薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件制备技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置。所述薄膜晶体管的源电极和漏电极位于有源层上，整个有源层位于同一平面内，克服了现有技术中有源层由于爬坡困难导致的易断线问题，而且有源层的厚度均匀，不会出现击穿短路现象，提高了薄膜晶体管的良率。并设置源电极和漏电极为非同层结构，能够灵活调节源电极和漏电极的距离，更易实现窄沟道，提高薄膜晶体管的性能。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及半导体器件制备
，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
结合图1和图2所示，在共面薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)中，源电极3、漏电极4和栅电极1均设置在有源层2的同一侧上。根据栅电极1相对有源层2的位置，共面TFT其分为顶栅型共面TFT(结合图1所示)和底栅型共面TFT(结合图2所示)。薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。当共面TFT用于TFT-LCD中时，对于顶栅型共面TFT，如图1所示，像素电极5通过贯穿钝化层102和栅绝缘层101的过孔与漏电极4电性接触，由于过孔的深度过大，导致爬坡困难，像素电极5容易断线，出现电性接触不良。而如果以跳接的形式实现像素电极5与漏电极4的电性连接时，会增加Mask数量，提高生产成本。而对于底栅型共面TFT，如图2所示，有源层2搭接在源电极3和漏电极4上，形成源电极3和漏电极4的刻蚀工艺导致源漏金属的侧面粗糙，由于有源层2的厚度很薄，当其搭接在源电极3和漏电极4上时，源电极3和漏电极4的侧面粗糙和爬坡问题，导致有源层2容易断线，而且厚度不均匀，在加电过程中容易击穿短路。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管及其制作方法，用以解决共面薄膜晶体管及其应用存在的上述技术问题。本专利技术还通过一种阵列基板及显示装置，通过采用上述的薄膜晶体管，用以提高器件的良率。为解决上述技术问题，本专利技术实施例中提供一种薄膜晶体管，包括：有源层，整个所述有源层位于同一平面内；位于有源层上、与所述有源层接触设置的源电极；位于源电极上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括第一过孔；位于所述第一绝缘层上的漏电极，所述漏电极通过第一过孔与有源层接触。本专利技术实施例中还提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：形成有源层，整个所述有源层位于同一平面内；在所述有源层上形成与所述有源层接触设置的源电极；在所述源电极上形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层中形成第一过孔；在所述第一绝缘层上形成漏电极，所述漏电极通过第一过孔与有源层接触。同时，本专利技术实施例中还提供一种阵列基板，包括：如上所述的薄膜晶体管；覆盖薄膜晶体管的漏电极的第二绝缘层；位于所述第二绝缘层上的像素电极，所述第二绝缘层中具有第三过孔，所述像素电极通过所述第三过孔与薄膜晶体管的漏电极电性接触。本专利技术实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：上述技术方案中，通过设置薄膜晶体管的源电极和漏电极位于有源层上，保证有源层位于同一平面内，克服了现有技术中有源层由于爬坡困难导致的易断线问题，而且有源层的厚度均匀，不会出现击穿短路现象，提高了薄膜晶体管的良率。并设置源电极和漏电极为非同层结构，能够灵活调节源电极和漏电极的距离，更易实现窄沟道，提高薄膜晶体管的性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1表示现有技术中顶栅型共面薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；图2表示现有技术中底栅型共面薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；图3表示本专利技术实施例中共面薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；图4-图9表示本专利技术实施例中共面薄膜晶体管阵列基板的制作过程示意图。具体实施方式本专利技术提供一种薄膜晶体管，其源电极和漏电极位于有源层上，整个有源层位于同一平面内，从而有源层不存在爬坡困难导致的易断线问题，而且有源层的厚度均匀，在工作过程中不易出现击穿短路现象，提高了薄膜晶体管的良率。并设置源电极和漏电极为非同层结构，能够灵活调节源电极和漏电极的距离，更易实现窄沟道，提高薄膜晶体管的性能。对于液晶显示器件，阵列基板上与薄膜晶体管的漏电极电性接触的电极为透明的像素电极，材料可以为铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。对于有机发光二极管(OLED)显示器件，阵列基板上与驱动薄膜晶体管的漏电极电性接触的底电极为OLED的阴极或阳极，其可以为透明导电材料，也可以为不透明导电材料(如：Cu、Al)，并且，通常底电极又称作像素电极(本专利技术均称其为像素电极)。下面将结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。结合图3和图8所示，本专利技术实施例中提供一种薄膜晶体管，其整个有源层2位于同一平面内。所述薄膜晶体管的源电极3和漏电极4位于有源层2上，并与有源层2接触设置。源电极3和漏电极4之间设置有第一绝缘层130。漏电极4设置在第一绝缘层130上，通过第一绝缘层130中的第一过孔6与有源层2接触。上述技术方案中，有源层2位于同一平面内，不会出现爬坡困难导致的易断线问题，而且其厚度均匀，在工作过程中不易击穿短路，克服了现有技术中底栅型共面薄膜晶体管存在的技术问题。同时，源电极3和漏电极4为非同层结构，更易实现窄沟道，提高薄膜晶体管的性能。结合图3-图8所示，本专利技术实施例中薄膜晶体管的制作方法包括：形成有源层2，整个所述有源层2位于同一平面内；在有源层2上形成与有源层2接触设置的源电极3；在源电极3上形成第一绝缘层130，并在第一绝缘层130中形成第一过孔6；在第一绝缘层130上形成漏电极4，漏电极4通过第一过孔6与有源层2接触。其中，源电极3可以位于薄膜晶体管的有源层2所在的区域内，且整个源电极3与有源层2接触设置，如图3所示。则在实际制作工艺中，可以通过一次构图工艺中同时形成源电极3和有源层2，以简化制作工艺。结合图4-图7所示，形成源电极3和有源层2的构图工艺具体包括：形成有源层薄膜110；在有源层薄膜110上形成源金属层120，如图4所示；在源金属层120上涂覆光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶完全保留区域200、光刻胶半保留区域201和光刻胶不保留区域202，光刻胶完全保留区域200对应薄膜晶体管的源电极所在的区域，光刻胶半保留区域201对应薄膜晶体管的有源层不与源电极位置对应的区域，光刻胶不保留区域202对应其他区域，如图5所示；刻蚀掉光刻胶不保留区域202的源金属层和有源层薄膜，形成有源层2的图案，如图6所示；去除光刻胶半保留区域201的光刻胶；刻蚀掉光刻胶半保留区域201的源金属层；剥离剩余的光刻胶，形成薄膜晶体管的有源层2和源电极3，如图7所示。上述步骤通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的有源层2和源电极3，其中，源电极3与漏电极4为非同层结构，两者由不同膜层形成。相对于现有技术中的顶栅型共面结构，通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的有源层2和源电极3，可以有效减小源电极3的宽度，在薄膜晶体管的投影宽度一定的情况下，能够适当增加漏电极4的宽度(对比图1和图3)，则可以设计栅电极和阵列基板的像素电极5为同层结构，并保证栅电极和像素电极5之间的距离足够远，使两者之间形成的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层，整个所述有源层位于同一平面内；位于有源层上、与所述有源层接触设置的源电极；位于源电极上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括第一过孔；位于所述第一绝缘层上的漏电极，所述漏电极通过第一过孔与有源层接触。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层，整个所述有源层位于同一平面内；位于有源层上、与所述有源层接触设置的源电极；位于源电极上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括第一过孔；位于所述第一绝缘层上的漏电极，所述漏电极通过第一过孔与有源层接触。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：覆盖漏电极的第二绝缘层；栅电极，包括位于所述第二绝缘层上的第一部分，所述第一部分具有对应源电极和漏电极之间区域的部分。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极还包括第二部分，与栅电极的第一部分电性连接；所述漏电极与所述栅电极的第二部分为同层结构，所述第二绝缘层覆盖所述栅电极的第二部分和漏电极。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极的第二部分位于源电极远离漏电极的一侧。5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二绝缘层包括第二过孔，所述栅电极的第一部分通过所述第二过孔与栅电极的第二部分电性接触。6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极的第二部分和漏电极的材料为栅金属。7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极的第一部分为透明导电材料。8.根据权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极位于薄膜晶体管的有源层所在的区域内，且整个源电极与所述有源层接触设置。9.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：形成有源层，整个所述有源层位于同一平面内；在所述有源层上形成与所述有源层接触设置的源电极；在所述源电极上形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层中形成第一过孔；在所述第一绝缘层上形成漏电极，所述漏电极通过第一过孔与有源层接触。10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，还包括：形成覆盖漏电极的第二绝缘层；形成栅电极，所述栅电极包括位于所述第二绝缘层上的第一部分，所述第一部分具...

【专利技术属性】
技术研发人员：张立，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11