一种光刻胶厚胶坚膜方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻胶厚胶坚膜方法，该方法包括：将光刻胶依次进行多次温度递增的升温处理和保温处理，使所述光刻胶从室温升至65-75℃，并进行降温处理，所述升温处理、所述保温处理和所述降温处理的总时间和为2h。本发明专利技术由于采用了梯度升温的方式对光刻胶进行坚膜，使光刻胶由内到外受热均匀，有效避免了现有技术中对厚胶坚膜易变性和变形的问题，并提高了光刻胶的抗性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学
，尤其涉及。
技术介绍
光刻胶，又称光致抗蚀剂(photoresist)，是指通过紫外光、电子束、离子束或X射线等的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。半导体工业中通过将光刻胶旋涂到基片上，随后显影，使曝光区域光刻胶溶解，非曝光区光刻胶残留，从而在晶片上产生特定的图案化区域。在液态的光刻胶中，溶剂成分占65% — 85%，用胶之后虽然液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10% — 30%的溶剂，造成光刻胶材质较软，且容易玷污灰尘，因此，光刻胶的应用过程中不可避免的要涉及到光刻胶的烘焙，具体包括前烘、后烘以及坚膜工-H-O前烘主要用于蒸发光刻胶中的有机溶剂，增强胶膜与基片之间的粘附性，通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来(前烘后溶剂含量降至5%左右)，从而降低了灰尘的玷污，同时还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，提高光刻胶的附着性。后烘是为了提高光刻面形，厚胶大于5 μ m时则不需使用后烘工艺，而采用坚膜工艺，通过坚膜可以去除残余的显影液和水分，改善胶膜与基片的粘附性，使光刻胶韧化，提高抗刻蚀能力且不易浮胶。采用适用于薄胶的恒温坚膜法，温度过低时，坚膜不足，溶剂残留，且后续工艺过程中易浮胶，胶层易被破坏，而坚膜温度过高时，图形表面迅速硬化，内部却依然存在部分溶剂，使材质较软易塌陷，或者会由于溶剂挥发热膨胀翘曲、剥落或变形。
技术实现思路
鉴于上述的分析，本专利技术旨在提供，用以解决现有技术中对厚胶坚膜易变性的问题。为解决上述问题，本专利技术主要是通过以下技术方案实现的:本专利技术提供了，该方法包括:将光刻胶依次进行多次温度递增的升温处理和保温处理，使所述光刻胶从室温最终升至65-75°C，并进行降温处理，所述升温处理、所述保温处理和所述降温处理的总时间和为 1.5-2.5min。优选地，所述将光刻胶依次进行多次温度递增的升温处理和保温处理，使所述光刻胶从室温最终升至65-75?，并进行降温处理的步骤具体包括:对所述光刻胶进行第一阶段升温处理，所述第一阶段升温处理的温度达到45-55 0C，并保温 20-30min ；将第一阶段升温处理后的所述光刻胶进行第二阶段升温处理，所述第二阶段升温处理的温度达到65-75°C，并保温25-35min后降至室温。优选地，所述第一阶段升温处理的升温速度为0.5-rC /S。优选地，所述第二阶段升温处理的升温速度为0.5-re /S。优选地，所述降温处理的降温速度为30-50°C /Imin0优选地，所述光刻胶的厚度为7-10 μ m。本专利技术有益效果如下:本专利技术采用梯度升温的方式对光刻胶进行坚膜，由于采用了梯度升温的方式，使光刻胶由内到外受热均匀，有效避免了现有技术中对厚胶坚膜易变性、变形的问题，并提高了光刻胶的抗性。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。【附图说明】图1为本专利技术实施例的光刻胶厚胶坚膜梯度升温的流程图；图2为本专利技术实施例的光刻胶厚胶坚膜中温度变化曲线。【具体实施方式】下面结合附图来具体描述本专利技术的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本专利技术的实施例一起用于阐释本专利技术的原理。为了清楚和简化目的，当其可能使本专利技术的主题模糊不清时，将省略本文所描述的器件中已知功能和结构的详细具体说明。本专利技术实施例的主要目的是提供，本专利技术采用梯度升温的方式对光刻胶进行坚膜，由于采用了梯度升温的方式，使光刻胶由内到外受热均匀，有效避免了现有技术中对厚胶坚膜易变性及变形的问题，并提高了光刻胶的抗性。下面就通过几个具体实施例对本专利技术的技术方案进行详细说明。本专利技术实施例提供的，包括:将光刻胶依次进行多次温度递增的升温处理和保温处理，使所述光刻胶从室温升至70-75°C，并进行降温处理，所述升温处理、所述保温处理和所述降温处理的总时间和为2h。具体实施时，本领域的技术人员可以根据实际情况，设置两级、三级或更多级数的梯度升温，直至达到设定的最高温度。本专利技术通过采用梯度升温的方式对光刻胶进行坚膜，使光刻胶由内到外受热均匀，提高了光刻胶的抗性，且坚膜后的光刻胶不易变形和变性。图1为本专利技术实施例的光刻胶厚胶坚膜梯度升温的流程图，下面将结合图1以一个具体的例子对本专利技术进行详细的解释和说明:S101、对原片清洗、涂胶、前烘、曝光和显影；S102、对所述光刻胶进行第一阶段升温处理，所述第一阶段升温处理的温度达到45-55 0C，并保温 20-30min ；S103、将第一阶段升温处理后的所述光刻胶进行第二阶段升温处理，所述第二阶段升温处理的温度达到65-75°C，并保温25-35min ;S104、降温至室温，由于降温速度不影响光刻胶坚膜效果，因此降温速度可以根据实际需要进行任意设置。当然本领域的技术人员也可以根据实际坚膜的需要设置三次升温处理，即从室温到达最高温度过程中设置三个温度梯度。图2为本专利技术实施例的光刻胶厚胶坚膜中温度变化曲线，如图2所示，图2中第一个升温和保温为本专利技术的第一阶段升温处理，第二个升温和保温为本专利技术的第二阶段升温处理。本专利技术实施例的所述第一阶段升温处理的升温速度为0.5-rC /5min。本专利技术实施例的所述第二阶段升温处理的升温速度为0.5-rC /min。本专利技术实施例的所述光刻胶的厚度为7-10 μ m。本专利技术实施例的升温速度和降温速度可以根据实际需要进行调节，宗旨是光刻胶的厚度越厚升温速率越慢，实际坚膜过程中可根据需要调剂温度梯度，包括梯度次数，每个梯度的温度和时间。本专利技术提供的，能够带来以下有益效果:本专利技术采用梯度升温的方式对光刻胶进行坚膜，由于采用了梯度升温的方式，使光刻胶由内到外受热均匀，有效避免了现有技术中对厚胶坚膜易变性、变形的问题，并提高了光刻胶的抗性。以上所述，仅为本专利技术较佳的【具体实施方式】，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。【主权项】1.，其特征在于，包括: 将光刻胶依次进行多次温度递增的升温处理和保温处理，使所述光刻胶从室温最终升至65-75°C，并进行降温处理，所述升温处理、所述保温处理和所述降温处理的总时间和为1.5-2.5min02.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将光刻胶依次进行多次温度递增的升温处理和保温处理，使所述光刻胶从室温最终升至65-75?，并进行降温处理的步骤具体包括: 对所述光刻胶进行第一阶段升温处理，所述第一阶段升温处理的温度达到45-55?，并保温 20-30min ； 将第一阶段升温处理后的所述光刻胶进行第二阶段升温处理，所述第二阶段升温处理的温度达到65-75°C，并保温25-35min后降至室温。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于， 所述第一阶段升温处理的升温速度为ο.5-rc /s。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于， 所述第二阶段升温处理的升温速度为0.5-rc /S。5.根据权利要求1或2所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻胶厚胶坚膜方法，其特征在于，包括：将光刻胶依次进行多次温度递增的升温处理和保温处理，使所述光刻胶从室温最终升至65‑75℃，并进行降温处理，所述升温处理、所述保温处理和所述降温处理的总时间和为1.5‑2.5min。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李海燕，李忠贺，杜红艳，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11