烧结体以及溅射靶制造技术

本发明专利技术提供一种烧结体以及溅射靶，所述烧结体含有Fe、Pt、C以及Ag，在所述烧结体中，在将Fe、Pt、C以及Ag的组成表示为(Fex/100Pt(100-x)/100)100-y-zAgyCz时，35≤x≤65，1≤y≤20，13≤z≤60，且所述烧结体的相对密度为95％以上，氧含量为700ppm以下，由Ag构成的相的长轴长度为20μm以下。由于由所述烧结体而得到的溅射靶为高密度、低氧含量，且具有均匀的组织，因此能够形成在膜特性方面较为优异且高性能的薄膜例如磁记录膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种烧结体以及溅射靶，具体而言，涉及一种高密度、低氧含量且具有 均匀的组织、且含有低熔点物质Ag的FePtC类烧结体以及溅射靶。
技术介绍
作为构成被搭载于计算机等中的硬盘等的磁记录膜，一直以来使用CoPt类薄膜， 并通过垂直磁记录方式逐步实现了高记录密度化。但是，近年来高记录密度化的要求日益 提高，CoPt类薄膜很难满足这种要求。 因此，作为代替CoPt类薄膜的下一代磁记录膜，提出了 FePt类薄膜。FePt类薄膜 与CoPt类薄膜相比具有磁各向异性较高的优点。为达到控制FePt类薄膜中的膜结构的目 的，可以采用添加碳等方法。 此外，为了使FePt类薄膜具有磁各向异性，可实施通过加热而使薄膜中的FePt颗 粒有序化的处理。由于在该有序化处理过程中需要较高的温度，因此对基板要求高耐热性。 因此，为了降低该有序化温度，可采用使薄膜含有Ag等低熔点物质的方法。 这样的磁记录膜通常是通过对溅射靶进行溅射而成膜的。因此，期待开发出一种 高特性的FePtAgC溅射靶等。这些溅射靶通常通过粉末冶金法而被制造出。 当溅射靶不是高密度时，在溅射时的真空环境下，会从溅射靶会释放出大量的气 体，使所形成的薄膜特性显著降低。因此，要求溅射靶为高密度。只要在粉末冶金法中提 高烧结温度，便可得到高密度的溅射靶。但是，由于在采用FePtC类合金的情况下，金属相 Fe-Pt与半金属相C的熔点存在较大不同，因此几乎无法提高烧结温度，从而很难通过提高 烧结温度来增加密度。在合金包含Ag等低熔点物质的情况下，更加无法提高烧结温度，从 而很难增加密度。 此外，由于当溅射靶中氧等杂质的含量较多时，所形成的薄膜特性会降低，因此优 选为不含有这样的杂质。但是，在原料中所使用的Fe粉等通常会使表面被氧化，从而含有 表面氧化层。因此，很难完全抑制氧气混入溅射靶中的情况。 而且，由于当溅射靶中组织不均匀时，在溅射时会引起电弧的产生等，使所得到的 膜的平滑性受损等而膜特性降低，因此优选为组织均匀的溅射靶。 作为使FePtC类派射革E高密度化的方法，已知一种对通过热压（hot press、HP)法 等的加压成型法而制造出的预烧结体进行热等静压（Hot Isostatic Press、HIP)处理的方 法。在预烧结体的密度低的情况下，热等静压处理通过将预烧结体密封于SUS管等内的方 式而实施。此时，当预烧结体的氧含量较多时，处理时在密封管内将产生因预烧结体中所含 有的氧气而产生的气体，从而无法使溅射靶高密度化。此外，预烧结体的氧含量较多，所得 到的溅射靶的氧含量也自然增多。 因此，在通过对预烧结体进行热等静压处理来制造溅射靶的情况下，为了使溅射 靶高密度化，也为了使溅射靶的氧含量降低，而优选为降低预烧结体的氧含量。如前所述， 可认为预烧结体中所含有的氧气主要来源于原料中所使用的Fe粉等所具有的表面氧化 层。 因此，优选为，在热等静压处理前将Fe粉等所具有的表面氧化层还原。该还原例 如，如专利文献1所述，通过在Fe粉等与C粉共存的条件下且在惰性环境中对Fe粉等进行 加热而实施的。另外，即使仅在形成预烧结体时实施热压等加压烧结，也可充分实施Fe粉 等的表面氧化层的还原。虽然作为在这些操作中用于使表面氧化层还原的温度会根据环境 而有所不同，但是通常需要700?900°C。然而，当在原料中含有Ag等低熔点物质的情况下， 在如上所述的温度下实施还原操作时，有时会引起低熔点物质的凝结或溶出而无法制造出 预期组成的烧结体或使组织粗大。 由于如上所述的情况，因而很难得到高密度以及低氧含量且具有均匀组织的、含 有Ag等低熔点物质的FePtC类溅射靶。 在先技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开平6-57365号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题 本发是为了解决上述现有技术中存在的问题而被完成的，其明目的在于提供一种 高密度、低氧含量且具有均匀的组织的、含有低熔点物质Ag的FePtC类烧结体以及溅射靶。 用于解决课题的方法 达成上述目的的本专利技术为一种烧结体，其含有Fe、Pt、C以及Ag，所述烧结体的特 征在于，在将 Fe、Pt、C 以及 Ag 的组成表示为（Fex/1(l(lPtQ(l(l_x)/ 1(l(l)lcl(l_y_zAgyC z时，35 彡 x 彡 65， 1彡y彡20,13彡z彡60,且所述烧结体的相对密度为95%以上，氧含量为700ppm以下，并 且由Ag构成的相的长轴长度为20 ym以下。 所述烧结体可通过对含有Fe、Pt、C以及Ag的预烧结体进行热等静压处理来制造。 此外，所述烧结体可以通过对由放电等离子烧结法而制作出的含有Fe、Pt、C以及 Ag的预烧结体进行热等静压处理来制造。 另一个专利技术为由所述烧结体而得到的溅射靶。 专利技术效果 本专利技术的烧结体为一种含有Fe、Pt、C以及Ag的烧结体，其相对密度为95%以上， 氧含量为700ppm以下，由Ag构成的相的长轴长度为20 ym以下。因此，由于由所述烧结体 而得到的溅射靶为高密度、低氧含量，且具有均匀的组织，因此能够形成高特性的薄膜例如 磁记录膜。【附图说明】 图1为通过在实施例1中得到的预烧结体的能量分散型X射线分析而得到的Ag 的映像。 图2为通过在实施例1中得到的烧结体的能量分散型X射线分析而得到的Ag的 映像。 图3为通过在比较例1中得到的预烧结体的能量分散型X射线分析而得到的Ag 的映像。 图4为通过在比较例1中得到的烧结体的能量分散型X射线分析而得到的Ag的 映像。 图5为通过在比较例2中得到的预烧结体的能量分散型X射线分析而得到的Ag 的映像。 图6为通过在比较例2中得到的烧结体的能量分散型X射线分析而得到的Ag的 映像。 图7为通过在比较例4中得到的预烧结体的能量分散型X射线分析而得到的Ag 的映像。 图8为通过在比较例4中得到的烧结体的能量分散型X射线分析而得到的Ag的 映像。 图9为通过在实施例2中得到的预烧结体的能量分散型X射线分析而得到的Ag 的映像。 图10为通过在实施例2中得到的烧结体的能量分散型X射线分析而得到的Ag的 映像。 图11为通过在实施例3中得到的预烧结体的能量分散X线分析而得到的Ag的映 像。 图12为通过在实施例3中得到的烧结体的能量分散型X射线分析而得到的Ag的 映像。 图13为通过在实施例4中得到的预烧结体的能量分散X线分析而得到的Ag的映 像。 图14为通过在实施例4而得到的烧结体的能量分散型X射线分析而得到的Ag的 映像。 图15为通过在实施例5中得到的预烧结体的能量分散X线分析而得到的Ag的映 像。 图16为通过在实施例5中得到的烧结体的能量分散型X射线分析而得到的Ag的 映像。 图17为表示由Ag构成的相的长轴长度的一个示例的图。【具体实施方式】 〈烧结体〉 本专利技术的烧结体含有Fe、Pt、C以及Ag。由于本专利技术的烧结体当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种烧结体，其为含有Fe、Pt、C以及Ag的烧结体，所述烧结体的特征在于，将Fe、Pt、C以及Ag的组成表示为(Fex/100Pt(100‑x)/100)100‑y‑zAgyCz时，35≤x≤65，1≤y≤20，13≤z≤60，且所述烧结体的相对密度为95％以上，氧含量为700ppm以下，并且由Ag构成的相的长轴长度为20μm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺村享祐，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP