一种高能离子束基板处理及真空蒸发镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术涉及真空蒸发镀膜设备领域，具体涉及一种高能离子束基板处理及真空蒸发镀膜设备，它包括真空箱，真空箱内设有真空腔，所述真空腔内设有基板转架，真空腔内还设有蒸发机构，真空腔上还连接有抽真空机构，真空腔内设有在基板镀膜之前通过离子清洗基板表面的离子发生机构和用于为基板表面生成SiO2缓冲层的中频Si溅射机构,所述离子发生机构和中频Si溅射机构均设于基板转架的外侧；本实用新型专利技术通过在基板之上通过中频Si靶溅射生成一层SiO2缓冲层层缓冲层，SiO2缓冲层的亲和力强，能使防污层与基板牢固的结合在一起，从而解决耐磨性差且使用时间短的问题，以及防污层结合力差、不耐磨以及膜层不均匀的问题。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及真空蒸发镀膜设备领域，具体涉及一种高能离子束基板处理及真空蒸发镀膜设备。
技术介绍
  现有的防污涂层大部分是使用药水浸泡加烘干方案，具体为把基板放入药水浸泡数分钟后拿出，在烘干炉加热烘干，此方法的缺点为，防污层结合力差、不耐磨以及膜层不均匀。目前该方法的使用越来越少，现有技术还有一种方法为真空蒸发镀膜方法，此种方法较上述药水浸泡方法，膜层均匀性好，耐磨性大大提高。但在正常使用时,膜层一般在30天以内也会被磨损，且耐磨性较差。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高能离子束基板处理及真空蒸发镀膜设备来解决现有技术中药水浸泡加烘干的方式防污层结合力差、不耐磨以及膜层不均匀，真空蒸发镀膜的方式耐磨性差且使用时间短的问题。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种高能离子束基板处理及真空蒸发镀膜设备，包括真空箱，所述真空箱内设有真空腔，所述真空腔内设有基板转架，其特征在于：所述真空腔内还设有蒸发机构，所述真空腔上还连接有抽真空机构，所述真空腔内设有在基板镀膜之前通过离子清洗基板表面的离子发生机构和用于为基板表面生成SiO2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高能离子束基板处理及真空蒸发镀膜设备，包括真空箱，所述真空箱内设有真空腔，所述真空腔内设有基板转架，其特征在于：所述真空腔内还设有蒸发机构，所述真空腔上还连接有抽真空机构，所述真空腔内设有在基板镀膜之前通过离子清洗基板表面的离子发生机构和用于为基板表面生成SiO2缓冲层的中频Si溅射机构,所述离子发生机构和中频Si溅射机构均设于基板转架的外侧。

【技术特征摘要】
1.一种高能离子束基板处理及真空蒸发镀膜设备，包括真空箱，所述真空箱内设有真空腔，所述真空腔内设有基板转架，其特征在于：所述真空腔内还设有蒸发机构，所述真空腔上还连接有抽真空机构，所述真空腔内设有在基板镀膜之前通过离子清洗基板表面的离子发生机构和用于为基板表面生成SiO2缓冲层的中频Si溅射机构,所述离子发生机构和中频Si溅射机构均设于基板转架的外侧。
2.根据权利要求1所述的一种高能离子束基板处理及真空蒸发镀膜设备，其特征在于：所述中频Si溅射机构包括一个以上的中频Si靶。
3.根据权利要求1所述的一种高能离子束基板处理及真空蒸发镀膜设备，其特征在于：配合所述基板转架的基板的直径不大于100mm，厚度不大于30mm。
4.根据权利要求1所述的一种高能离子束基板处理及真空蒸发镀膜设备，其特征在于：所述在基板表...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵海平，
申请(专利权)人：邵海平，
类型：新型
国别省市：广东;44