发光器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种发光器件及其制造方法。所述器件包括LED芯片，其具有第一主表面、与第一主表面相对的第二主表面以及在第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面。反射侧层包围LED芯片的一个或多个侧表面。反射侧层具有沿着第一方向延伸的第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面以及沿着基本垂直于所述第一方向的第二方向在第一主表面与第二主表面之间延伸的开口。所述开口包围所述芯片。磷光体膜覆盖在芯片的第一主表面和反射侧层的第一主表面上。至少一个电极设置在芯片的第二主表面上。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及白色LED器件及其制造方法。
技术介绍
白色LED器件由于长寿命和低功耗而用于各种照明设备中。具体地说，对产生白光的白色LED器件的需求在增加。
技术实现思路
本公开的实施例包括具有更高的发光效率和更长的寿命的各种白色LED器件及其制造方法。本公开的实施例提供了一种发光器件。所述发光器件包括LED芯片，其具有第一主表面、与第一主表面相对的第二主表面以及在第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面。反射侧层包围LED芯片的一个或多个侧表面。反射侧层具有沿着第一方向延伸的第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面以及沿着基本垂直于所述第一方向的第二方向在第一主表面与第二主表面之间延伸的开口。所述开口包围所述LED芯片。磷光体膜覆盖在LED芯片的第一主表面和反射侧层的第一主表面上。至少一个电极设置在LED芯片的第二主表面上。在发光器件的特定实施例中，反射侧层可具有沿着第二方向在反射侧层的第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个外侧表面。磷光体膜可具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面以及在磷光体膜的第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面。反射侧层的外侧表面和磷光体膜的侧表面可沿着所述第二方向基本对齐。在特定实施例中，所述发光器件还可包括在磷光体膜与LED芯片之间的缓冲层。缓冲层可沿着LED芯片的侧表面延伸。在特定实施例中，所述发光器件还可包括缓冲层。缓冲层的外侧表面可沿着所述第二方向与反射侧层的外侧表面和磷光体膜的侧表面基本对齐。在发光器件的特定实施例中，磷光体膜包括第一磷光体膜层和第二磷光体膜层，所述第一磷光体膜层包括第一磷光体材料，所述第二磷光体膜层包括第二磷光体材料，其中，第二磷光体材料与第一磷光体材料不同。在本公开的另一实施例中，提供了一种发光器件，该发光器件包括LED芯片，其具有第一主表面、与第一主表面相对的第二主表面以及在第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面。反射侧层包围LED芯片的一个或多个侧表面，其中，反射侧层具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。磷光体膜覆盖在LED芯片的第一主表面和反射侧层的第一主表面上。至少一个电极设置在LED芯片的第二主表面上。LED芯片的第二主表面和反射侧层的第二主表面基本共面。在发光器件的特定实施例中，磷光体膜可包括第一磷光体膜层和第二磷光体膜层，所述第一磷光体膜层包括第一磷光体材料，所述第二磷光体膜层包括第二磷光体材料，其中，第二磷光体材料与第一磷光体材料不同。在本公开的另一实施例中，提供了一种发光器件，该发光器件包括LED芯片，其具有第一主表面、与第一主表面相对的第二主表面和在第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面。磷光体侧层包围LED芯片的一个或多个侧表面，其中，磷光体侧层具有沿着第一方向延伸的第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。磷光体膜覆盖在LED芯片的第一主表面和磷光体侧层的第一主表面上，其中，磷光体膜具有沿着第一方向延伸的第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。至少一个电极设置在LED芯片的第二主表面上。磷光体膜和磷光体侧层彼此不同。在发光器件的特定实施例中，磷光体膜和磷光体侧层具有不同的磷光体材料浓度。磷光体侧层的磷光体材料浓度可小于磷光体膜的磷光体材料浓度。磷光体侧层的磷光体材料浓度可为磷光体膜的磷光体材料浓度的约35-50%。在发光器件的特定实施例中，磷光体侧层包括第一磷光体材料，并且磷光体膜包括第二磷光体材料，其中，第二磷光体材料与第一磷光体材料不同。在发光器件的特定实施例中，磷光体侧层可具有沿着基本垂直于第一方向的第二方向在磷光体侧层的第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个外侧表面，并且磷光体膜具有沿着第二方向在磷光体膜的第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面。所述发光器件还可包括在磷光体膜与磷光体侧层之间的缓冲层，其中，缓冲层的侧表面沿着所述第二方向与磷光体侧层的外侧表面和磷光体膜的侧表面基本对齐。在特定实施例中，所述发光器件还可包括在磷光体膜与磷光体侧层之间的缓冲层。缓冲层可沿着LED芯片的侧表面延伸。在发光器件的特定实施例中，磷光体膜可包括第一磷光体膜层和第二磷光体膜层，第一磷光体膜层包括第一磷光体材料，第二磷光体膜层包括第二磷光体材料，其中，第二磷光体材料与第一磷光体材料不同。在本公开的另一实施例中，提供了一种制造发光器件的方法，该方法包括步骤:形成磷光体膜并将多个LED芯片附着至磷光体膜上。各个LED芯片具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。LED芯片的第一主表面附着至磷光体膜，并且各个LED芯片彼此间隔开。在附着LED芯片之后，将磷光体膜固化。反射材料沉积在间隔开的各个LED芯片之间以形成反射侧层。执行单分处理以形成多个分离的LED器件。在所述方法的特定实施例中，LED芯片的第二主表面和反射侧层的主表面可基本共面。在所述方法的特定实施例中，反射侧层可具有沿着第一方向延伸的第一主表面和相对的第二主表面以及沿着基本垂直于所述第一方向的第二方向在反射侧层的第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个外侧表面。磷光体膜可具有沿着所述第一方向延伸的第一主表面和相对的第二主表面以及沿着所述第二方向在磷光体膜的第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面。反射侧层的外侧表面和磷光体膜的侧表面可沿着所述第二方向基本对齐。在所述方法的特定实施例中，固化所述磷光体膜的步骤可包括:在沉积反射材料之前部分地固化；以及在沉积反射材料之后进一步固化。在特定实施例中，所述方法还可包括在磷光体膜和LED芯片之间形成缓冲层。缓冲层可沿着LED芯片的侧表面延伸。可通过将缓冲材料喷射至磷光体膜上或者将缓冲材料压印在磷光体膜上来将缓冲层施加于磷光体膜。可在部分地固化磷光体膜之后形成缓冲层O在特定实施例中，所述方法还可包括在磷光体膜与LED芯片之间形成缓冲层，其中，缓冲层的侧表面沿着所述第二方向与反射侧层的外侧表面和磷光体膜的侧表面基本对齐。在所述方法的特定实施例中，形成磷光体膜的步骤可包括:形成包括第一磷光体材料的第一磷光体膜层和形成包括第二磷光体材料的第二磷光体膜层，其中，第二磷光体材料与第一磷光体材料不同。在所述方法的特定实施例中，可通过加热磷光体膜来将磷光体膜固化。在特定实施例中，所述方法还可包括在形成磷光体膜之前形成剥离层。可利用刮刀或辊子将磷光体膜涂覆于剥离层。在本公开的另一实施例中，提供了一种制造发光器件的方法，包括步骤:形成磷光体膜并将多个LED芯片附着至磷光体膜上。各个LED芯片具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面，其中，LED芯片的第一主表面附着至磷光体膜，并且各个LED芯片彼此间隔开。在附着LED芯片之后，将磷光体膜固化。在间隔开的各个LED芯片之间沉积磷光体材料以形成磷光体侧层。执行单分处理以形成多个分离的LED器件。在所述方法的特定实施例中，磷光体膜和磷光体侧层可彼此不同。磷光体膜和磷光体侧层可具有不同的磷光体材料浓度，并且磷光体侧层的磷光体材料浓度可小于磷光体膜的磷光体材料浓度。磷光体侧层的磷光体材料浓度可为磷光体膜的磷光体材料浓度的约35-50%。在所述方法的特定实施例中，LED芯片的第二主表面和磷光体侧层的主本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：LED芯片，其具有第一主表面、与第一主表面相对的第二主表面以及在第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面；反射侧层，其包围所述LED芯片的一个或多个侧表面，其中，所述反射侧层具有沿着第一方向延伸的第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面以及沿着实质上垂直于所述第一方向的第二方向在第一主表面与第二主表面之间延伸的开口，其中，所述开口包围所述LED芯片；磷光体膜，其覆盖在所述LED芯片的第一主表面和所述反射侧层的第一主表面上；以及至少一个电极，其设置在所述LED芯片的第二主表面上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：玉政泰，金旻贞，金贞姬，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR