本发明专利技术涉及一种控制位线泄放电流的装置，包括VOD电源、VBLH电源、开关V1、开关V2、位线阵列、公共位线以及电流源，位线阵列中的每个位线与公共位线连接，公共位线通过开关V1与VOD电源连接，公共位线通过开关V2与VBLH电源连接，电流源产生泄放电流Ib通过公共位线给位线阵列中的充电位线充电，还包括控制器，控制器用于根据位线阵列中充电位线地址，控制电流源产生需要的泄放电流Ib。本发明专利技术解决了现有的控制位线泄放电流的装置中存在不同地址的位线使用同样泄放电流时产生过冲或者到达VBLH时间过长的技术问题，本发明专利技术使用控制器利用位线地址控制泄放电流大小，能够根据需要产生对应的泄放电流，使得位线电压过冲减少。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片领域，尤其是一种控制字线泄放电流的装置。
技术介绍
参见图la、图lb，包括过驱动电压(VOD)电源、字线高电压(VBLH)电源、开关V1、开关V2、字线阵列、公共字线以及电流源，普通的DRAM芯片在激活(ACT)过程开始时，为了字线上的电压值可以快速提高至字线高电压值(VBLH)，需要先将Vl控制的开关打开，使得字线连接到高于VBLH的VOD电源上，待字线电压接近VBLH电压时，再将Vl控制的开关关闭，打开V2控制的开关，使得字线连接到VBLH电源上，并保持电压稳定。在正常情况下，字线连接到VOD电源上的时间可以通过后期调节达到最优，保证字线电压到达至VBLH的时间最短，同时通过字线的泄放电流Ib保证不会使得字线电压过冲。参见图2，不同地址的字线距离VOD和VBLH电源的物理距离不同，图中字线I代表距离最远的单元，字线3代表距离最近的单元，如果采用相同的开关导通时间和相同的泄放电流Ib给不同地址字线充电，电流流经路径上的寄生电阻阻值和寄生电容容值不同，就会使得不同地址的字线使用同样泄放电流时产生过冲或者到达VBLH时间过长。
技术实现思路
为了解决现有的控制字线泄放电流的装置中存在不同地址的字线使用同样泄放电流时产生过冲或者到达VBLH时间过长的技术问题，本专利技术提供一种控制字线泄放电流的装置。本专利技术的技术解决方案是:一种控制字线泄放电流的装置，包括VOD电源、VBLH电源、开关V1、开关V2、字线阵列、公共字线以及电流源，所述字线阵列中的每个字线与公共字线连接，所述公共字线通过开关Vl与VOD电源连接，所述公共字线通过开关V2与VBLH电源连接，所述电流源产生泄放电流Ib通过公共字线给字线阵列中的充电字线充电，其特殊之处在于:还包括控制器，所述控制器用于根据字线阵列中充电字线地址，识别需要的泄放电流大小，控制电流源产生需要的泄放电流lb。上述控制器为译码器，所述电流源包括开关阵列和电阻阵列(R1，R2，……Rn)，所述电阻阵列(R1，R2，……Rn)中每个的电阻的一端均接地，另一端通过开关接入公共字线，所述译码器的输入端接字线阵列中充电字线地址，所述译码器的输出端接开关阵列中每个开关的控制端。上述控制器为DAC，所述电流源为MOS管，所述DAC的输入端接字线阵列中充电字线地址，所述DAC的输出端接MOS管的栅端，所述MOS管的源端接地，所述MOS管的漏端接入公共字线。本专利技术所具有的优点:本专利技术为一种控制字线泄放电流的装置，该装置使用控制器利用字线地址控制泄放电流大小，能够根据需要产生对应的泄放电流，使得字线电压过冲减少，并且达到节省电流的作用。例如:参见图2，在较远的字线I充电时，寄生电阻与电容较大，泄放电流的作用被削弱，更容易产生过冲，那么利用控制器根据此字线的地址，配置较大的泄放电流，使得字线电压过冲减少。同理在较近的字线3充电时，减小泄放电流，可以达到节省电流的作用。【附图说明】图1a是现有字线充电方式的结构示意图；图1b为开关导通时序关系不意图；图2是现有结构原理图；图3是本专利技术的结构原理图；图4是本专利技术实施例一的结构原理图；图5是本专利技术实施例二的结构原理图；具体实施例参见图3，本专利技术是利用充电字线地址，经过控制器内部识别需要的泄放电流大小，再控制电流源产生泄放电流Ib达到要求，同时在不需要较大泄放电流的字线充电时，降低泄放电流，节省字线充电功耗。参见图4，本专利技术的实施例一是采用译码器，开关和电阻阵列实现，泄放电流Ib等于打开的开关下流经电阻的电流之和，例如:R1、R2和R3上方开关打开，其余n-3个开关关闭，Ib等于Ibl、Ib2、Ib3之和。其中译码器是现有单元，可以通过基本逻辑单元搭建很容易的得到。参见图5，本专利技术的实施例二是采用数字模拟转换器DAC，MOS实现。泄放电流Ib与MOS管的栅源级之间的电压绝对值成一定比例，栅源级电压绝对值越大，泄放电流Ib越大。其中数字模拟转换器DAC为现有单元，此实施例中MOS管采用的是NMOS管。【主权项】1.一种控制字线泄放电流的装置，包括VOD电源、VBLH电源、开关V1、开关V2、字线阵列、公共字线以及电流源，所述字线阵列中的每个字线与公共字线连接，所述公共字线通过开关Vl与VOD电源连接，所述公共字线通过开关V2与VBLH电源连接，所述电流源产生泄放电流Ib通过公共字线给字线阵列中的充电字线充电，其特征在于:还包括控制器， 所述控制器用于根据字线阵列中充电字线地址，识别需要的泄放电流大小，控制电流源产生需要的泄放电流lb。2.根据权利要求1所述的控制字线泄放电流的装置，其特征在于:所述控制器为译码器，所述电流源包括开关阵列和电阻阵列(Rl，R2，……Rn)，所述电阻阵列(Rl，R2，……Rn)中每个的电阻的一端均接地，另一端通过开关接入公共字线，所述译码器的输入端接字线阵列中充电字线地址，所述译码器的输出端接开关阵列中每个开关的控制端。3.根据权利要求1所述的控制字线泄放电流的装置，其特征在于:所述控制器为DAC，所述电流源为MOS管，所述DAC的输入端接字线阵列中充电字线地址，所述DAC的输出端接MOS管的栅端，所述MOS管的源端接地，所述MOS管的漏端接入公共字线。【专利摘要】本专利技术涉及一种控制字线泄放电流的装置，包括VOD电源、VBLH电源、开关V1、开关V2、字线阵列、公共字线以及电流源，字线阵列中的每个字线与公共字线连接，公共字线通过开关V1与VOD电源连接，公共字线通过开关V2与VBLH电源连接，电流源产生泄放电流Ib通过公共字线给字线阵列中的充电字线充电，还包括控制器，控制器用于根据字线阵列中充电字线地址，控制电流源产生需要的泄放电流Ib。本专利技术解决了现有的控制字线泄放电流的装置中存在不同地址的字线使用同样泄放电流时产生过冲或者到达VBLH时间过长的技术问题，本专利技术使用控制器利用字线地址控制泄放电流大小，能够根据需要产生对应的泄放电流，使得字线电压过冲减少。【IPC分类】G11C11-4063【公开号】CN104733037【申请号】CN201510141348【专利技术人】梁超 【申请人】西安华芯半导体有限公司【公开日】2015年6月24日【申请日】2015年3月27日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种控制字线泄放电流的装置，包括VOD电源、VBLH电源、开关V1、开关V2、字线阵列、公共字线以及电流源，所述字线阵列中的每个字线与公共字线连接，所述公共字线通过开关V1与VOD电源连接，所述公共字线通过开关V2与VBLH电源连接，所述电流源产生泄放电流Ib通过公共字线给字线阵列中的充电字线充电，其特征在于：还包括控制器，所述控制器用于根据字线阵列中充电字线地址，识别需要的泄放电流大小，控制电流源产生需要的泄放电流Ib。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：梁超，
申请(专利权)人：西安华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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