量增加而产生的介电常数的变动方式的图。其中，附图标记说明如下：1：旋转卡盘11：旋转基座2：飞溅防止部21：罩部3：液滴供给部31：双流体喷嘴32：处理液供给部321：第一处理液供给源322：第二处理液供给源324：第一阀325：第二阀33：气体供给部331：气体供给源333：气体阀37：喷嘴驱动部4：控制部9：基板90：多孔膜100：基板处理装置具体实施方式下面，一边参照附图，一边对实施方式进行说明。下面的实施方式为使本专利技术实现具体化的一例，并不是限定本专利技术的技术范围的事例。另外，在下面参照的各图中，为了容易理解，有时夸大或简化各部的尺寸或数量来图示。＜1.基板处理装置100的结构＞基板处理装置100为逐张地处理例如半导体晶片等圆板状基板9的单张式的基板处理装置。一边参照图1，一边对于基板处理装置100的结构进行说明。图1是基板处理装置100的示意性的侧视图。基板处理装置100具有旋转卡盘1、飞溅防止部2、液滴供给部3、控制部4。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，对在表层形成有多孔膜的基板进行处理，该多孔膜具有多孔结构，其特征在于，包括：第一工序，使含有水的第一处理液和气体进行混合来生成所述第一处理液的液滴，朝向所述多孔膜喷射所述第一处理液的液滴，第二工序，在进行所述第一工序之后，使第二处理液和气体进行混合来生成所述第二处理液的液滴，朝向所述多孔膜喷射所述第二处理液的液滴，所述第二处理液为挥发性高于所述第一处理液的挥发性的有机溶剂。

【技术特征摘要】
2014.01.15 JP 2014-0049741.一种基板处理方法，对在表层形成有多孔膜的基板进行处理，该多
孔膜具有多孔结构，其特征在于，
包括：
第一工序，使含有水的第一处理液和气体进行混合来生成所述第一处理
液的液滴，朝向所述多孔膜喷射所述第一处理液的液滴，
第二工序，在进行所述第一工序之后，使第二处理液和气体进行混合来
生成所述第二处理液的液滴，朝向所述多孔膜喷射所述第二处理液的液滴，
所述第二处理液为挥发性高于所述第一处理液的挥发性的有机溶剂。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一处理
液为纯水。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第二处理
液为异丙醇。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在在所述第一工序中，
一边使所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林健司，
申请(专利权)人：斯克林集团公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP