电流施加装置以及半导体元件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电流施加装置以及半导体元件的制造方法。电流施加装置(1)具备接触体(2)和按压体(3)。接触体(2)具有用于施加检查电流的多个突起(21)，与半导体元件(22)的主动区(23)内的接触区(24)接触。按压体(3)将接触体(2)按压到半导体元件(22)上，以使各突起(21)与接触区(24)接触。多个突起(21)被配置成外侧的突起(21)的配置密度比内侧的突起(21)的配置密度大。该电流施加装置能够无障碍地施加检查所需大小的检查电流。

【技术实现步骤摘要】
电流施加装置以及半导体元件的制造方法
本专利技术涉及对半导体元件施加检查电流的电流施加装置以及利用该电流施加装置制造半导体元件的制造方法。
技术介绍
一般来讲，用于半导体元件检查的半导体元件检查装置具备电流施加装置，该电流施加装置对半导体元件施加用于检查半导体元件电力特性的检查电流。在现有技术中，作为这种电流施加装置已知有经由具有突起群的接触体(探测体)施加检查电流的一种装置，所述突起群由以固定间隔配置的多个突起构成(例如，参照专利文献1)。在这种电流施加装置中，利用弹簧将接触体按压到半导体元件上，使得构成突起群的各突起与半导体元件的电极等接触，并同时施加检查电流。这时，接触体因接触从半导体元件受到的反作用力分散至各突起，所以能够延缓突起顶端的金镀层等的磨损。因此，能够长期维持施加检查电流时半导体元件与接触体间的稳定的电性接触。另外，通过这种方式，接触体通过各突起与半导体元件的电极等良好地接触，并且检查电流通过各突起而被分散施加，所以能够施加大的检查电流。专利文献1：日本特开2007－218675号公报另外，对IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和功率MOSFET(场效应管)等电力用半导体元件进行筛选检查(screeningtest)时，对半导体元件的主动区(activearea)内的接触区施加大电流。这时，认为优选的是利用具有如上所述的突起群的接触体并通过各突起均匀分散地施加检查电流，从而能够尽可能均匀地在接触区整体上施加大电流。在这种情况下，基于所需检查电流的大小和1个突起上能够施加的临界电流值，就能够决定所需突起的数量。另外，根据该突起的数量，能够以对应主动区上的接触区的面积的方式设定接触体上的突起的排列间隔。然而，在利用这种接触体时，发现即使只向接触体供给比所需大小的检查电流小的电流时，在一部分突起上流通的电流值也会达到临界电流值从而无法施加所需大小的检查电流的问题。
技术实现思路
鉴于现有技术中的问题，本专利技术的目的在于提供一种能够无障碍地施加半导体元件的检查所需大小的检查电流的电流施加装置以及一种制造利用该电流施加装置适当地进行了检查的半导体元件的方法。本专利技术的电流施加装置是一种对半导体元件施加检查电流的装置，该电流施加装置的特征在于具备接触体和按压体，所述接触体具有与所述半导体元件的主动区内的接触区接触并用于施加检查电流的多个突起，所述按压体将所述接触体按压至所述半导体元件，使得所述突起与所述接触区接触，所述多个突起当中，外侧的突起的配置密度比内侧的突起的配置密度大。在本专利技术中，突起的配置密度是指用规定区域内配置的突起的数量或面积比表示的指标，例如通过突起的配置间隔或配置面积来确定。根据本专利技术的电流施加装置，在对半导体元件施加检查电流时，接触体被按压到半导体元件上，使得接触体的突起与半导体元件的主动区内的接触区接触。在这种状态下，检查电流被供给到接触体，并经过突起被施加到半导体元件的主动区上。这时，如果将接触体上的各突起的配置密度设定成在接触体整体上均匀，因多个突起当中位于外侧的突起的外侧没有其他的突起存在，主动区周边较为宽阔，因此从位于外侧的突起流入主动区的电流不仅流入该外侧突起附近的主动区范围，还流入到该范围外的主动区周边一侧。而另一方面，从多个突起当中内侧的突起流入电流的主动区范围因与其周围存在的其他突起的关系，与外侧的突起相比更受限制。由此，与内侧的突起相比，从外侧的突起流入主动区的电流更多。因此，外侧的突起与内侧的突起相比，向接触体流入较小的供给电流也会达到临界电流值。所以，与电流从所有的突起均等地流入主动区的情形相比，能够供给到接触体的电流较小。因此，在设想了电流从所有的突起均匀地流通的情况下，以能够施加所需大小的检查电流的方式来设计接触体的突起数量等时，则有可能违背意愿而无法施加所需大小的检查电流。关于这一点，在本专利技术中，由于外侧突起的配置密度比内侧突起的配置密度大，对突起的配置密度适当地进行了决定，从而能够使各突起上流入主动区的电流的大小均匀化，能够实现从一定数量的突起向接触体施加的电流的最大化。由此，能够简单地设定用于获得所需大小的检查电流的突起数量，能够无障碍地施加具有想要大小的检查电流。在本专利技术中，通过多个突起的配置间隔来确定所述配置密度时，可以将多个突起当中外侧的突起的配置间隔设定得比内侧的突起的配置间隔小。另外，所述多个突起配置在多角形区域内，所述突起的配置间隔可以设定成所述区域外周部分的突起的配置间隔比所述区域内部的突起的配置间隔小，且外周部分的突起当中所述区域角落部分的突起的配置间隔更小。根据这种设定，能够在接触体整体上更为有效地实现从接触体的各突起流入主动区的电流的大小的均匀化。在本专利技术中，所述突起的配置间隔可以设定成：与从各突起的配置间隔整体上是均匀的接触体对所述接触区施加检查电流时所述主动区的电流密度高的部分对应的各突起的配置间隔比与该电流密度低的部分对应的各突起的配置间隔小。通过这种设定，能够在考虑了利用具有上述配置间隔均匀的突起的接触体施加检查电流时主动区上的电流密度分布的基础上，设定突起的配置间隔。由此，能够在接触体整体上进一步有效地实现从接触体的各突起流入主动区的电流大小的均匀化。在本专利技术中，当以多个突起的配置面积来确定所述配置密度时，可以将所述多个突起当中外侧的突起的配置面积设定得比内侧的突起的配置面积大。另外，所述多个突起配置在多角形状的区域内，所述多个突起的配置面积可以设定成所述区域外周部分的突起的配置面积比所述区域内部的突起的配置面积大，且所述区域外周部分的突起当中所述区域的角落部分的突起的配置面积比其他外周部分的突起的配置面积大。通过这种设定，能够在接触体整体上更有效地实现从接触体的各突起流入主动区的电流的大小的均匀化。在本专利技术中，所述多个突起的配置面积可以设定成：与从各突起的配置面积整体上是均匀的接触体对所述接触区施加检查电流时所述主动区的电流密度高的部分对应的各突起的配置面积比与该电流密度低的部分对应的各突起的配置面积大。通过这种设定，能够在接触体整体上更有效地实现从接触体的各突起流入主动区的电流的大小的均匀化。本专利技术的半导体元件的制造方法的特征在于具备：形成步骤，在该形成步骤中，形成半导体元件；电流施加步骤，在该电流施加步骤中，利用本专利技术的电流施加装置对通过所述形成步骤形成的半导体元件施加检查电流；和判定步骤，在该判定步骤中，基于所述检查电流，判定在所述电流施加步骤中被施加了该检查电流的半导体元件是否满足规定性能。根据上述特征，能够制造利用电流施加装置适当地进行了检查的半导体元件，所述电流施加装置能够无障碍地施加半导体元件检查所需电流大小的检查电流。附图说明图1是本专利技术一实施方式的电流施加装置的斜视图。图2是图1的电流施加装置的分解斜视图。图3是图1的电流施加装置上的接触体的一部分区域的放大图。图4是图3的接触体上设置的突起的斜视图。图5是通过图1的电流施加装置施加检查电流的半导体元件的平面图的。图6是表示模拟结果的图，该图表示由现有技术中的接触体施加检查电流时主动区(activearea)上的电流密度分布。图7表示在除了在接触体上追加突起以外其余条件与图6的模拟条件相同的情况下由模拟获得的结果的图。图8表示图1的电流施加装置上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流施加装置，其对半导体元件施加检查电流，该电流施加装置的特征在于：具备接触体和按压体，所述接触体具有与所述半导体元件的主动区内的接触区接触并用于施加检查电流的多个突起，所述按压体将所述接触体按压至所述半导体元件，使得所述突起与所述接触区接触，在所述接触体中，所述多个突起被配置成：所述多个突起当中，外侧的突起的配置密度比内侧的突起的配置密度大。

【技术特征摘要】
2013.11.15 JP 2013-2368861.一种电流施加装置，其对半导体元件施加检查电流，该电流施加装置的特征在于：具备接触体和按压体，所述接触体具有与所述半导体元件的主动区内的接触区接触并用于施加检查电流的多个突起，所述按压体将所述接触体按压至所述半导体元件，使得所述突起与所述接触区接触，所述多个突起的配置密度被设定成：与使用所述突起的配置密度整体上是均匀的接触体对所述接触区施加检查电流时所述主动区的电流密度高的部分对应的所述突起的配置密度比与该电流密度低的部分对应的各突起的配置密度大。2.根据权利要求1所述的电流施加装置，其特征在于，所述多个突起当中，外侧的突起的配置间隔比内侧的突起的配置间隔小。3.根据权利要求1或2所述的电流施加装置，其特征在于，所述多个突起配置在矩形区域内，所述多个突起当中，所述区域的外周部分的突起的配置间隔比所述区域的内部的突起的配置间隔小，且该区域的外周部分的突起中，所述区域的角落部分的突起的配置间隔比该区域的外周部分的其他突起的配置间隔小。4.根据权利要求1所述的电流施加装置，其特征在于，所述多个突起...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川聪志，赤堀重人，米田真也，齐藤仁，山路阳子，
申请(专利权)人：本田技研工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP