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分立双室离子镀膜机制造技术

技术编号:1811704 阅读:198 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种离子镀膜装置,主要由真空镀膜室、真空抽气系统、主弧电源、轰偏电源、加热测量装置、配气系统和控制台组成,其特征在于两个真空镀膜室分立,构成左右两部分,共用一套电源系统、电控系统和抽空系统,主抽气管道与两个真空镀膜室相联,两室的配气通过控制台切换交替工作。与同等生产效率的单室离子镀膜机相比,其制造成本低20-30%,镀膜制品的生产成本下降50%多且质量好。(*该技术在2012年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种离子镀膜装置,具体地说是涉及一种双室可交替作业的离子镀膜机。
技术介绍
镀膜技术由蒸发镀发展到多弧离子镀,在镀膜质量方面有很大提高,镀层硬度及膜层与基体的结合都得到很大改善,且膜的品种大大增加。目前,多弧离子镀膜方法多数采用单室离子镀膜机,这种机型存在以下缺陷1、本机制造成本高及镀膜生产成本高;2、单室多弧离子镀膜机一般采用8套或12套蒸发离化源,由于某些原因往往出现熄弧,弧头越多镀膜时灭弧的几率越大,从而导致镀膜质量下降。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决已有技术中单室镀膜机制造成本高,镀膜生产成本高以及在镀膜时常出现熄弧而影响产品质量等问题。本技术主要由真空镀膜室、真空抽气系统、主弧电源、轰偏电源、加热测量装置、配气系统和控制台组成,其特征在于两个真空镀膜室分立,构成左右两部分,共用一套电源系统、电控系统和抽真空系统,主抽气管道与两个真空镀膜室相联,两室的配气通过控制台切换。真空镀膜室为筒体结构,蒸发离化源(3)分布室壁四周,公自转挂架位于室顶部。通常每个真空镀膜室内均等距离布置四套蒸发离化源。在连接两个真空镀膜室的主抽管道上用两个高真空阀将两室分隔,在辅抽管道上本文档来自技高网...

【技术保护点】
分立双室离子镀膜机,主要由真空镀膜室、真空抽气系统、主弧电源、轰偏电源、加热测量装置、配气系统和控制台组成,其特征在于两个真空镀膜室分立,构成左右两部分,共用一套电源系统、电控系统和抽真空系统,主抽气管道与两个真空镀膜室相联,两室的配气通过控制台切换。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐惠生
申请(专利权)人:徐惠生
类型:实用新型
国别省市:34[中国|安徽]

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