本发明专利技术属于一种低翘曲度电解铜箔的生产工艺，包括溶铜制液和电解生箔步骤，溶铜制液步骤所得硫酸铜电解液中Cu2+ 浓度70g/L-95g/L、H2SO4浓度90g/L-120g/L、羟乙基纤维素3g/L-30g/L、明胶2g/L-35g/L、添加剂A 5g/L-35g/L 、添加剂B 1g/L-20g/L；电解生箔步骤的工艺条件为温度为45-55℃，电流密度为45-70A/dm2；添加剂A为聚乙二醇、聚二硫二丙烷磺酸钠、硫脲中的一种或几种；添加剂B为酰胺、HCl、糖精钠中的一种或几种。采用本发明专利技术能有效降低目前高精电解铜箔生产过程中产生的应力，从而对翘曲度影响铜箔性能的问题解决有重要意义。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电解铜箔生产工艺
，具体涉及一种低翘曲度电解铜箔的生产工艺。
技术介绍
随着现代电子工业的高速发展，具有良好稳定性的高品质电解铜箔材料显得愈发重要。目前，在电解铜箔的生产过程中，由于添加剂的配置、阴极辊表面质量、铜箔在阴极辊上剥离的应力及表面处理过程中的夹杂物等因素，铜箔的翘曲问题是很多生产厂家面临的问题。这一问题对于覆铜板及印刷电路板的制作性能及生产效率产生很大影响。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足，提供一种低翘曲度电解铜箔的生产工艺。为实施上述目的，本专利技术采用的技术方案是，一种低翘曲度电解铜箔的生产工艺，包括溶铜制液和电解生箔步骤，溶铜制液步骤所得硫酸铜电解液中Cu2+浓度70g/L-95g/L、H2SO4浓度 90g/L-120g/L、羟乙基纤维素 3g/L_30g/L、明胶 2g/L_35g/L、添加剂 A 5g/L-35g/L、添加剂B lg/L-20g/L ;电解生箔步骤的工艺条件为温度为45_55°C，电流密度为45-70A/dm2;添加剂A为聚乙二醇、聚二硫二丙烷磺酸钠、硫脲中的任一种或几种；添加剂B为酰胺、HCl、糖精钠中的任一种或几种。优选的，所述明胶的分子量为20000 - 30000。优选的，所述酰胺为乙酰胺。本专利技术产生的有益效果是，通过采用本专利技术低翘曲度电解铜箔的生产工艺中的添加剂及操作工艺，能有效降低目前高精电解铜箔生产过程中产生的应力，从而对翘曲度影响铜箔性能的问题解决有重要意义，具有良好的前景和应用价值。【具体实施方式】下面结合具体实施例对本专利技术作进一步说明，但本专利技术的保护范围不限于此，以下实施例中所有明胶的分子量为20000 - 30000。实施例1 一种低翘曲度电解铜箔的生产工艺，包括溶铜制液和电解生箔步骤，溶铜制液步骤所得硫酸铜电解液中Cu2+浓度85g/L、％504浓度105g/L、羟乙基纤维素15g/L、明胶20g/L、聚二硫二丙烷磺酸钠20g/L、HC1 10g/L;电解生箔步骤的工艺条件为温度为50°C，电流密度为 60A/dm2。本实施例制备的厚度为12μπι的电解铜箔，选取200mmX200mm试样，测试四角翘曲高度最大值为9mm。实施例2 一种低翘曲度电解铜箔的生产工艺，包括溶铜制液和电解生箔步骤，溶铜制液步骤所得硫酸铜电解液中Cu2+浓度70g/L、H2S04浓度90g/L、羟乙基纤维素3g/L、明胶2g/L、聚乙二醇-4000 5g/L、乙酰胺lg/L ；电解生箔步骤的工艺条件为温度为45°C，电流密度为45A/dm2 ο本实施例制备的厚度为12μπι的电解铜箔，选取200mmX200mm试样，测试四角翘曲高度最大值为8mm。实施例3 一种低翘曲度电解铜箔的生产工艺，包括溶铜制液和电解生箔步骤，溶铜制液步骤所得硫酸铜电解液中Cu2+浓度958/1、4504浓度120g/L、羟乙基纤维素30g/L、明胶35g/L、硫脲35g/L、糖精钠20g/L;电解生箔步骤的工艺条件为温度为55°C，电流密度为70A/dm2。本实施例制备的厚度为12μπι的电解铜箔，选取200mmX200mm试样，测试四角翘曲高度最大值为3mm。【主权项】1.一种低翘曲度电解铜箔的生产工艺，包括溶铜制液和电解生箔步骤，其特征在于:溶铜制液步骤所得硫酸铜电解液中Cu2+浓度70g/L-95g/L、H2SO4浓度90g/L_120g/L、羟乙基纤维素 3g/L-30g/L、明胶 2g/L-35g/L、添加剂 A 5g/L_35g/L、添加剂 B lg/L_20g/L;电解生箔步骤的工艺条件为温度为45-55°C，电流密度为45-70A/dm2;添加剂A为聚乙二醇、聚二硫二丙烷磺酸钠、硫脲中的任一种或几种；添加剂B为酰胺、HC1、糖精钠中的任一种或几种。2.如权利要求1所述的低翘曲度电解铜箔的生产工艺，其特征在于，所述明胶的分子量为 20000 — 30000。3.如权利要求1所述的低翘曲度电解铜箔的生产工艺，其特征在于，所述酰胺为乙酰胺。【专利摘要】本专利技术属于一种低翘曲度电解铜箔的生产工艺，包括溶铜制液和电解生箔步骤，溶铜制液步骤所得硫酸铜电解液中Cu2+ 浓度70g/L-95g/L、H2SO4浓度90g/L-120g/L、羟乙基纤维素3g/L-30g/L、明胶2g/L-35g/L、添加剂A 5g/L-35g/L 、添加剂B 1g/L-20g/L；电解生箔步骤的工艺条件为温度为45-55℃，电流密度为45-70A/dm2；添加剂A为聚乙二醇、聚二硫二丙烷磺酸钠、硫脲中的一种或几种；添加剂B为酰胺、HCl、糖精钠中的一种或几种。采用本专利技术能有效降低目前高精电解铜箔生产过程中产生的应力，从而对翘曲度影响铜箔性能的问题解决有重要意义。【IPC分类】C25D1-04, C25D3-38【公开号】CN104762642【申请号】CN201510148125【专利技术人】樊斌锋, 王建智, 张欣, 柴云, 韩树华, 姚于希, 何铁帅 【申请人】灵宝华鑫铜箔有限责任公司【公开日】2015年7月8日【申请日】2015年3月31日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低翘曲度电解铜箔的生产工艺，包括溶铜制液和电解生箔步骤，其特征在于：溶铜制液步骤所得硫酸铜电解液中Cu2+ 浓度70g/L‑95g/L、H2SO4浓度90g/L‑120g/L、羟乙基纤维素3g/L‑30g/L、明胶2g/L‑35g/L 、添加剂A 5g/L‑35g/L 、添加剂B 1g/L‑20g/L；电解生箔步骤的工艺条件为温度为45‑55℃，电流密度为45‑70A/dm2；添加剂A为聚乙二醇、聚二硫二丙烷磺酸钠、硫脲中的任一种或几种；添加剂B为酰胺、HCl、糖精钠中的任一种或几种。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：樊斌锋，王建智，张欣，柴云，韩树华，姚于希，何铁帅，
申请(专利权)人：灵宝华鑫铜箔有限责任公司，
类型：发明
国别省市：河南;41
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