本发明专利技术提供一种在树脂基板上形成不会剥落的导电膜的装载装置。通过溅射法在由树脂构成的基体3上形成含有比50原子%多的Cu、含有5原子%以上30原子%以下的Ni、含有3原子%以上10原子%以下的Al并与基体3的表面接触的合金薄膜4、5，在合金薄膜4、5的表面形成由铜构成的导电膜6、7，得到二层构造的布线膜9、填充连接孔2的金属插塞8。合金薄膜4、5与树脂的密合性高，布线膜9、金属插塞8不会剥离。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有被图案化的布线膜的装载装置、制造该装载装置的制造方法以及 在该制造方法中使用的溅射靶材。
技术介绍
在现在，LSI等半导体元件被装载于层叠有多层在树脂的基体形成有布线膜的单 层基板的装载基板，因此，谋求在树脂的表面形成密合性高的金属膜的技术。特别地，铜薄 膜具有低电阻的优点的另一面为与树脂的密合性低，因此，在树脂与铜薄膜之间形成由其 他金属构成的密合层。 图7的符合100为那样的现有技术的装载装置，层叠有多个单层基板111^11"。 该装载装置100的各单层基板1111、1112具有由树脂构成的基体103,在基体103 的表面设置有布线膜110。此外，在基体103设置有连接孔102,在连接孔102的内部设置 有连接层叠的单层基板11^、111 2的布线膜110彼此的金属插塞119。 在图5 (a)中，为在单层基板11^之上粘贴有最上层的单层基板111 2的基体103 的状态。在基体103设置有连接孔102,在连接孔102的底面露出下层的单层基板111的 布线膜110的表面。 首先，如图（5) b所示那样，对含有Ti等密合用的金属的溅射靶材进行溅射，形成 与基体103的表面、连接孔102的内周侧面、以及在底面露出的布线膜110接触的Ti薄膜 等密合层118,接着，对铜的溅射靶材进行溅射，在密合层118的表面形成由铜薄膜构成的 种子层115。 将被图案化的抗蚀膜配置在种子层115的表面上，使连接孔102的内部的种子层 115和基体103的表面上的规定位置的种子层115露出，并浸渍到电镀液中来使露出的种子 层115与电镀液接触，在种子层115与电镀液之间施加相对于电镀液而使种子层115成为 负电位的电压，通过电镀法使铜析出于露出的种子层115的表面，在连接孔102的内部和基 体103的表面上如图5 (c)所示那样形成铜薄膜106、107。在该状态下，铜薄膜106U07接 触，连接孔102的内部被由铜构成的铜薄膜106填充，铜薄膜106U07形成得比种子层115 厚。该图（c)的符合128为抗蚀膜。 在该状态下，密合层118和种子层115具有位于铜薄膜106的下方的部分和位于 抗蚀膜128的下方的部分，在剥离抗蚀膜128而使位于抗蚀膜128的下方的种子层115露 出之后，首先，浸渍到铜的蚀刻液中，如该图（d)所示那样，一边在铜薄膜106U07的下方使 被图案化的种子层105残留一边蚀刻除去露出的种子层115,使密合层118露出于所除去的 部分。 接着，当浸渍到使Ti溶解的Ti蚀刻液中时，如图7所示那样，一边使位于铜薄膜 106、107和种子层105的下方的密合层108残留一边蚀刻除去露出的密合层118,使基体 103露出于所除去的部分。 通过连接孔102内的密合层108、种子层105和铜薄膜106构成填充连接孔102的 金属插塞119,此外，通过基体103的表面上的密合层108、种子层105和铜薄膜107构成布 线膜110。 铜薄膜106、107与在基体103表面露出的树脂之间的密合性低，铜薄膜106、107 容易从树脂剥离，但是，作为Ti薄膜的密合层108在与树脂之间密合性高，此外，与作为铜 薄膜的种子层105之间的密合性也高，因此，种子层105和铜薄膜106、107不会从基体103 剥离。 可是，从上述制造工序可知，为了形成铜薄膜106U07而需要形成密合层108和种 子层105这二层，布线膜110成为三层构造，制造工序增加。 此外，密合层108大量含有铜以外的Ti等元素，因此，密合层118和作为铜薄膜的 种子层115不能在相同的蚀刻液中进行蚀刻，蚀刻工序复杂。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开平8-332697号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题 本专利技术是为了解决上述现有技术的问题而制作的，其目的在于提供一种能够在树脂露 出的基体上简单地形成不会剥离的导电膜的技术。 用于解决课题的方案 用于解决上述课题的本专利技术是一种装载装置，具有基体和至少与在所述基体的表面露 出的树脂接触且形成为规定图案的布线膜，并使电子部件与所述布线膜电连接而使其装载 在所述基体上，其中，所述布线膜具有：合金薄膜，含有比50原子％多的Cu、含有5原子％以 上30原子％以下的Ni、含有3原子％以上10原子％以下的A1，与所述基体的表面接触；以 及导电性的导电膜，与所述合金薄膜的表面接触，含有比所述合金薄膜多的Cu。 此外，本专利技术是一种装载装置，其中，所述基体含有玻璃纤维，在所述基体的表面 露出所述树脂和所述玻璃纤维。 此外，本专利技术是一种装载装置，其中，在所述基体形成有贯通表面和背面之间的连 接孔，在所述连接孔的内周面露出所述树脂和所述玻璃纤维，所述合金薄膜与所述连接孔 的内周面接触，在由位于所述连接孔的内周面的所述合金薄膜所包围的部分，与所述合金 薄膜接触地填充有所述导电膜。 本专利技术是一种装载装置的制造方法，制造装载装置，所述装载装置具有基体和形 成为规定图案的布线膜并使电子部件与所述布线膜电连接而使其装载在所述基体上，其 中，所述布线膜具有：合金薄膜，至少与在所述基体的表面露出的树脂接触；以及导导电性 的电薄膜，与所述合金薄膜接触地配置，所述装载装置的制造方法具有：合金薄膜形成工 序，在真空气氛中配置所述基体，在所述真空气氛中导入溅射气体，对配置在所述真空气氛 中并且含有比50原子％多的Cu、含有5原子％以上30原子％以下的Ni、含有3原子％以 上10原子％以下的A1的溅射靶材进行溅射，在所述基体的表面形成与所述靶材相同组成 的所述合金薄膜；以及导电膜形成工序，在所述合金薄膜的表面形成Cu的体积含有率比所 述合金薄膜多的所述导电膜。 此外，本专利技术是方案4所记载的装载装置的制造方法，其中，所述导电膜形成工序 具有生长工序，在所述生长工序中，将形成有所述合金薄膜的所述基体浸渍到电镀液中，相 对于所述电镀液而对所述合金薄膜施加负电压，使所述电镀液所含有的包括铜的金属的正 离子附着于所述合金薄膜的表面而使所述导电膜生长。 此外，本专利技术是方案5所记载的装载装置的制造方法，其中，具有蚀刻工序，在所 述蚀刻工序中，使在所述合金薄膜形成工序中形成的所述合金薄膜与一种蚀刻液接触，使 与所述蚀刻液接触的部分的所述合金薄膜溶解并除去，对所述合金薄膜进行图案化。 此外，本专利技术是一种溅射靶材，其中，具有含有比50原子％多的Cu、含有5原子％ 以上30原子％以下的Ni、含有3原子％以上10原子％以下的A1的合金组成并被溅射，在 树脂露出的基体的表面形成所述合金组成的合金薄膜。 专利技术效果 在基体的表面形成合金薄膜，在合金薄膜的表面形成铜的含有量多的导电膜，因此，由 于导电膜不与树脂接触并且与合金薄膜之间的密合性高，所以导电膜不会从基体剥离。 能够通过一种蚀刻液对合金薄膜进行蚀刻，因此，能够将分离配置的铜膜利用一 次蚀刻工序使用一种蚀刻液来形成被图案化的布线膜。【附图说明】 图1是用于说明本专利技术的装载装置的图。 图2是用于说明用于形成装载装置的溅射装置的图。 图3 (a)~ (d)是用于说明本专利技术的装载装置的制造工序的图（1)。 图4 (e)~ (g)是用于说明本专利技术的装载装置的制造工序的图（2)。 图本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种装载装置，具有基体和至少与在所述基体的表面露出的树脂接触且形成为规定图案的布线膜，并使电子部件与所述布线膜电连接而使其装载在所述基体上，其中，所述布线膜具有：合金薄膜，含有比50原子%多的Cu、含有5原子%以上30原子%以下的Ni、含有3原子%以上10原子%以下的Al，与所述基体的表面接触；以及导电性的导电膜，与所述合金薄膜的表面接触，含有比所述合金薄膜多的Cu。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：高泽悟，市川周平，杉浦功，石桥晓，新田纯一，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。