一种扇出型圆片级芯片封装方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路封装
，尤其涉及。
技术介绍
在当前的半导体行业中，电子封装已经成为行业发展的一个重要方面。几十年的封装技术的发展，使高密度、小尺寸的封装要求成为封装的主流方向。扇出WLP是在晶圆一级加工的埋置型封装，也是一个I/O数量大，集成灵活性高的主要先进封装工艺。而且，它能在一个封装内实现垂直和水平方向多芯片集成且不用衬底。这样，扇出WLP技术目前正在发展成为下一代封装技术，如多芯片、低剖面封装和3DSip。随着电子产品向更薄、更轻、更高引脚密度、更低成本方面发展，采用单颗芯片封装技术已经逐渐无法满足产业需求，一种新的封装技术即圆片级封装技术的出现为封装行业向低成本封装发展提供了契机。目前，圆片级扇出(Fan-out)结构，其通过重构圆片和圆片级再布线的方式，实现芯片扇出结构的塑封，最终切割成单颗封装体，但其仍存在如下不足:I)、扇出(Fan-out)结构较为单一，应用不够广泛；2)、I/O端密度相对较低；3)、现有工艺不利于产品的低成本化。如CN102881644A公开了一种圆片级芯片封装方法，其工艺步骤如下:步骤一:取集成了芯片电...
【技术保护点】
一种扇出型圆片级芯片封装方法，包括如下步骤：用填料将芯片(8)、导线(9)、导电基材(2)以及载板(1)进行包封形成塑封层(4)；去除载板(1)；在导电基材(2)的底部制作导电层(6)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：石磊，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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