半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制凸块的接合不良的半导体装置的制造方法。实施方式是在第一半导体芯片的第一面形成第一凸块电极，且在第二半导体芯片的第二面形成第二凸块电极与突起。以第一面与第二面相对的方式，使用突起将第一&第二半导体芯片固定。对所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片进行回流焊而使它们电连接，其后以低于回流焊温度的温度使突起硬化。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2013-230650号(申请日：2013年11月6日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置的制造方法。
技术介绍
为了实现半导体装置的小型化或高功能化，在一个封装体内积层多个半导体芯片并密封而成的SiP(SysteminPackage，系统级封装)构造的半导体装置不断被实用化。在SiP构造的半导体装置中，要求高速地收发半导体芯片间的电信号。在这种情况下，半导体芯片间的电连接使用微凸块。微凸块具有例如5～50μm左右的直径，且以10～100μm左右之间距通过焊料形成在半导体芯片的表面。这种半导体装置中，期望谋求抑制微凸块的接合不良。
技术实现思路
本专利技术的一个实施方式提供一种能够抑制凸块的接合不良的半导体装置的制造方法。根据本专利技术的一个实施方式，在第一半导体芯片的第一面形成第一凸块电极，在第二半导体芯片的第二面形成第二凸块电极与突起，以所述第一面与所述第二面相对的方式，使用所述突起将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片固定，在高于所述第一凸块电极与所述第二凸块电极中所含的金属的至少一部分金属的熔点的温度环境下，将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片电连接，在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片的电连接之后，在低于所述第一凸块电极与所述第二凸块电极中所含的金属的熔点的温度环境下使所述突起硬化。附图说明图1是第一实施方式的半导体装置的剖视图。图2是沿图1所示的A-A线的箭线剖视图。图3是表示半导体装置的制造步骤的流程图。图4是表示半导体装置的制造步骤的剖视图。图5是表示半导体装置的制造步骤的剖视图。图6是表示图1所示的半导体装置的制造步骤的流程图，且是表示作为比较例的制造步骤的流程图。图7是第二实施方式的半导体装置的剖视图。具体实施方式以下，参照附图对实施方式的半导体装置进行详细说明。此外，并非由这些实施方式限定本专利技术。例如，本实施方式的表示上下左右等方向的说明是指将附图上的上方向设为上的情况下的相对方向。即，存在本实施方式中所示的方向与以重力加速度方向为基准的方向不同的情况。(第一实施方式)首先，对半导体装置的构成进行说明。图1是第一实施方式的半导体装置的剖视图。图2是沿图1所示的A-A线的箭线剖视图。半导体装置10包含第一半导体芯片2与第二半导体芯片3。第一半导体芯片2的上表面(第一面)2a具有第一连接区域，且在第一连接区域内形成着第一凸块电极5a。第二半导体芯片3的下表面(第二面)3a具有与第一连接区域相对的第二连接区域，且在第二连接区域内形成着第二凸块电极5b。具有第一面2a的第一半导体芯片2、与具有第二面3a的第二半导体芯片3以使第一面2a与第二面3a相对的方式积层。另外，第二半导体芯片3使第二凸块电极5b与第一凸块电极5a连接，且积层在第一半导体芯片2上。即，第一半导体芯片2与第二半导体芯片3经由第一凸块电极5a与第二凸块电极5b的连接体(凸块连接部)5而电性及机械地连接。所谓连接区域，意指半导体芯片2、3的表面2a、3a上的第一凸块电极5a、第二凸块电极5b的形成区域。所谓第一凸块电极5a、第二凸块电极5b，意指形成将第一半导体芯片2与第二半导体芯片3电性及机械地连接的凸块连接部的电极。第一凸块电极5a与第二凸块电极5b中所使用的材料可例示焊料、金(Au)等。作为第一凸块电极5a与第二凸块电极5b的组合，可例示焊料/焊料、金(Au)/焊料、焊料/金(Au)、金(Au)/金(Au)等组合。作为形成第一凸块电极5a与第二凸块电极5b的焊料，可例示无铅(Pb)焊料，该无铅(Pb)焊料使用在锡(Sn)中添加着铜(Cu)、银(Ag)、铋(Bi)、铟(In)等的锡(Sn)合金。作为无铅(Pb)焊料的具体例，可列举锡(Sn)-铜(Cu)合金、锡(Sn)-银(Ag)合金、锡(Sn)-银(Ag)-铜(Cu)合金等。形成第一凸块电极5a与第二凸块电极5b的金属也可以使用铜(Cu)、镍(Ni)、锡(Sn)、钯(Pd)、银(Ag)等来代替金(Au)。这些金属并不限于单层膜，也可以使用多层的金属积层膜。作为第一凸块电极5a、第二凸块电极5b的形状，可列举半球状或柱状等突起形状，但也可以为像焊垫那样的平坦形状。作为第一凸块电极5a与第二凸块电极5b的组合，可列举突起体彼此的组合、突起体与平坦体的组合等。此处，本实施方式是采取如下例子进行说明，即，对第一凸块电极5a使用从第一半导体芯片2侧起为镍(Ni)与金(Au)的积层膜，对第二凸块电极5b使用从第二半导体芯片3侧起为镍(Ni)与无铅(Pb)焊料的积层膜。第一半导体芯片2与第二半导体芯片3经由凸块连接部5而电连接。经由凸块连接部5在第一半导体芯片2与第二半导体芯片3之间收发电信号。在第一半导体芯片2的上表面2a上的除第一连接区域以外的区域(第一非连接区域)、及第二半导体芯片3的下表面3a上的除第二连接区域以外的区域(第二非连接区域)的至少一区域设置着突起6。突起6由使用例如环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸系树脂、酚系树脂等的热固性树脂形成。突起6是以第一半导体芯片2与第二半导体芯片3之间的间隙(间距)成为所设定的凸块电极5a、5b的连接高度(凸块连接部5的设定高度)的方式设置。在压接第一半导体芯片2与第二半导体芯片3时，它们的间隙(间距)由突起6界定，因此能够抑制凸块连接部5的过度压扁或凸块电极5a、5b间的连接不良(开路不良)等的产生。突起6的前端与第一非连接区域及第二非连接区域的另一区域粘着。在将第一凸块电极5a与第二凸块电极5b连接时，突起6强化第一半导体芯片2与第二半导体芯片3的连接状态。在经由凸块连接部5而连接的第一半导体芯片2的第一面2a与第二半导体芯片3的第二面3a的间隙中填充着底部填充树脂7。通过在第一半导体芯片2的第一非连接区域与第二半导体芯片3的第二非连接区域之间设置突起6，而能够提高填充底部填充树脂7之前的第一半导体芯片2与第二半导体芯片3的连接强度。即，第一半导体芯片2与第二半导体芯片3在填充底部填充树脂7之前，除了通过第一凸块电极5a与第二凸块电极5b的凸块连接部5而连接以外，也通过突起6而连接。因此，可提高填充底部填充树脂7之前的连接强度。设置在第一半导体芯片2的第一凸块电极5a与设置在第二半导体芯片3的第二凸块电极5b通过例如一面加热一面进行压接而连接。在半导体芯片2、3的表面设置着像聚酰亚胺树脂膜那样的未图示的有机绝缘膜(绝缘膜)作为通常保护膜。构成半导体芯片2、3的硅基板的热膨胀系数为3ppm左右，相对于此，聚酰亚胺树脂的热膨胀系数较大为35ppm左右。因此，在半导体芯片2、3易产生翘曲，尤其是有半导体芯片2、3的厚度变得越薄则翘曲量变得越大的倾向。此处，利用突起6强化与半导体芯片2、3的连接状态，从而可抑制在将凸块电极5a、5b连接时、或连接之后因半导体芯片2、3的翘曲而导致凸块电极5a、5b的凸块连接部5破断的情况。突起6在半导体芯片2、3间局部地设置。因此，可提高第一半导体芯片2与第二半导体芯片3的位置对准精度或第一凸块电极5a与第二凸块电极5b的连接性。例如将像NCF(Non本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于：在第一半导体芯片的第一面形成第一凸块电极；在第二半导体芯片的第二面形成第二凸块电极与突起；以所述第一面与所述第二面相对的方式，使用所述突起将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片固定；在高于所述第一凸块电极与所述第二凸块电极中所含的金属的至少一部分金属的熔点的温度环境下，将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片电连接；且在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片的电连接之后，在低于所述第一凸块电极与所述第二凸块电极中所含的金属的熔点的温度环境下使所述突起硬化。

【技术特征摘要】
2013.11.06 JP 2013-2306501.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：在第一半导体芯片的第一面形成第一凸块电极；在第二半导体芯片的第二面形成第二凸块电极与包含热固性树脂的突起；透过将所述突起在低于所述第一凸块电极与所述第二凸块电极中所含的金属的熔点的温度环境下热压接在所述第一面，以所述第一面与所述第二面相对的方式，使用所述突起将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片固定；所述固定后，在高于所述第一凸块电极与所述第二凸块电极中所含的金属的至少一部分金属的熔点的温度环境下，将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片电连接；且在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片的电连接之后，在低于所述第一凸块电极与所述第二凸...

【专利技术属性】
技术研发人员：筑山慧至，福田昌利，尾山幸史，深山真哉，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP