加强型无损吸收电路制造技术

技术编号:11580362 阅读:96 留言:0更新日期:2015-06-10 13:42
本实用新型专利技术公开了加强型无损吸收电路,包括二极管整流单元、第一吸收单元和第二吸收单元,其中,所述二极管整流单元连接于变压器副边;所述第一吸收单元用于吸收寄生参数产生的电压尖峰,且该第一吸收单元的输入端连接到所述二极管整流单元的输出端;所述第二吸收单元用于实现尖峰电压吸收,且该第二吸收单元的输入端连接到第一吸收单元的输出端、输出端经由电感连接负载。实施本实用新型专利技术的加强型无损吸收电路,具有以下有益效果:通过在大功率开关电源中采用无损吸收方式,可有效地降低和抑制整流二极管的电压尖峰。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及吸收电路,更具体地说,涉及一种加强型无损吸收电路
技术介绍
开关电源应用于大功率场合,采用常规的RCD等吸收电路,存在吸收电路损耗太大等缺点。目前常用的做法是采用无损吸收方式;如图1所示,图1给出了一种无损吸收电路,该电路的吸收原理是将尖峰吸收的能量存储到吸收电容中,在副边续流阶段,吸收电路电容的能量再通过电感传递到输出端。同时吸收电路连接在二极管整流电路两端,在实际PCB布线时,引线电感较小。但是该电路的缺点是尖峰抑制效果较差,尤其在输出功率较大时,尖峰抑制更不理想。如图2所示,图2给出了另一种尖峰抑制电路,其工作原理是整流二极管上的尖峰电压通过吸收电容和二极管传递输出端,同时电容自身吸收部分能量。在整流二极管续流阶段,电容上存储的能量通过二极管释放到输出端。该电路的优点是吸收效果很好,电路简洁。但是在实际应用中,由于各个器件之间存在距离,即存在寄生电感,故在实际应用中仍会有一定尖峰。
技术实现思路
本技术解决的技术问题在于,针对现有的吸收电路存在尖峰吸收效果较差并存在寄生参数引起的尖峰无法抑制等缺点,提出一种加强型无损吸收电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种加强型无损吸收电路,包括二极管整流单元、第一吸收单元和第二吸收单元,其中,所述二极管整流单元连接于变压器副边;所述第一吸收单元用于吸收寄生参数产生的电压尖峰,且该第一吸收单元的输入端连接到所述二极管整流单元的输出端;所述第二吸收单元用于实现尖峰电压吸收,且该第二吸收单元的输入端连接到第一吸收单元的输出端、输出端经由电感连接负载。在本技术的加强型无损吸收电路中,所述第一吸收单元包括第五二极管、第六二极管、第七二极管、第一电容和第二电容;其中,所述第一电容和第五二极管串联连接在二极管整流单元的两个输出端之间;所述第二电容和第七二极管串联连接在二极管整流单元的两个输出端之间;所述第六二极管的阳极连接在第二电容和第七二极管的阴极之间、阴极连接在第五二极管的阳极和第一电容之间。在本技术的加强型无损吸收电路中,所述第二吸收单元包括第七二极管、第八二极管、电感和第二电容;其中,所述第七二极管和第二电容串联连接在二极管整流单元的两个输出端之间,所述电感的第一端接于二极管整流单元的一个输出端、第二端连接负载,所述第八二极管的阳极连接到第七二极管和第二电容的连接点、阴极连接到电感的第_-丄山在本技术的加强型无损吸收电路中,所述二极管整流单元包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管,所述第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管组成桥式整流电路。在本技术的加强型无损吸收电路中,所述变压器的输出端与二极管整流单元的输入端相连接。实施本技术的加强型无损吸收电路,具有以下有益效果:通过在大功率开关电源中采用无损吸收方式,可有效地降低和抑制整流二极管的电压尖峰。【附图说明】下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明,附图中:图1是现有的常规无损吸收电路不意图;图2是现有的常规尖峰抑制电路示意图;图3是本技术的加强型无损吸收电路实施例的电路示意图。【具体实施方式】为了对本技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图详细说明本技术的【具体实施方式】。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。图3是本技术加强型无损吸收电路实施例的电路示意图。加强型无损吸收电路,包括二极管整流单元1、第一吸收单元2和第二吸收单元3,其中,二极管整流单元I连接于变压器Tl副边;第一吸收单元2用于吸收寄生参数产生的电压尖峰,且该第一吸收单元2的输入端连接到所述二极管整流单元I的输出端;所述第二吸收单元3用于实现尖峰电压吸收,且该第二吸收单元3的输入端连接到第一吸收单元2的输出端、输出端经由电感LI连接负载。上述第一吸收单元2可包括第五二极管D5、第六二极管D6、第七二极管D7、第一电容Cl和第二电容C2 ;其中:第一电容Cl和第五二极管D5串联连接在二极管整流单元I的两个输出端之间;第二电容C2和第七二极管D7串联连接在二极管整流单元I的两个输出端之间;第六二极管D6的阳极连接在第二电容C2和第七二极管D7的阴极之间、阴极连接在第五二极管D5的阳极和第一电容Cl之间。在上述第一吸收单元2中,二极管整流单元I上的尖峰电压通过吸收第一电容Cl和第六二极管D6传递到输出端,并由第一电容Cl自身吸收部分能量;在二极管整流单元I的续流阶段,第一电容Cl上存储的能量通过第五二极管D5释放到输出端。该第一吸收电路2的优点是吸收效果很好,电路简洁。上述第二吸收单元3可包括第七二极管D7、第八二极管D8、电感LI和第二电容C2 ;其中:第七二极管D7和第二电容C2串联连接在二极管整流单元I的两个输出端之间,电感LI的第一端接于二极管整流单元I的一个输出端、第二端连接负载,第八二极管D8的阳极连接到第七二极管D7和第二电容C2的连接点、阴极连接到电感LI的第二端。该第二吸收单元3将尖峰吸收的能量存储到第二电容C2中,并且在副边的续流阶段,第二电容C2的能量再通过电感LI传递到第二吸收单元3的输出端。并且,由于第二吸收单元3连接在二极管整流单元I的两端,在实际PCB布线时,引线电感较小。在上述的加强型无损吸收电路中,二极管整流单元I包括第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4,该第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4组成桥式整流电路。进一步的,第七二极管D7,第八二极管D8和第二电容C2组成第三吸收电路4,用于尖峰抑制,吸收效果好,并解决尖峰抑制较差的问题。在本技术的加强型无损吸收电路中,所述变压器Tl的输出端与二极管整流单元I的输入端相连接。进一步的,所述二极管整流单元I的输出端与第二电容C2相互并联。与现有技术相比,实施本技术的加强型无损吸收电路,具有以下有益效果:在大功率开关电源应用中,考虑到吸收电路损耗,通常采用无损吸收方式,本技术的无损吸收电路可以有效降低抑制整流二极管的电压尖峰。上面结合附图对本技术的实施例进行了描述,但是本技术并不局限于上述的【具体实施方式】,上述的【具体实施方式】仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本技术的启示下,在不脱离本技术宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,这些均属于本技术的保护之内。【主权项】1.一种加强型无损吸收电路,其特征在于,包括二极管整流单元、第一吸收单元和第二吸收单元,其中,所述二极管整流单元连接于变压器副边;所述第一吸收单元用于吸收寄生参数产生的电压尖峰,且该第一吸收单元的输入端连接到所述二极管整流单元的输出端;所述第二吸收单元用于实现尖峰电压吸收,且该第二吸收单元的输入端连接到第一吸收单元的输出端,输出端经由电感连接负载。2.根据权利要求1所述的加强型无损吸收电路,其特征在于,所述第一吸收单元包括第五二极管、第六二极管、第七二极管、第一电容和第二电容;其中,所述第一电容和第五二极管串联连接在二极管整流单元的两个输出端之间;所述第二电容和第七二极管串联连接在二极管整流单元的两个输出端之间;所述第六二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加强型无损吸收电路,其特征在于,包括二极管整流单元、第一吸收单元和第二吸收单元,其中,所述二极管整流单元连接于变压器副边;所述第一吸收单元用于吸收寄生参数产生的电压尖峰,且该第一吸收单元的输入端连接到所述二极管整流单元的输出端;所述第二吸收单元用于实现尖峰电压吸收,且该第二吸收单元的输入端连接到第一吸收单元的输出端,输出端经由电感连接负载。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘志军黄落城
申请(专利权)人:苏州汇川技术有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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