一种VDMOS器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种VDMOS器件及其制造方法，所述VDMOS器件包括外延层和形成在外延层上的栅极氧化层和场氧化层，所述场氧化层表面形成有多晶硅层，还包括源区接触孔和栅极接触孔，所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置，所述栅极接触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内。本发明专利技术通过优化VDMOS的栅极接触孔的开孔位置，将其移到场氧化层处，这样在刻蚀栅极接触孔时，对多晶层的刻蚀，就不会对其下方的栅氧化层造成损伤，从而提高栅源之间的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体芯片制造工艺
，特别是涉及一种VDMOS器件及其制造方法。
技术介绍
VDMOS（垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件）兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。对于VDMOS器件，栅电极的引出，常规做法是，在栅极多晶硅的部分区域，开出接触孔，连接金属层。由于在制作接触孔时，源区的接触孔有时需要刻蚀出硅孔，个别情况下，硅孔内要注入P型杂质，来提高器件的抗雪崩击穿能力。此时，栅极区域的多晶硅层也会被刻蚀掉一些，以注入P型杂质。为了节省工艺，源区接触孔和栅极接触孔通过同一刻蚀工艺形成，所以才会出现深度一致，导致栅极接触孔刻蚀掉多晶硅。此时，栅极接触孔对应位置的多晶硅下面的栅氧化层就会受到离子损伤，当栅源之间加压时，此处的栅氧化层很容易击穿，造成栅源之间的漏电。
技术实现思路
为了解决现有的VDMOS器件在栅源之间加压时，容易造成栅氧化层击穿，造成栅源之间的漏电，本专利技术提供了一种VDMOS器件及其制造方法。本专利技术采用的技术方案是：一种VDMOS器件，包括外延层和形成在外延层上的栅极氧化层和场氧化层，所述场氧化层表面形成有多晶硅层，还包括源区接触孔和栅极接触孔，所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置，所述栅极接触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内。本专利技术还提供了一种VDMOS器件的制造方法，包括：形成一外延层，并在所述外延层上形成栅极氧化层和场氧化层，以及在所述场氧化层表面形成有多晶硅层；形成源区接触孔和栅极接触孔，所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置，所述栅极接触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内。本专利技术通过优化VDMOS的栅极接触孔的开孔位置，将其移到场氧化层处，这样在刻蚀栅极接触孔时，对多晶层的刻蚀，就不会对其下方的栅氧化层造成损伤，从而提高栅源之间的击穿电压。附图说明图1为本专利技术一种实施例的VDMOS器件的制造方法的流程图；图2-11为本专利技术制造VDMOS器件的各个状态示意图。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。后面的描述中，为了方便说明，放大或者缩小了不同层和区域的尺寸，所以图示大小并不完全代表实际尺寸，也不反映尺寸的比例关系。如图1所示，为本专利技术一种实施例的VDMOS器件的制造方法的流程图，包括：步骤S101：形成一外延层，并在所述外延层上形成栅极氧化层和场氧化层，以及在所述场氧化层表面形成有多晶硅层；步骤S102：形成源区接触孔和栅极接触孔，所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置，所述栅极接触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内。本专利技术通过优化VDMOS的栅极接触孔的开孔位置，将其移到场氧化层处，这样在刻蚀栅极接触孔时，对多晶层的刻蚀，就不会对其下方的栅氧化层造成损伤，从而提高栅源之间的击穿电压。以下结合VDMOS器件的制造过程对其进行详细描述：如图2所示，为本专利技术制造VDMOS器件的第一状态示意图，该状态包括：形成衬底101、外延层102和场氧化层103，在衬底101上形成外延层102，在外延层102上进行场氧化层103的生长以及刻蚀。其中，场氧化层厚度为0.8～1.5um，生长温度为1000-1100℃。如图3所示，为本专利技术制造VDMOS器件的第二状态示意图，该状态是在前一状态中注入分压环104，外延层在位于场氧化层的两侧注入分压环104，注入的剂量在1.0E15个/cm2，能量约100KeV，注入离子为B+。如图4所示，为本专利技术制造VDMOS器件的第三状态示意图，该状态是在前一状态中进行沟槽的刻蚀，在外延层中通过构图工艺形成沟槽105图案，沟槽深度约为1-3.0um。宽度约为0.3～0.6um。如图5所示，为本专利技术制造VDMOS器件的第四状态示意图，该状态是在前一状态中进行栅极氧化层的生长。在沟槽侧壁以及外延层表面形成栅极氧化层106。形成的栅极氧化层厚度为0.05～0.20um，生长的温度为1000-1100℃。如图6所示，为本专利技术制造VDMOS器件的第五状态示意图，该状态是在前一状态中形成多晶硅层，在栅极氧化层、场氧化层表面形成多晶硅层107，在炉管中生长温度为550～700℃左右，厚度约为0.6-1.5um。形成多晶硅层之后，进行光刻、刻蚀，在沟槽中以及场氧化层表面形成多晶硅层保留区。如图7所示，为本专利技术制造VDMOS器件的第六状态示意图，该状态是在前一状态中形成源区108，将外延层的体区注入离子磷，剂量在1E15个/cm2，以形成N+源区。如图8所示，为本专利技术制造VDMOS器件的第七状态示意图，该状态是在前一状态中形成介质层109和接触孔。介质层由化学气相淀积的方式生长，介质层结构为“不掺杂的二氧化硅＋掺磷的二氧化硅”，总厚度为0.5-1.5um。形成的接触孔包括源区接触孔110和栅极接触孔111，所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置，所述栅极接触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内。所述栅极接触孔贯穿所述介质层并伸入到多晶硅层中，所述源区接触孔形成在源区，并贯穿所述介质层和栅极氧化层后伸入到外延层中。优选地，源区接触孔和栅极接触孔利用同一刻蚀工艺形成，从而节省了操作步骤。由于栅极接触孔111的开口与场氧化层相对设置，此时，对位于场氧化层表面的多晶层进行刻蚀，就不会对其下方的栅氧化层造成损伤，从而提高栅源之间的击穿电压。如图9所示，为本专利技术制造VDMOS器件的第八状态示意图，该状态是在前一状态中的接触孔内注入P型离子112，以防止雪崩。该实施例注入的离子为二氟化硼，剂量在5E14个/cm2，能量在80KeV左右。如图10所示，为本专利技术制造VDMOS器件的第九状态示意图，该状态是在前一状态中的接触孔中沉积金属层113，源区接触孔110和栅极接触孔111通过沉积的金属层进行连接。该实施例沉积的金属层为Al（98.5％）、Si（1.0％）、Cu（0.5%）合金。如图11所示，为本专利技术制造VDMOS器件的第十状态示意图，该状态是在衬底的另一侧形成背面金属层114，该实施例的背面金属层的组成为，依次生长Ti－0.1um，Ni－0.2um，Ag－1.0um。该状态还对精品进行减薄操作，晶片减薄到200～300um。再次参阅图11，为本专利技术一种实施例的VDMOS器件的结构示意图，该VDMOS器件包括外延层102和形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种VDMOS器件，包括外延层和形成在外延层上的栅极氧化层和场氧化层，所述场氧化层表面形成有多晶硅层，其特征在于，还包括源区接触孔和栅极接触孔，所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置，所述栅极接触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内。

【技术特征摘要】
1.一种VDMOS器件，包括外延层和形成在外延层上的栅极氧化层和场
氧化层，所述场氧化层表面形成有多晶硅层，其特征在于，还包括源区接触孔
和栅极接触孔，所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置，所述栅极接
触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内。
2.根据权利要求1所述的VDMOS器件，其特征在于，所述源区接触孔
和栅极接触孔通过同一刻蚀工艺形成。
3.根据权利要求1所述的VDMOS器件，其特征在于，所述栅极氧化层
表面形成有介质层，所述栅极接触孔贯穿所述介质层并伸入到多晶硅层中。
4.根据权利要求3所述的VDMOS器件，其特征在于，所述源区接触孔
形成在源区，并贯穿所述介质层和栅极氧化层后伸入到外延层中。
5.根据权利要求1-4任何一项所述的VDMOS器件，其特征在于，所述
外延层在位于场氧化层的两侧形成有分压环。
6.根据权利要求1-4任何一项所述的VDMOS器件，其特征在于，所述
外延...

【专利技术属性】
技术研发人员：马万里，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11