深浅双沟槽结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种深浅双沟槽结构，解决深沟槽刻蚀技术中沟槽横向刻蚀距离和刻蚀效率的问题。包括一硅片，一刻蚀形成于所述硅片表面的浅沟槽，一刻蚀形成于所述浅沟槽底部的深沟槽，所述浅沟槽和所述深沟槽的结合处形成台阶。本实用新型专利技术在现有设备机台的情况下能完成更大沟深的刻蚀，并且能使作业时间控制在可接受范围内，有效控制沟槽横向刻蚀的程度，使得后续工艺再不做改变的情况下适用于大沟深的情况。

【技术实现步骤摘要】

本技术是关于一种沟槽结构，且特别是有关于一种在现有的设备基础上，为配合新产品的开发，可以使得后续工艺在不做大的改动的情况下满足新产品要求的深浅双沟槽结构。
技术介绍
按，沟槽工艺是分立元器件最常使用到的工艺，如何刻蚀出满足要求并且能便于后续沟槽保护工艺运行的沟槽成为此类工艺的难点。惟，现有沟槽工艺是一次成型的，使得沟槽深度很深，而现有光刻胶覆盖工艺在面对这种一次成型的大沟深的情况时，无法兼顾保护沟槽和外观显影正常这两个方面的制约，使得现有沟槽的深度无法超过90um。并且由于是一次成型，使得沟槽横向刻蚀的距离会非常大，不便于后面的工艺。另外由于沟槽刻蚀速率随着刻蚀时间的增加而减小，使得深沟槽(大于10um)的刻蚀很困难。针对上述现有深沟槽刻蚀技术中存在的缺陷或不足，本申请人遂以其多年从事本行业的制造经验和技术累积，积极地研宄如何从结构上作改良，以期能改善先前技术之缺失，终于在各方条件的审慎考虑下开发出本技术。
技术实现思路
本技术之主要目的在于提供一种深浅双沟槽结构，保证现有光刻胶覆盖工艺能有效的覆盖并保护深沟槽，并使得对于大于10um深度的沟槽的刻蚀时间在可接受范围内，同时减小由于横向刻蚀带来的沟槽变宽的幅度。为达上述的目的及功效，本技术采用以下
技术实现思路
:一种深浅双沟槽结构，包括:一硅片；一浅沟槽，刻蚀形成于所述硅片的表面；一深沟槽，刻蚀形成于所述浅沟槽的底部；其中，所述浅沟槽和所述深沟槽的结合处形成台阶；其中所述深沟槽的深度为75?120um ;其中所述浅沟槽的宽度为200?600um。本技术至少具有以下有益效果:本技术揭示了深浅双沟槽结构。本技术在现有设备机台的情况下能完成更大沟深的刻蚀，并且能使作业时间控制在可接受范围内；能有效控制沟槽横向刻蚀的程度；能使得后续工艺再不做改变的情况下适用于大沟深的情况。本技术的其他目的和优点可以从本技术所揭露的
技术实现思路
得到进一步的了解。为了让本技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例并配合所附图式作详细说明如下。【附图说明】图1为本技术的沟槽截面图。图2为第一次刻蚀后的沟槽截面图。图3为第二次刻蚀后的沟槽截面图。图4为本技术的制造方法的流程示意图。【符号说明】I 一次沟槽II 二次沟槽I 硅片2浅沟槽3深沟槽4 台阶【具体实施方式】本技术揭示之内容涉及一种深浅双沟槽结构，接下来将透过实施例并配合所附图式，说明本技术与先前技术相比具有创新、进步或功效等独特技术部分，使本领域普通技术人员能据以实现。须说明的是，本领域普通技术人员在不悖离本技术的精神下所进行的修饰与变更，均不脱离本技术的保护范畴。请参阅图1，本实施例之深浅双沟槽结构，是在硅片I上形成所需深度的沟槽，包括刻蚀形成于硅片I表面的浅沟槽2，以及刻蚀形成于浅沟槽2底部的深沟槽3。上述浅沟槽2和深沟槽3在两者的结合处形成了台阶4。本实施例最终所形成的沟槽，深沟槽处的深度为75?120um，浅沟槽处的宽度为200?600um，但本技术并不限制于此。本技术所形成的沟槽宽度在可接受的范围内。请参阅图2、图3和图4，本技术之深浅双沟槽的结构特征已详述如上，接下来将进一步说明如何形成上述深浅双沟槽结构，其主要包括下列步骤:首先，执行步骤SlOO:提供一硅片I。接着，执行步骤SlOl:使用第一光罩(图中并未示出)对硅片I进行光刻胶覆盖、曝光和显影。然后，执行步骤S102:使用酸性液体对硅片I进行第一次刻蚀形成一次沟槽I (参见图2)，并清洗光刻胶。然后，执行步骤S103:使用第二光罩(图中并未示出)对硅片I包括上述一次沟槽I的位置进行光刻胶覆盖、曝光和显影。最后，执行步骤S104:使用酸性液体对硅片I包括上述一次沟槽I的位置继续进行第二次刻蚀，在一次沟槽I的基础上刻蚀形成二次沟槽II (参见图3)，并清洗光刻胶。上述步骤S101、S103的实施要项是:第一光罩和第二光罩的大小要求不同，使得第一次刻蚀形成一次沟槽I和第二次刻蚀形成的二次沟槽II的沟槽宽度不同；并使得最终形成的二次沟槽II由浅沟槽2、深沟槽3两部分组成，浅沟槽2和深沟槽3在结合处形成台阶4。本技术，即二次沟槽II，为两次刻蚀形成，步骤S102、S104的刻蚀时间均在可接受的范围内。1、测量沟槽的深度，确保沟槽深度达到所需要的深度。2、检查晶片的外观，确保沟槽外观无异常。以上所述仅为本技术的实施例，其并非用以限定本技术的专利保护范围。任何熟习相像技艺者，在不脱离本技术的精神与范围内，所作的更动及润饰的等效替换，仍落入本技术的专利保护范围内。【主权项】1.一种深浅双沟槽结构，其特征在于，包括: 一娃片; 一浅沟槽，刻蚀形成于所述硅片的表面； 一深沟槽，刻蚀形成于所述浅沟槽的底部； 其中，所述浅沟槽和所述深沟槽的结合处形成台阶。2.如权利要求1所述的深浅双沟槽结构，其特征在于，其中所述深沟槽的深度为75?120umo3.如权利要求1所述的深浅双沟槽结构，其特征在于，其中所述浅沟槽的宽度为200?600umo【专利摘要】本技术提供一种深浅双沟槽结构，解决深沟槽刻蚀技术中沟槽横向刻蚀距离和刻蚀效率的问题。包括一硅片，一刻蚀形成于所述硅片表面的浅沟槽，一刻蚀形成于所述浅沟槽底部的深沟槽，所述浅沟槽和所述深沟槽的结合处形成台阶。本技术在现有设备机台的情况下能完成更大沟深的刻蚀，并且能使作业时间控制在可接受范围内，有效控制沟槽横向刻蚀的程度，使得后续工艺再不做改变的情况下适用于大沟深的情况。【IPC分类】H01L29-06, H01L29-78【公开号】CN204303818【申请号】CN201420846832【专利技术人】吴宗杰, 夏杰宇 【申请人】力特半导体（无锡）有限公司【公开日】2015年4月29日【申请日】2014年12月26日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深浅双沟槽结构，其特征在于，包括：一硅片；一浅沟槽，刻蚀形成于所述硅片的表面；一深沟槽，刻蚀形成于所述浅沟槽的底部；其中，所述浅沟槽和所述深沟槽的结合处形成台阶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗杰，夏杰宇，
申请(专利权)人：力特半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32