本发明专利技术提供了一种电路网的S参数导出方法，能正确并且迅速地计算包含非对称电路网的电路网整体的S参数。准备具有输入端口和连接端口的第一电路网(60)的第一S参数，测定第二电路网(4)的第二S参数，对在第一电路网(60)的连接端口连接了第二电路网(4)而得到的电路网整体(66)的整体S参数进行计算。在第一电路网(60)的输入端口侧追加虚设端口，将第一电路网(60)转换为对称电路网，得到假想第一电路网(62)，将假想第一电路网(62)的假想T参数中虚设端口所对应的参数用作未知数，作为电路网整体(66)的S参数，对在假想第一电路网(62)的连接端口连接了第二电路网(4)而得到的假想电路网整体(68)的假想S参数中输入端口所对应的整体S参数进行计算。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电路网的S参数导出方法。
技术介绍
以往，有时会将表面安装型电子器件等不具有同轴连接器的电子器件安装在具有同轴连接器的测定夹具上，经由同轴电缆连接测定夹具与测定装置，测定其电学特性。像这样的测定中，各个测定夹具的特性偏差，或各个同轴电缆以及测定装置的特性的偏差成为电学特性测定误差的原因。对于同轴电缆以及测定装置，通过经由同轴电缆将具有基准特性的标准器与测定装置连接并进行测定，能确定连接了标准器的同轴电缆的前端相对于测定装置侧的误差。然而，对于测定夹具，无法高精度地确定安装电子器件的部分的连接端子和用于连接同轴电缆的同轴连接器之间的电学特性的误差。另外，测定夹具间的特性并不容易调整为一致。尤其是在较宽的频带宽度中，调整测定夹具使测定夹具间的特性达到一致非常困难。因此，提出了所谓的相对误差校正法，即，将校正数据取得用试料安装在多个测定夹具上进行测定，根据测定夹具间的测定值的偏差，预先导出对某个测定夹具(以下称为“基准夹具”)和其它的测定夹具(以下称为“试验夹具”)之间的相对误差进行校正的数学式，对于任意的电子器件的电学特性，根据以安装在试验夹具上的状态下测定到的测定值(试验夹具测定值)，利用该数学式，计算与将该电子器件安装在基准夹具上测定到的测定值(试验夹具测定值)相对应的推测值。例如图10所示，为了进行校正，根据将表示数学式CA6×6的第一电路网32a和表示测定值ST3×3的第二电路网30a连接得到的电路网整体20a，能计算推测值SD3×3(例如参照专利文献1～3)。为了正确地计算连接了电路网的结果，一般采用以S参数表示电路网进行计算的梅森法(例如参照非专利文献1)。作为用来进行高速的电路网连接运算的最一般的解决方法，已知采用了使用T参数的单纯矩阵运算的方法(例如参照非专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第3558086号公报专利文献2：日本专利第4009876号公报专利文献3：日本专利第5246172号公报非专利文献1：Hunton J.K.、“Analysis of Microwave Measurement Techniques by Means of Signal Flow Graphs”、IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques、vol.8、issue2、p.206-212非专利文献2：Frei J.；Cai Xiao-Ding；Mul ler S.、“Multiport S-Parameter and T-Parameter Conversion With Symmetry Extension”、IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques、vol.56、issue11、p.2493-2504
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题例如图1所示，在输入端口数量和连接端口数量不同的非对称电路网52中，对DUT的电路网2所连接的电路网整体56进行计算的情况下，现有技术中存在以下问题点。梅森法有能对包含非对称电路网的电路网整体正确地进行计算的优点。然而，存在计算时间长这样的缺点。对于采用了利用T参数的单纯矩阵运算的方法，在诸如输入端口和连接端口的端口数量不同这样的情况(将像这样的条件下的T参数称为“非平衡T参数”)下，无法得到正确的计算结果。本专利技术基于以上情况，提供了一种电路网的S参数导出方法，能够正确并迅速进行计算包含非对称电路网的电路网整体的S参数。解决技术问题的技术方案本专利技术为了解决上述技术问题提供如下文所述结构的电路网的S参数导出方法。电路网的S参数导出方法，包括：(i)第一步骤，该第一步骤准备具有输入端口和连接端口的第一电路网的第一S参数；(ii)第二步骤，该第二步骤测定第二电路网的S参数；以及(iii)第三步骤，该第三步骤利用在所述第一步骤准备的所述第一S参数和在所述第二步骤测量的所述第二电路网的所述第一S参数或所述第一T参数，对在所述第一电路网的所述连接端口连接了所述第二电路网而得到的电路网整体的S参数进行计算。所述第一电路网是所述输入端口的数量少于所述连接端口的数量的非对称电路网。所述第三步骤中，作为所述电路网整体的所述整体S参数，如下进行计算，在所述第一电路网的所述输入端口侧追加虚设端口，将所述第一电路网转换为对称电路网，从而假设假想第一电路网，在此基础上，将所述假想第一电路网的假想T参数中所述虚设端口所对应的参数用作未知值，对在所述假想第一电路网的所述连接端口连接了所述第二电路网而得到的假想电路网整体的假想S参数中所述输入端口所对应的所述整体S参数进行计算。上述方法中，通过对与第一电路网连接了第二电路网而得到的电路网整体的整体S参数进行计算，能利用第一电路网对第二电路网的第二S参数的测定值进行校正。由于假想第一电路网是对称电路网，因此利用假想第一电路网的假想T参数中所述虚设端口所对应的参数，能迅速计算电路网整体的整体S参数。另外，能正确地对假想电路网整体的假想S参数中输入端口所对应的整体S参数进行计算。本专利技术为了解决上述问题，提供了如下文所述结构的电路网的S参数导出方法。电路网的S参数导出方法包括：(i)第一步骤，该第一步骤准备具有输入端口和连接端口的第一电路网的第一S参数或第一T参数；(ii)第二步骤，该第二步骤测定第二电路网的第二S参数；以及(iii)第三步骤，该第三步骤利用在所述第一步骤准备的所述第一S参数或所述第一T参数和在所述第二步骤测量的所述第二电路网的所述第二S参数，对在所述第一电路网的所述连接端口连接了所述第二电路网而得到的电路网整体的整体S参数进行计算。所述第一电路网是所述输入端口的数量多于所述连接端口的数量的非对称电路网。所述第三步骤中，作为所述电路网整体的所述整体S参数，如下进行计算：在所述第一电路网的所述连接端口侧追加第一虚设端口，将所述第一电路网转换为对称电路网，从而假设假想第一电路网，并且在所述第二电路网假设与所述第一虚设端口连接的第二虚设端口，在此基础上，将所述假想第一电路网的假想T参数用作未知值，且将所述假想第二电路网的假想S参数中所述第二虚设端口所对应的参数置为零，对在所述假想第一电路网的所述连接端口以及所述第一虚设端口连接了所述假想第二电路网而得到的假想电路网整体的假想S参数中所述输入端口所对应的所述整体S参数进行计算。上述方法中，通过对在第一电路网连接了第二电路网而得到的电路网整体的整体S参数进行计算，能利用第一电路网对第二电路网的第二S参数的测定值进行校正。由于假想第一电路网是对称电路网，因此利用假想第一电路网的T参数，能迅速计算电路网整体的整体S参数。另外，通过将假想第二电路网的假想S参数中第二虚设端口所对应的参数置为零，能正确地计算电路网整体的整体S参数。专利技术效果根据本专利技术，在非对称电路网追加虚设端口，转换为对称电路，利用对称电路的T参数，能正确并迅速地对包含非对称电路网的电路网整体的S参数进行计算。附图说明图1是在第一电路网中连接了第二电路网的电路框图。(计算例1)图2是在假想第一电路网中连接了第二电路网的电路框图。(计算例1)图3(a)是第一电路网的电路框图，图3(b)是本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电路网的S参数导出方法，包括：第一步骤，该第一步骤准备具有输入端口和连接端口的第一电路网的第一S参数或第一T参数；第二步骤，该第二步骤测定第二电路网的第二S参数；以及第三步骤，该第三步骤利用在所述第一步骤准备的所述第一S参数或所述第一T参数和在所述第二步骤测量的所述第二S参数，对在所述第一电路网的所述连接端口连接了所述第二电路网而得到的电路网整体的整体S参数进行计算，其特征在于，所述第一电路网是所述输入端口的数量少于所述连接端口的数量的非对称电路网，所述第三步骤中，作为所述电路网整体的所述整体S参数，如下进行计算：在所述第一电路网的所述输入端口侧追加虚设端口，将所述第一电路网转换为对称电路网，从而假设假想第一电路网，在此基础上，将所述假想第一电路网的假想T参数中所述虚设端口所对应的参数用作未知值，对在所述假想第一电路网的所述连接端口连接了所述第二电路网而得到的假想电路网整体的假想S参数中所述输入端口所对应的所述整体S参数进行计算。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.04 JP 2014-0411651.一种电路网的S参数导出方法，包括：第一步骤，该第一步骤准备具有输入端口和连接端口的第一电路网的第一S参数或第一T参数；第二步骤，该第二步骤测定第二电路网的第二S参数；以及第三步骤，该第三步骤利用在所述第一步骤准备的所述第一S参数或所述第一T参数和在所述第二步骤测量的所述第二S参数，对在所述第一电路网的所述连接端口连接了所述第二电路网而得到的电路网整体的整体S参数进行计算，其特征在于，所述第一电路网是所述输入端口的数量少于所述连接端口的数量的非对称电路网，所述第三步骤中，作为所述电路网整体的所述整体S参数，如下进行计算：在所述第一电路网的所述输入端口侧追加虚设端口，将所述第一电路网转换为对称电路网，从而假设假想第一电路网，在此基础上，将所述假想第一电路网的假想T参数中所述虚设端口所对应的参数用作未知值，对在所述假想第一电路网的所述连接端口连接了所述第二电路网而得到的假想电路网整体的假想S参数中所述输入端口所对应的所述整体S参数进行计算。2.一种电路网的S参数导出方法，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：森太一，影山智，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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