氮化物结构体和半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种氮化物结构体和半导体装置，其特性得以提高。根据实施方式，氮化物结构体包括层叠体。所述层叠体包括：含硅基体、含AlN的第1氮化物区域和含Al<subgt;z2</subgt;Ga<subgt;1‑z2</subgt;N(0≤z2<1)的第2氮化物区域。所述第1氮化物区域在第1方向上设置在所述基体与所述第2氮化物区域之间。所述层叠体包括第1界面区域，所述第1界面区域包括所述基体与所述第1氮化物区域之间的第1界面。第1界面区域包括所述第1方向上的第1峰值位置。所述层叠体中沿着所述第1方向的氯浓度分布在所述第1峰值位置具有氯峰值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及氮化物结构体和半导体装置。

技术介绍

1、例如在基于氮化物结构体的半导体装置中，期待特性的提高。

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、本专利技术的实施方式提供一种能够提高特性的氮化物结构体和半导体装置。

3、解决课题的手段

4、根据本专利技术的实施方式，氮化物结构体包括层叠体。该层叠体包括：含硅基体、含aln的第1氮化物区域和含alz2ga1-z2n(0≤z2<1)的第2氮化物区域。所述第1氮化物区域在第1方向上设置在所述基体与所述第2氮化物区域之间。所述层叠体包括第1界面区域，所述第1界面区域包括所述基体与所述第1氮化物区域之间的第1界面，所述第1界面区域包括所述第1方向上的第1峰值位置，所述层叠体中沿着所述第1方向的氯浓度分布在所述第1峰值位置具有氯峰值。

5、专利技术效果

6、根据上述构成的氮化物结构体，可以提供能够提高特性的氮化物结构体以及半导体装置。

【技术保护点】

1.氮化物结构体，其具备层叠体，

2.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，

3.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，

4.权利要求3所述的氮化物结构体，其中，

5.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，

6.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，

7.权利要求6所述的氮化物结构体，其中，

8.权利要求6所述的氮化物结构体，其中，

9.权利要求6所述的氮化物结构体，其中，

10.半导体装置，其具备：

【技术特征摘要】

1.氮化物结构体，其具备层叠体，

2.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，

3.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，

4.权利要求3所述的氮化物结构体，其中，

5.权利要求1所述的氮化物结构体，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：名古肇，吉田学史，田岛纯平，彦坂年辉，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：