一种无损吸收电路及工作方法技术

本发明专利技术公开了一种无损吸收电路及工作方法，其主要内容包括：无损吸收电路包括第一吸收电路，其中，第一吸收电路包含第一二极管（D7）和电容（C3），由于电容（C3）的电容量足够大，在开关管（Q1）处于断开状态时瞬间产生的电压尖峰，通过为电容（C3）充电得到抑制；在开关管（Q1）处于连通状态时，电容（Ｃ3）释放的电量被导向三相维也纳结构中的第一电容（Ｃ1），避免了由于电容（C3）释放的电量较大，回流至开关管（Q1）导致的电压应力差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无线通信领域，尤其涉及。
技术介绍
在电学领域存在着一种比较理想的拓扑电路结构，即三相维也纳结构，由于这种结构的电路具有输入电流纹波小、器件需求少、控制较简单、成本需求比较低等优点，因此，在要求三相交流输入大功率的情况下被广泛应用。如图1所示，为三相维也纳的电路结构图。该电路中有三相电路，一相电路的连接结构为:电感LI与二极管Dl的阳极相连，与二极管D4的阴极相连；二极管Dl的阴极与电容Cl的正极相连；二极管D4的阳极与电容C2的负极相连；电容Cl的负极和电容C2的正极相连；电感L1、二极管Dl的阳极和二极管D4的阴极三者相连的交叉点与开关管Ql的漏极相连；开关管Ql的源极与电容Cl和电容C2的连接点相连。三相维也纳结构中的其他两相电路中各器件之间的连接方式方式与上述一相电路的连接方式相同。由于上述拓扑结构的电路使得开关管Ql的源极与漏极之间的电压差较大，再加上在实际应用该拓扑结构的电路时，开关管Ql的漏极与二极管Dl的阳极、二极管D4的阴极分别通过较长的导线相连，导致开关管Ql的漏极与二极管Dl的阳极之间，以及开关管Ql的漏极与二极管D4的阴极之间存在隐性电感，使得开关管Ql在断开一瞬间会产生很高的电压尖峰。为了避免开关管Ql在断开一瞬间产生很高的电压尖峰的问题，通常在开关管Ql的漏极和源极之间连接一个电感Rl和一个电容C3，电感Rl和电容C3串联后，与开关管Ql形成并联关系。通常称这种电路为RC吸收电路。工作原理为:当开关管Ql发生断开时，瞬间产生的电压尖峰通过电感Rl为电容C3充电；当开关管Ql发生连通时，电容C3实施放电操作，释放的电量通过电感Rl消耗。这种RC结构的吸收电路，仍然存在以下缺点:若电容C3的电容量较小，而当开关管Ql在断开时产生的电压尖峰太大时，RC吸收电路抑制电压尖峰的效果并不好。若电容C3的电容量足够大，在开关管Ql断开时，产生的较大的电压尖峰能够被电容C3吸收，但是在开关管Ql再次连通时，电容C3将会实施放电操作，此时，由于电容C3的电容量足够大，因此电容C3释放的电量较大，这些释放的电量如果不能被电感Rl消耗，则剩余的电量将会对开关管Ql中的输出结电容产生影响，增加开关管的损耗，使得整机效率受到影响。由此可见，目前的RC吸收电路并不能同时解决在开关管Ql断开时很好的抑制产生的电压尖峰和在开关管Ql连通时电压应力差的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了，用于解决目前的RC吸收电路不能同时解决在开关管Ql断开时很好的抑制产生的电压尖峰和在开关管Ql连通时电压应力差的问题。一种无损吸收电路，所述无损吸收电路与三相维也纳结构中的一相电路相连，包括:第一吸收电路，其中:第一吸收电路中第一二极管(D7)的阳极与开关管(Ql)的漏极相连，第一吸收电路中电容(C3) —端与开关管(Ql)的源极相连；第一吸收电路中的第一二极管(D7)的阴极与第一吸收电路中电容(C3)的另一端相连，第一吸收电路中第一二极管(D7)的阴极与第一吸收电路中电容(C3)相连的连接点与三相维也纳结构中的第一电容(Cl)的正极相连。一种无损吸收电路的工作方法，所述方法包括:当输入电压为正向电压，且第一吸收电路中第一二极管(D7)的阳极与开关管(Ql)的漏极相连时，若开关管(Ql)处于断开状态，第一吸收电路中第一二极管(D 7)导通，则第一吸收电路中电容(C 3)充电；若开关管(Ql)处于连通状态，第一吸收电路中的第一二极管(D 7)截止，则第一吸收电路中电容(C 3)释放的电量流向三相维也纳结构中的第一电容(C I)。本专利技术有益效果如下:本专利技术实施例中由于电容(C3)的电容量足够大时，在开关管(Ql)处于断开状态时，瞬间产生的电压尖峰能够被很好的抑制；在开关管(Ql)处于连通状态时，电容(C 3)释放的电量被导向三相维也纳结构中的第一电容(Cl)，避免了由于电容(C3)释放的电量较大，回流至开关管(Ql)导致的电压应力差的问题，并且减少了整个电路的器件消耗。【附图说明】图1为现有技术中的三相维也纳结构的电路图；图2 Ca)为本专利技术实施例一的一种无损吸收电路的结构示意图；图2 (b)为一种无损吸收电路的结构示意图；图3为一种无损吸收电路的工作方法的示意图；图4为一种无损吸收电路的工作方法的示意图；图5为一种无损吸收电路的工作方法的示意图；图6为一种无损吸收电路的工作方法的示意图；图7为利用现有技术中RC吸收电路测量得到的开关管Ql断开时漏源极两端的电压波形图；图8为利用本专利技术无损吸收电路测量得到的开关管Ql断开时漏源极两端的电压波形图。【具体实施方式】为了实现本专利技术的目的，本专利技术实施例提供了，该无损吸收电路应用在三相维也纳电路结构中的每一相电路中，包括第一吸收电路，其中，第一吸收电路中第一二极管D7的阳极与开关管Ql的漏极相连，第一吸收电路中电容C3 —端与开关管Ql的源极相连；第一吸收电路中的第一二极管D7的阴极与第一吸收电路中电容C3的另一端相连，第一吸收电路中第一二极管D7的阴极与第一吸收电路中电容C3相连的连接点与三相维也纳结构中的第一电容Cl的正极相连。[0031 ] 与现有技术相比，由于电容C3的电容量可以足够大，因此在开关管Ql处于断开状态时，瞬间产生的电压尖峰能够被抑制；在开关管Ql处于连通状态时，电容C 3释放的电量被导向第一电容C I，避免了由于电容C3释放的电量较大，回流至开关管Ql导致的电压应力差的问题，并且减少了整个电路的器件消耗。下面结合说明书附图对本专利技术的各实施例进行详细描述。实施例一:如图2 (a)所示，为本专利技术实施例一的一种无损吸收电路的结构示意图。该无损吸收电路应用在三相维也纳结构中的每一相电路中，包括:第一吸收电路，其中:第一吸收电路包括第一二极管D7和电容C3 ；第一吸收电路中第一二极管D7的阳极与开关管Ql的漏极相连，第一吸收电路中电容C3 —端与开关管Ql的源极相连；第一吸收电路中的第一二极管D7的阴极与第一吸收电路中电容C3的另一端相连，第一吸收电路中第一二极管D7的阴极与第一吸收电路中电容C3相连的连接点与三相维也纳结构中的第一电容Cl的正极相连。较优地，所述无损吸收电路中还包括:第二吸收电路，其中:第二吸收电路包括第一二极管D9和电容C4 ；第二吸收电路中第一二极管D9的阳极与开关管Ql的源极相连，第二吸收电路中电容C4 一端与开关管Ql的漏极相连；第二吸收电路中的电容C4的另一端与第二吸收电路中第一二极管D9的阴极相连，第二吸收电路中电容C4与第二吸收电路中第一二极管D9的阴极相连的连接点与三相维也纳结构中的第二电容C2的负极相连，三相维也纳结构中的第二电容C2的正极与三相维也纳结构中的第一电容Cl的负极相连。具体地，当第一吸收电路中第一二极管D7的阳极与开关管Ql的漏极相连，第一吸收电路中第一二极管D7的阴极与第一吸收电路中电容C3的一端相连，第一吸收电路中电容C3的另一端与开关管Ql的源极相连时，第二吸收电路中第一二极管D9的阳极与开关管Ql的源极相连，第二吸收电路中二极管D9的阴极与第二吸收电路中电容C4的一端相连，第二吸收电路中电容C4的另一端与开关管Ql的漏极相连。此时，第一吸收电路中第一二极管D7的阴极与第一吸收电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无损吸收电路，其特征在于，所述无损吸收电路与三相维也纳结构中的一相电路相连，包括：第一吸收电路，其中：第一吸收电路中第一二极管（D7）的阳极与开关管（Q1）的漏极相连，第一吸收电路中电容（C3）一端与开关管（Q1）的源极相连；第一吸收电路中的第一二极管（D7）的阴极与第一吸收电路中电容（C3）的另一端相连，第一吸收电路中第一二极管（D7）的阴极与第一吸收电路中电容（C3）相连的连接点与三相维也纳结构中的第一电容（C1）的正极相连。

【技术特征摘要】
1.一种无损吸收电路，其特征在于，所述无损吸收电路与三相维也纳结构中的一相电路相连，包括:第一吸收电路，其中: 第一吸收电路中第一二极管(D7)的阳极与开关管(Ql)的漏极相连，第一吸收电路中电容(C3) —端与开关管(Ql)的源极相连； 第一吸收电路中的第一二极管(D7)的阴极与第一吸收电路中电容(C3)的另一端相连，第一吸收电路中第一二极管(D7)的阴极与第一吸收电路中电容(C3)相连的连接点与三相维也纳结构中的第一电容(Cl)的正极相连。2.如权利要求1所述的无损吸收电路，其特征在于，所述无损吸收电路还包括:第二吸收电路，其中: 第二吸收电路中第一二极管(D9)的阳极与开关管(Ql)的源极相连，第二吸收电路中电容(C4) 一端与开关管(Ql)的漏极相连； 第二吸收电路中的电容(C4)的另一端与第二吸收电路中第一二极管(D9)的阴极相连，第二吸收电路中电容(C4)与第二吸收电路中第一二极管(D9)的阴极相连的连接点与三相维也纳结构中的第二电容(C2)的负极相连，三相维也纳结构中的第二电容(C2)的正极与三相维也纳结构中的第一电容(Cl)的负极相连。3.如权利要求1或2所述的无损吸收电路，其特征在于，所述第一吸收电路还包括--第一吸收电路中第二二极管(D8)，其中: 第一吸收电路中第二二极管(D8)与第一吸收电路中第一二极管(D7)串联，并且导通方向一致，接入第一吸收电路的位置在开关管(Ql)的漏极与第一吸收电路中第一二极管(D7)和第一吸收电路中电容(C`3)的连接点之间。4.如权利要求3所述的无损吸收电路，其特征在于，所述第二吸收电路还包括:第二吸收电路中第二二极管(D10)，其中: 第二吸收电路中第二二极管(DlO)与第二吸收电路中第一二极管(D9)串联，并且导通方向一致，接入第二吸收电路的位置在开关管(Ql)的源极与第二吸收电路中第一二极管(D9)和第二吸收电路中电容(C4)的连接点之间。5.如权利要求4所述的无损吸收电路，其特征在于， 当所述第一吸收电路中第一二极管(D 7)阳极与开关管(Ql)的漏极相连，第一吸收电路中第一二极管(D 7)阴极与第一吸收电路中第二二极管(D 8)的阳极相连，第一吸收电路中第二二极管(D 8)的阴极与第一吸收电路中电容(C 3)的一端相连，第一吸收电路中电容(C 3)的另一端与开关管(Ql)的源极相连时，所述第二吸收电路中第一二极管(D 9)阳极与开关管(Ql)的源极相连，第二吸收电路中第一二极管(D 9)阴极与第二吸收电路中第二二极管(D 10)的阳极相连，第二吸收电路中第二二极管(D 10)的阴极与第二吸收...

【专利技术属性】
技术研发人员：王猛，
申请(专利权)人：艾默生网络能源有限公司，
类型：发明
国别省市：