【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。尤其涉及在容纳功率半导体元件的外装壳体中固定控制电路基板而成的半导体装置。
技术介绍
作为控制发动机等的半导体装置,众所周知的有在由树脂制成的外装壳体中内置IGBT(绝缘栅型双极晶体管:InsulatedGateBipolarTransistor)等的功率半导体元件的半导体模块。另外,在半导体模块中也有具备控制功率半导体元件的控制电路基板的。对具备控制电路基板的功率半导体模块来说,功率半导体元件在开关动作时产生的噪声会在控制电路基板和功率半导体元件之间相互产生影响。因此,控制电路基板固定在外装壳体中,与功率半导体元件分开噪声影响不到的程度。控制电路基板例如通过螺丝紧固而固定在外装壳体的外侧。近来的电子仪器所追求的高速化、小型化、低耗电化对抵抗外来噪声的电子仪器的抗噪性有了严格要求。另外,一方面外来噪声的发生源日益增加,而一方面在去除现有的干扰性噪声的基础上,对于电子仪器的抗噪性有了强烈的需求。尤其是,关于使用环境苛刻的车载用的电子仪器(车载用智能功率模块等),根据制造商的要求规格,需要有比现有水平高的更严格的防噪对策。因此,目 ...
【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括容纳在外装壳体中的半导体元件、远离该半导体元件而固定在该外装壳体中的控制电路基板以及设在该半导体元件和该控制电路基板之间的屏蔽板,该外装壳体上设有支柱,该支柱在前端具有比该屏蔽板的厚度还长的凸部,在该屏蔽板中形成有供该支柱的凸部贯穿的贯通孔,该屏蔽板通过卡止到该凸部的固定单元而固定到该支柱。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.10.29 JP 2012-238285;2013.06.28 JP 2013-136271.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括容纳在外装壳体中的半导体元件、远离该半导体元件而固定在该外装壳体中的控制电路基板以及设在该半导体元件和该控制电路基板之间的屏蔽板,该外装壳体上设有支柱,该支柱在前端具有比该屏蔽板的厚度还长的凸部,在该屏蔽板中形成有供该支柱的凸部贯穿的贯通孔,该屏蔽板通过卡止到该凸部的固定单元而固定到该支柱,所述支柱的前端与所述控制电路基板的背面抵接。2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述固定单元为环状紧固件,所述环状紧固件被安装于所述支柱的贯穿所述屏蔽板的贯通孔而突出的凸部。3.如权...
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