【技术实现步骤摘要】
本技术涉及功率设备，特别涉及一种引线框架、功率模块及功率设备。
技术介绍
1、igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)是伺服和变频驱动系统的关键器件，对电机驱动成本和可靠性影响较重，尤其是中功率机型。目前电机驱动电压等级为220v/380v/440v/480v的功率驱动系统，一般选用650v、1200v、1700v的igbt。
2、功率驱动系统的功率模块一般采用标准模块封装，例如，不同封装形态的集成pim、pack系列等，但是集成pim、pack系列等模块方案的综合成本高且采用传统的灌封胶工艺导致生产周期较长。为了降低成本，会采用标准的分立器件插件封装的功率器件来实现功率驱动系统，例如，to-247、to-220等插件封装的功率管。
3、虽然分立式功率器件的成本低、灵活度高、工艺路线简单，但目前分立式功率器件不适合大电流扩展，即功率拓展较差，且分立式功率器件应用于驱动器整机制造时的可制造性和可靠性较差，故采用分立器件插件封装的方案综合成本不是最优。
技术实现思路
1、本技术的主要目的是提出一种引线框架，旨在解决目前功率模块的功率拓展性和成本难以平衡的问题。
2、为实现上述目的，本技术提出的引线框架，包括：
3、多个载片区，所述载片区用于承载功率器件芯片，所述功率器件芯片为二极管芯片和/或igbt芯片，至少一个载片区用于承载偶数个功率器件芯片；
4、多个引脚，至少一个
5、可选地，至少一个所述引脚的第一端与所述载片区焊接；
6、或者，至少一个所述引脚的第一端与所述载片区一体成型设置。
7、可选地，多个所述引脚中的至少一个引脚的第一端与所述载片区间隔设置。
8、本技术还提出一种功率模块，包括：
9、如上述的引线框架；
10、多个功率器件芯片，多个所述功率器件芯片分设于所述引线框架的多个载片区；
11、其中，至少一个所述载片区上设置有偶数个功率器件芯片，所述功率器件芯片为二极管芯片和/或igbt芯片；
12、多个所述功率器件芯片通过电连接形成预设电路拓扑，所述预设电路拓扑包括整流拓扑、制动拓扑、逆变拓扑中的至少一者。
13、可选地，所述整流拓扑包括可控整流拓扑、不可控整流拓扑；
14、所述逆变拓扑包括单相逆变拓扑、两相逆变拓扑和三相逆变拓扑。
15、可选地，所述功率模块还包括绝缘基板，所述引线框架的载片区设置于绝缘基板上。
16、可选地，所述功率模块还包括：
17、塑封件，所述引线框架及功率器件芯片塑封在所述塑封件内；
18、所述引线框架的引脚的第二端外露于所述塑封件。
19、本技术还提出一种功率设备，包括电路板及如上述的功率模块。
20、本申请实施例提供的引线框架包括多个载片区及多个引脚，至少一个引脚的第一端与载片区接触连接，载片区用于承载igbt芯片和/或二极管芯片，至少一个载片区用于承载偶数个功率器件芯片，载片区与载片区之间无需设置过渡区或连筋区，与设有过渡区或连筋区的引线框架相比，本申请实施例提供的引线框架的结构简单，由于无需设置过渡区和连筋区，增大了载片区的承载面积，可以适用于大电流拓展和功率拓展，有利于分立器件芯片组合成不同的功率子模块拓扑，进而实现功率模块功率拓展性和成本的平衡，即提供功率拓展的灵活性，但降低了功率模块的成本。
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1.一种引线框架，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，至少一个所述引脚的第一端与所述载片区焊接；
3.如权利要求1或2所述的引线框架，其特征在于，多个所述引脚中的至少一个引脚的第一端与所述载片区间隔设置。
4.一种功率模块，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的功率模块，其特征在于，所述整流拓扑包括可控整流拓扑、不可控整流拓扑；
6.根据权利要求4所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括绝缘基板，所述引线框架的载片区设置于绝缘基板上。
7.如权利要求4或6所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括：
8.一种功率设备，其特征在于，包括电路板及如权利要求4至7任一所述的功率模块。
【技术特征摘要】
1.一种引线框架，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，至少一个所述引脚的第一端与所述载片区焊接；
3.如权利要求1或2所述的引线框架，其特征在于，多个所述引脚中的至少一个引脚的第一端与所述载片区间隔设置。
4.一种功率模块，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的功率模块，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：李高显，陈本强，王锁海，党晓波，
申请(专利权)人：苏州汇川技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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