附载体铜箔制造技术

本发明专利技术提供一种适于形成窄间距的附载体铜箔。该附载体铜箔具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层上的极薄铜层，极薄铜层经粗化处理，极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.6μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】附载体铜箔
本专利技术涉及一种附载体铜箔。更详细而言，本专利技术涉及一种用作印刷配线板的材料的附载体铜箔。
技术介绍
印刷配线板通常经过下述步骤而制造：在使绝缘基板与铜箔接着而制成覆铜积层板之后，通过蚀刻而在铜箔面形成导体图案。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大而推展搭载零件的高密度构装化或信号的高频化，从而对印刷配线板要求有导体图案的微细化(窄间距化)或高频应对等。与窄间距化相对应，近来要求厚度在9μm以下、甚至是厚度在5μm以下的铜箔，然而，这种极薄的铜箔其机械强度低，在印刷配线板的制造时易破裂或产生皱折，因此发展出将具有厚度的金属箔用作为载体并隔着剥离层将极薄铜层电沉积于其上而成的附载体铜箔。在将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板并进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。在所露出的极薄铜层上通过抗蚀剂而形成电路图案后，利用硫酸-过氧化氢系蚀刻液来蚀刻去除极薄铜层，通过此手法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process)来形成微细电路。此处，对于成为与树脂的接着面的附载体铜箔的极薄铜层的表面主要要求极薄铜层与树脂基材的剥离强度充足，且此剥离强度在高温加热、湿式处理、焊接、化学药剂处理等之后亦保持为充足。提高极薄铜层与树脂基材间的剥离强度的方法，一般而言是以下述方法为代表：使大量的粗化粒子附着于表面的轮廓(凹凸、粗糙)增大后的极薄铜层上。然而，即便是在印刷配线板中，若在具有形成特别微细的电路图案的需要的半导体封装基板使用这种轮廓(凹凸、粗糙)大的极薄铜层，则在电路蚀刻时会残留不需要的铜粒子，会产生电路图案间的绝缘不良等问题。因此，在WO2004/005588号(专利文献1)中尝试了使用未在极薄铜层的表面施加粗化处理的附载体铜箔作为以半导体封装基板为首的用于微细电路的附载体铜箔。由于其低轮廓(凹凸、粗糙度、粗糙)的影响，这种未施加粗化处理的极薄铜层与树脂的密合性(剥离强度)与一般的印刷配线板用铜箔相比有降低的倾向。因此，必须进一步改善附载体铜箔。因此，在日本特开2007-007937号公报(专利文献2)及日本特开2010-006071号公报(专利文献3)中记载有在附载体极薄铜箔的与聚酰亚胺系树脂基板接触(接着)的面设置Ni层或/及Ni合金层、设置铬酸盐层、设置Cr层或/及Cr合金层、设置Ni层及铬酸盐层、设置Ni层及Cr层。通过设置该等表面处理层，聚酰亚胺系树脂基板与附载体极薄铜箔的密合强度可不经粗化处理或是降低粗化处理的程度(微细化)即可得到所需的接着强度。此外，亦记载有利用硅烷偶合剂来进行表面处理或施加防锈处理。[专利文献1]WO2004/005588号[专利文献2]日本特开2007-007937号公报[专利文献3]日本特开2010-006071号公报
技术实现思路
在附载体铜箔的开发中，至今为止确保极薄铜层与树脂基材的剥离强度被视为重点。因此，仍未对窄间距化进行充分探讨，其仍有改善的空间。故，本专利技术的目的在于提供一种适于形成窄间距的附载体铜箔。具体而言，本专利技术的目的在于提供一种附载体铜箔，其可形成比至今为止被认为是利用MSAP而可形成的极限的L/S＝20μm/20μm更加微细的配线。为了达成上述目的，本申请专利技术人等重复进行潜心研究，结果发现，通过使极薄铜层表面低粗糙度化并于极薄铜层形成微细粗化粒子，可形成均匀且低粗糙度的粗化处理面。而且发现，该附载体铜箔对于窄间距形成极有效果。本专利技术是基于上述见解而完成者，在一方面中，是一种附载体铜箔，其具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层上的极薄铜层，极薄铜层经粗化处理，极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.6μm以下。本专利技术在另一方面中，是一种附载体铜箔，其具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层上的极薄铜层，极薄铜层经粗化处理，极薄铜层表面的Ra以非接触式粗糙度计进行测定为0.3μm以下。本专利技术在再一方面中，是一种附载体铜箔，其具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层上的极薄铜层，极薄铜层系经粗化处理，极薄铜层表面的Rt以非接触式粗糙度计进行测定为2.3μm以下。在本专利技术的附载体铜箔的一实施方案中，极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.4μm以下。在本专利技术的附载体铜箔的另一实施方案中，极薄铜层表面的Ra以非接触式粗糙度计进行测定为0.25μm以下。在本专利技术的附载体铜箔的再另一实施方案中，极薄铜层表面的Rt以非接触式粗糙度计进行测定为1.8μm以下。在本专利技术的附载体铜箔的再另一实施方案中，极薄铜层表面其Ssk为-0.3～0.3。在本专利技术的附载体铜箔的再另一实施方案中，极薄铜层表面其Sku为2.7～3.3。在本专利技术的附载体铜箔的再另一实施方案中，是一种附载体铜箔，其具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层上的极薄铜层，极薄铜层经粗化处理，极薄铜层表面的表面积比为1.05～1.5。在本专利技术的附载体铜箔的再另一实施方案中，极薄铜层表面的表面积比为1.05～1.5。在本专利技术的附载体铜箔的再另一实施方案中，极薄铜层表面的每66524μm2面积的体积为300000μm3以上。本专利技术在再另一方面中，是一种覆铜积层板，其是使用本专利技术的附载体铜箔制造而成者。本专利技术在再另一方面中，是一种印刷配线板，其是使用本专利技术的附载体铜箔制造而成者。本专利技术在再另一方面中，是一种印刷电路板，其是使用附载体铜箔制造而成者。本专利技术于再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含下述步骤：准备本专利技术的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；及在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进改进半加成法(ModifiedSemiAdditive)中的任一方法形成电路的步骤。本专利技术的附载体铜箔适于窄间距形成，例如可形成比被认为是利用MSAP步骤而可形成的极限的L/S＝20μm/20μm更加微细的配线，例如L/S＝15μm/15μm的微细配线。附图说明图1：实施例1及实施例2中的极薄铜层M面的SEM照片。图2：A～C是使用了本专利技术的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体实施例的自电路镀敷-至去除光阻剂为止的步骤中的配线板剖面的示意图。图3：D～F是使用了本专利技术的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体实施例的自积层树脂及第2层附载体铜箔至雷射开孔为止的步骤中的配线板剖面的示意图。图4：G～I是使用了本专利技术的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体实施例的自形成通孔填充物至剥离第1层载体为止的步骤中的配线板剖面的示意图。图5：J～K是使用了本专利技术的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体实施例的自快速蚀刻至形成凸块-铜柱为止的步骤中的配线板剖面的示意图。具体实施方式＜1.载体＞使用铜箔作为可用于本专利技术的载体。典型而言，载体是以压延铜箔或电解铜箔的形式提供。通常，电解铜箔系使铜自硫酸铜镀浴电解析出在钛或不锈钢的转筒上而制造，压延铜箔系重复进行利用压延辊的塑性加工及热处理而制造。作为铜箔的材料，除了精铜或无氧铜等高纯度的铜以外，亦可使用例如掺Sn铜、掺Ag铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种附载体铜箔，其具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层上的极薄铜层，极薄铜层经粗化处理，极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.6μm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.09.11 JP 2012-200017;2012.09.12 JP 2012-200971.一种附载体铜箔，其具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层上的极薄铜层，极薄铜层经粗化处理，经粗化处理的极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.6μm以下，经粗化处理的极薄铜层表面的Sku为2.8～3.3。2.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.3μm以下。3.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.10μm以下。4.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Ra以非接触式粗糙度计进行测定为0.25μm以下。5.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Ra以非接触式粗糙度计进行测定为0.20μm以下。6.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Ra以非接触式粗糙度计进行测定为0.16μm以下。7.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rt以非接触式粗糙度计进行测定为1.8μm以下。8.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rt以非接触式粗糙度计进行测定为1.5μm以下。9.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rt以非接触式粗糙度计进行测定为1.35μm以下。10.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面其Ssk为-0.058～0.3。11.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的表面积比为1.05～1.5，其中，所谓表面积比，是利用雷射显微镜测定面积及实际面积时的实际面积/面积的值；面积是指测定基准面积，实际面积是指测定基准面积中的表面积。12.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的每66524μm2面积的利用雷射显微镜测定的体积为300000μm3以上。13.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的每66524μm2面积的利用雷射显微镜测定的体积为350000μm3以上。14.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.5μm以下。15.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.35μm以下。16.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Ra以非接触式粗糙度计进行测定为0.24μm以下。17.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Ra以非接触式粗糙度计进行测定为0.23μm以下。18.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rt以非接触式粗糙度计进行测定为1.2μm以下。19.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面其Ssk为-0.058～0.2。20.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面其Sku为2.9～3.3。21.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面其Sku为3.0～3.3。22.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的表面积比为1.09～1.4，其中，所谓表面积比，是利用雷射显微镜测定面积及实际面积时的实际面积/面积的值；面积是指测定基准面积，实际面积是指测定基准面积中的表面积。23.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的表面积比为1.1～1.3，其中，所谓表面积比，是利用雷射显微镜测定面积及实际面积时的实际面积/面积的值；面积是指测定基准面积，实际面积是指测定基准面积中的表面积。24.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其满足2个以上之下述(A)～(G)：(A)是从下述规定所组成的群选出的1个规定·极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.5μm以下·极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.35μm以下·极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.3μm以下·极薄铜层表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：古曳伦也，永浦友太，坂口和彦，千叶徹，
申请(专利权)人：JX日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP