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本发明提供了一种扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于包括如下步骤：用填料将芯片(8)、导线(9)、导电基材(2)以及载板(1)进行包封形成塑封层(4)；去除载板(1)；在塑封层(4)和导电基材(2)的底部填充导电层(6)。塑封层(4)填料采...该专利属于南通富士通微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通富士通微电子股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于包括如下步骤：用填料将芯片(8)、导线(9)、导电基材(2)以及载板(1)进行包封形成塑封层(4)；去除载板(1)；在塑封层(4)和导电基材(2)的底部填充导电层(6)。塑封层(4)填料采...