一种发光装置，包含：载体，包含一凹槽结构；第一光电元件，包含：蓝光发光二极体管芯，设置于上述凹槽结构的周围；及第一波长转换体，覆盖于上述蓝光发光二极体管芯上，且未覆盖上述凹槽结构；以及第二光电元件，设置于上述凹槽结构之中，上述蓝光发光二极体管芯与上述第二光电元件的温度系数不同；其中，上述第一光电元件及上述第二光电元件分别产生一第一光线及一第二光线，上述第一光线与上述第二光线混合成一混合光。第二光电元件设置于此凹槽结构之中。凹槽结构在第一光电元件与第二光电元件间形成光线行进的障碍，如此可以降低第一光电元件的光线被第二光电元件吸收的机率，进而提升发光装置整体的发光效率。
【技术实现步骤摘要】
发光装置本专利技术申请是于2011年3月8日提交的申请号为201110055589.1的名为“多维度发光装置”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种发光装置，尤其是涉及一种半导体照明装置。
技术介绍
随着技术发展日新月异，发光二极管的应用范围已遍及显示装置、交通号志、照明装置、医疗装置以及各种电子产品。使用发光二极管产生白光的方式可有下列几种方式：一、混合蓝色、红色及绿色发光二极管所分别产生的蓝光、红光及绿光以产生白光。二、利用紫外光发光二极管(UVLED)激发荧光粉以产白光。三、利用蓝色发光二极管激发黄色荧光粉，通过互补色形成白光。但上述各种方式分别存在其问题点，市场上仍期待技术的推陈出新。
技术实现思路
本专利技术提供了一种发光装置，包含：载体，包含一凹槽结构；第一光电元件，包含：蓝光发光二极体管芯，设置于上述凹槽结构的周围；及第一波长转换体，覆盖于上述蓝光发光二极体管芯上，且未覆盖上述凹槽结构；以及第二光电元件，设置于上述凹槽结构之中，上述蓝光发光二极体管芯与上述第二光电元件的温度系数不同；其中，上述第一光电元件及上述第二光电元件分别产生一第一光线及一第二光线，上述第一光线与上述第二光线混合成一混合光。通过将第二光电元件设置于此凹槽结构之中。凹槽结构在第一光电元件与第二光电元件间形成光线行进的障碍，如此可以降低第一光电元件的光线被第二光电元件吸收的机率，进而提升发光装置整体的发光效率。附图说明图1A为本专利技术第一实施例的立体示意图；图1B为本专利技术第一实施例的基材区域分布图；图2为本专利技术第一实施例的另一实施态样立体示意图；图3为本专利技术第二实施例的立体示意图：图4为本专利技术第二实施例的另一实施态样立体示意图；图5A为本专利技术第三实施例的立体示意图；图5B为本专利技术第三实施例的蓝光发光二极管阵列区域分布图；图6A为本专利技术第四实施例的立体示意图；图6B为本专利技术第四实施例的载体区域分布图；图6C例示本专利技术一实施例的剖视图；图6D例示本专利技术一实施例的剖视图；以及图6E例示本专利技术一实施例的剖视图。主要元件符号说明1：标准化供电系统10：多维度发光装置10a：多条导线10b：电极12：载体12a：第一区域12b：第二区域14：第一光电元件14a：蓝光发光二极管阵列14b：第一波长转换体16：第二光电元件18：散热结构2：标准化供电系统20：多维度发光装置22：载体24：第一光电元件24a：蓝光发光二极管阵列24b：第一波长转换体26：第二光电元件26a：蓝光发光二极管阵列26b：第二波长转换体3：标准化供电系统30：多维度发光装置30a：导线30b：电极32：载体34：第一光电元件34a：蓝光发光二极管阵列34b：第一波长转换体36：第二光电元件4：标准化供电系统40：多维度发光装置42：第一光电元件42a：蓝光发光二极管阵列42b：第一波长转换体44：第二光电元件44a：蓝光发光二极管阵列44b：绿色波长转换体50：多维度发光装置52：载体54：蓝光发光二极管阵列54a：中心区域54b：周边区域56：第一波长转换体58：第二波长转换体6：标准化供电系统60：多维度发光装置60a：多条导线60b：电极62：载体62a：第一区域62b：第二区域64：第一光电元件64a：蓝光发光二极管阵列64b：第一波长转换体66：第二光电元件68：散热结构69：遮光板70：凹槽结构71：反射层72：透光材料73：罩体结构74：隔热结构具体实施方式以下将通过实施例来解释本专利技术的多维度发光装置的各种变化，有关本专利技术的特征与实施方式，兹配合附图说明如下。需说明者，本专利技术的实施例并非用以限制本专利技术需在如实施例所述的环境、应用或方式下方能实施。且各实施例间除显有冲突外当可彼此参照，任意组合以形成本专利技术的其他实施例。此外，附图仅为简化的示意图，其所显示的元件、数量、形状、或其他特征并非用以限制具体的实施方式，在此合先叙明。首先，请先参考图1A，其为本专利技术第一实施例的多维度发光装置10的立体示意图。多维度发光装置10可电连接至一标准化供电系统1，如市电系统、网络系统、电话系统、工业用电系统。多维度发光装置10包含数条导线10a、两个电极10b、一载体12、一第一光电元件14、四个第二光电元件16以及四个散热结构18。如图1B所示，载体12可划分为一第一区域12a及四个第二区域12b，此四个第二区域12b以第一区域12a为中心而向外环绕分布，其多维度分布型态如随机分布、镜面对称、旋转对称、辐射对称等。第一光电元件14包含上下叠置的一蓝光发光二极管阵列14a以及一第一波长转换体14b，蓝光发光二极管阵列14a包含数个蓝光发光二极管管芯(图未示出)，此些蓝光发光二极管管芯以一多维度形态分布，如：Z字分布、交叉分布、ㄇ字型分布等，且为串联、并联或串并联混合。由此多维度形态分布可以使发光二极管阵列14a可承受大于单一管芯的操作电压、电流并可直接与标准化供电系统1相连接、或搭配第二光电元件16再与标准化供电系统1相连接。具体而言，一或多个发光二极管阵列14a串联后再选择性地(亦即可选择连接或不连接)串联、并联、或串并联第二光电元件16、电阻、电容、电感等其他电子元件后，即可以与标准化供电系统1直接相连，例如，标准化供电系统1可提供X伏特的电压，一个发光二极管阵列14a可承受的电压等于或接近X/N(N属于任意正整数)，串接N个发光二极管阵列14a即可直接承受X伏特的电压。蓝光发光二极管阵列14a通过适当连接材料(图未示出)安置于载体12的第一区域12a上。第一波长转换体14b覆盖设置于蓝光发光二极管阵列14a之上，较佳地，第一波长转换体14b选用一种黄色波长转换体，例如黄色荧光粉、黄色染料、黄色滤光器等。黄色荧光粉如YAG、TAG、氮化物荧光粉、硅酸盐类荧光粉等。在本实施例中，图1A的四个第二光电元件16中至少其一包含一红光发光二极管阵列(亦即包含数个红光发光二极管管芯)或一红光发光二极管管芯，并以适当连接材料(图未示出)安置于载体12的第二区域12b之上。较佳地，蓝光发光二极管阵列14a与红光发光二极管阵列应相隔一适当距离，以避免红光发光二极管阵列吸收蓝光发光二极管阵列14a的光线、或受到蓝光发光二极管阵列14a的发热影响而使效能劣化。此距离如大于0.5mm、1mm、2.0mm、3.0mm、4.0mm、5.0mm、1.0cm、2.0cm、3.0cm、4.0cm、或5.0cm以上。此外，红光发光二极管阵列或管芯的操作电压可以小于、等于、接近、或大于蓝光发光二极管阵列14a的操作电压。标准化供电系统1可通过导线(图未示出)分别与多维度发光装置10的电极10b电连接。如图1A所示，电极10b、第一光电元件14及第二光电元件16以多条导线10a电连接，标准化供电系统1使第一光电元件14及各个第二光电元件16分别产生一第一光线及一第二光线以混合成一混合光。此混合光可相当于1500K～2500K的烛光、2500K～3500K的白炽灯、4500K～5000K的氙气灯、5500K～5600K的闪光灯。其中3300K以下常称为暖白光；3300K～5300K常称为冷白光；5300K以上常称为冷色光。通过应用本专利技术的各实施例的设计原理可以产生多样化色温的混合光。与蓝光发光二极管本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，包含：载体，包含一凹槽结构；第一光电元件，包含：蓝光发光二极体管芯，设置于上述凹槽结构的周围；及第一波长转换体，覆盖于上述蓝光发光二极体管芯上，且未覆盖上述凹槽结构；以及第二光电元件，设置于上述凹槽结构之中，上述蓝光发光二极体管芯与上述第二光电元件的温度系数不同；其中，上述第一光电元件及上述第二光电元件分别产生一第一光线及一第二光线，上述第一光线与上述第二光线混合成一混合光。
【技术特征摘要】
2010.08.18 CN 20101025820131.一种发光装置，包含：载体，包含一凹槽结构；第一光电元件，包含：第一蓝光发光二极体管芯及第二蓝光发光二极体管芯，分别设置于上述凹槽结构的周围；及第一波长转换体，覆盖于上述第一蓝光发光二极体管芯及上述第二蓝光发光二极体管芯上，且未覆盖上述凹槽结构；以及第二光电元件，设置于上述凹槽结构之中，且介于上述第一蓝光发光二极体管芯及上述第二蓝光发光二极体管芯之间，上述第一蓝光发光二极体管芯及上述第二蓝光发光二极体管芯与上述第二光电元件的温度系数不同；其中，上述第一光电元件及上述第二光电元件分别产生一第一光线及一第二光线，上述第一光线与上述第二光线混合成一混合光。2.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢明勋，沈建赋，洪详竣，柯淙凯，王希维，韩政男，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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