轧制铜箔制造技术

本发明专利技术涉及轧制铜箔、使用其的覆铜层叠板、印刷布线板、电子设备、电路连接构件的制造方法和电路连接构件。本发明专利技术提供一种蚀刻性、弯曲性、与树脂的密合性、通过蚀刻除去铜箔之后的树脂的透明性都优秀的轧制铜箔、覆铜层叠板以及印刷布线板。该轧制铜箔包括99.9％以上的铜，在单面或两面形成镀覆层，沿着轧制铜箔的轧制直角方向镀覆层表面的偏度Rsk为-0.35～0.53，分别使所述轧制铜箔的所述镀覆层侧贴合于聚酰亚胺树脂膜的两面之后通过蚀刻除去轧制铜箔，隔着聚酰亚胺树脂膜用CCD摄像机对印刷物进行摄影，此时，由Sv＝(ΔB×0.1)/(t1-t2)所定义的Sv成为3.0以上。

【技术实现步骤摘要】
轧制铜箔
本专利技术涉及优选地被用于FPC(挠性印刷基板)等的轧制铜箔。
技术介绍
作为FPC(挠性印刷基板)，使用层叠铜箔和树脂层而成的铜箔复合体，对该铜箔要求形成电路时的蚀刻性和考虑了FPC的使用的弯曲性。但是，FPC一般是在铜箔进行了再结晶的状态下被使用。当轧制加工铜箔时结晶旋转，形成轧制织构，认为纯铜的轧制织构的被称为铜取向的{112}<111>成为主取向。而且，当在将轧制铜箔轧制之后进行退火或到被加工为最终产品为止的工序即成为FPC为止的工序中施加热时，会发生再结晶。在以下将成为该轧制铜箔后的再结晶组织简称为“再结晶组织”，将施加热之前的轧制组织简称为“轧制组织”。此外，再结晶组织很大程度上被轧制组织影响，通过控制轧制组织也能控制再结晶组织。由于这样的情况，所以提出一种在轧制铜箔的再结晶后使{001}<100>的立方(cube)取向发达而使弯曲性提高的技术(例如，专利文献1、2)。另外，由于智能电话、平板PC这样的小型电子设备的高功能化而信号传送速度的高速化发展，在FPC中阻抗匹配也成为重要的因素。作为对于信号容量的增加的阻抗匹配的对策，成为FPC的基底的树脂绝缘层(例如聚酰亚胺)的厚层化正在发展。此外，由于布线的高密度化要求而FPC的多层化更进一步地正在发展。另一方面，对FPC实施向液晶基材的接合、IC芯片的搭载等加工，但此时的位置对准经由透过蚀刻后残留的树脂绝缘层来视觉辨认FPC中的铜箔的定位图案而进行，因此，树脂绝缘层的视觉辨认性是重要的。作为改善树脂绝缘层的视觉辨认性的技术，例如在专利文献3中公开了一种覆铜层叠板，其降低铜箔粗糙度，在铜箔蚀刻后的聚酰亚胺膜的波长600nm的光透过率为40％以上，雾度(HAZE)为30％以下，粘接强度为500N/m以上。此外，在专利文献4中公开了一种覆晶薄膜(COF)用挠性印刷布线板，其蚀刻电解铜箔后的绝缘层的光透过性为50％以上，在与电解铜箔的绝缘层粘接的粘接面上具备由具有规定的粗糙度和光泽度的镍-锌合金得到的防锈处理层。此外，在专利文献5中公开了一种印刷电路用铜箔，其对铜箔表面进行利用镀铜-钴-镍合金的粗化处理后，形成镀钴-镍合金层，进而形成镀锌-镍合金层。另外，在专利文献6中公开了一种印刷布线板用铜箔，对树脂层侧的铜箔的表面进行平坦化镀铜，作为其表面的粗糙度而将偏度Rsk规定在0以下。现有技术文献专利文献专利文献1：专利第3856616号公报；专利文献2：专利第4716520号公报；专利文献3：(日本)特开2004-98659号公报；专利文献4：WO2003/096776号；专利文献5：专利第2849059号公报；专利文献6：专利第5282675号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，当铜箔的立方取向过于发达时，存在蚀刻性降低这样的问题。可考虑这是由于，立方织构即使发达也不是单晶体而成为在立方取向的大的结晶粒中存在其他取向的小的结晶粒的混粒状态，在各取向的粒子中蚀刻速度进行变化。特别地，电路的L/S宽度变得越窄(细间距)，蚀刻性越成问题。此外，当立方取向过于发达时，有时铜箔变得过于柔软，处理性不好。此外，为了调整立方取向的发达度，存在在最终轧制中在再结晶后控制轧制组织的方法，但存在立方取向不发达或过于发达而不能充分地进行调整立方取向的发达度这样的问题。此外，专利文献3所记载的低粗糙度铜箔由黑化处理或镀覆处理后的有机处理剂形成，因此，在对覆铜层叠板要求弯曲性的用途中，有时由于疲劳而发生断线，存在树脂透视性不好的情况。此外，专利文献4所记载的铜箔未进行粗化处理，在COF用挠性印刷布线板以外的用途中，铜箔与树脂的密合强度较低。另外，关于专利文献5所记载的技术，用蚀刻除去铜箔后的树脂的透视性不好。此外，判明在专利文献6所记载的铜箔的情况下，仅通过规定Rsk而存在蚀刻后的树脂绝缘层的视觉辨认性不好的情况。可考虑这是由于，虽然Rsk反映表面的尖锋的高度和数量，但不反映尖锋的间隔或向平面方向的分布。特别地，近年，如上所述，树脂层变厚，仅通过规定Rsk，变得不能提高树脂的透明性。另外，在专利文献6所记载的铜箔的情况下，存在蚀刻性、弯曲性不充分的情况。因此，本专利技术的目的在于，提供一种蚀刻性、弯曲性以及与树脂的密合性优秀而且通过蚀刻除去铜箔之后的树脂的透明性优秀的轧制铜箔、使用其的覆铜层叠板、印刷布线板、电子设备、电路连接构件的制造方法和电路连接构件。用于解决课题的方案本专利技术人发现，在轧制组织中的轧制面上，{110}面存在的比例比{112}面存在的比例越多，铜箔的轧制织构越发达，在再结晶退火时立方取向越发达。由此，适当地调整使弯曲性提高但使蚀刻性降低的立方取向的发达度，因此，成功在铜箔的轧制面控制{112}面和{110}面的发达的比例而使轧制铜箔的蚀刻性和弯曲性都提高。此外，发现为了使从将铜箔与树脂层叠后的覆铜层叠板蚀刻除去铜箔之后的树脂的透明性提高，仅通过从历来已知的表面的偏度Rsk的值是不足的，需要控制表面的尖锋的分布状态。即，本专利技术的轧制铜箔在质量比率方面包括99.9％以上的铜，在将从所述轧制铜箔的轧制面的{112}面的算出X射线衍射强度设为I{112}、将从{110}面的算出X射线衍射强度设为I{110}时，满足2.5≤I{110}/I{112}≤6.0，沿着所述轧制铜箔的轧制直角方向，所述镀覆层表面的基于JISB0601-2001的偏度Rsk为-0.35～0.53，在分别使所述轧制铜箔的所述镀覆层侧贴合于厚度为50μm的聚酰亚胺树脂膜的两面之后，通过蚀刻除去所述轧制铜箔，将印刷了线状标记的印刷物铺设在露出的所述聚酰亚胺树脂膜之下，隔着所述聚酰亚胺树脂膜用CCD摄像机对所述印刷物进行摄影，此时，在对通过所述摄影得到的图像沿着与观察到的所述线状标记延伸的方向垂直的方向对每个观察地点的亮度进行测定而制作的观察地点-亮度图中，将从所述标记端部到未描绘所述标记的部分而产生的亮度曲线的顶部平均值Bt与底部平均值Bb之差设为ΔB(ΔB＝Bt-Bb)，在观察地点-亮度图中，将亮度曲线与Bt的交点之中示出到所述线状标记最近的交点的位置的值设为t1，在从亮度曲线与Bt的交点到以Bt为基准的0.1ΔB的深度范围中，将亮度曲线与0.1ΔR的交点之中示出到所述线状标记最近的交点的位置的值设为t2，此时，由下述(1)式定义的Sv成为3.0以上。Sv＝(ΔB×0.1)/(t1-t2)(1)优选为在本专利技术的轧制铜箔的单面形成所述镀覆层而且在所述轧制铜箔的相反面不形成所述镀覆层来实施表面处理。本专利技术的轧制铜箔优选为含有总计10～300质量ppm的从Ag、Sn、Mg、In、B、Ti、Zr以及Au的组中选择的一种或两种以上，剩余部份由Cu和不可避免的杂质构成。本专利技术的轧制铜箔优选为含有2～50质量ppm的氧。本专利技术的轧制铜箔优选为在以200℃加热30分钟之后，在轧制面，满足I{112}≤1.0。本专利技术的轧制铜箔优选为在以350℃加热1秒后，在将所述轧制铜箔的轧制面的{200}面的X射线衍射强度设为I{200}、将纯铜粉末试样的{200}面的X射线衍射强度设为I0{200}时，满足5.0≤I{200}/I0{200}≤27.0，优选为满足13.0≤I{200}本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种轧制铜箔，在质量比率方面包括99.9％以上的铜，其中，在该轧制铜箔的单面或两面形成金属或合金镀覆层，在将从所述轧制铜箔的轧制面的{112}面的算出X射线衍射强度设为I{112}、将从{110}面的算出X射线衍射强度设为I{110}时，满足2.5≤I{110}/I{112}≤6.0，沿着所述轧制铜箔的轧制直角方向，所述镀覆层表面的基于JIS B0601‑2001的偏度Rsk为‑0.35～0.53，在分别使所述轧制铜箔的所述镀覆层侧贴合于厚度为50μm的聚酰亚胺树脂膜的两面之后，通过蚀刻除去所述轧制铜箔，将印刷了线状标记的印刷物铺设在露出的所述聚酰亚胺树脂膜之下，隔着所述聚酰亚胺树脂膜用CCD摄像机对所述印刷物进行摄影，此时，在对通过所述摄影得到的图像沿着与观察到的所述线状标记延伸的方向垂直的方向对每个观察地点的亮度进行测定而制作的观察地点‑亮度图中，将从所述标记端部到未描绘所述标记的部分而产生的亮度曲线的顶部平均值Bt与底部平均值Bb之差设为ΔB(ΔB＝Bt‑Bb)，在观察地点‑亮度图中，将亮度曲线与Bt的交点之中示出到所述线状标记最近的交点的位置的值设为t1，在从亮度曲线与Bt的交点到以Bt为基准的0.1ΔB的深度范围中，将亮度曲线与0.1ΔB的交点之中示出到所述线状标记最近的交点的位置的值设为t2，此时，由下述(1)式定义的Sv成为3.0以上。Sv＝(ΔB×0.1)/(t1‑t2)   (1)...

【技术特征摘要】
2013.10.04 JP 2013-209708;2014.09.18 JP 2014-189831.一种轧制铜箔，在质量比率方面包括99.9％以上的铜，其中，在该轧制铜箔的单面或两面形成金属镀覆层，在将从所述轧制铜箔的轧制面的{112}面的算出X射线衍射强度设为I{112}、将从{110}面的算出X射线衍射强度设为I{110}时，满足2.5≤I{110}/I{112}≤6.0，沿着所述轧制铜箔的轧制直角方向，所述镀覆层表面的基于JISB0601－2001的偏度Rsk为－0.35～0.53，在分别使所述轧制铜箔的所述镀覆层侧贴合于厚度为50μm的聚酰亚胺树脂膜的两面之后，通过蚀刻除去所述轧制铜箔，将印刷了线状标记的印刷物铺设在露出的所述聚酰亚胺树脂膜之下，隔着所述聚酰亚胺树脂膜用CCD摄像机对所述印刷物进行摄影，此时，在对通过所述摄影得到的图像沿着与观察到的所述线状标记延伸的方向垂直的方向对每个观察地点的亮度进行测定而制作的观察地点－亮度图中，将从所述线状标记的端部到未描绘所述线状标记的部分而产生的亮度曲线的顶部平均值Bt与底部平均值Bb之差设为ΔB，即ΔB=Bt－Bb，在观察地点－亮度图中，将亮度曲线与Bt的交点之中示出到所述线状标记最近的交点的位置的值设为t1，在从亮度曲线与Bt的交点到以Bt为基准的0.1ΔB的深度范围中，将亮度曲线与0.1ΔB的交点之中示出到所述线状标记最近的交点的位置的值设为t2，此时，由下述（1）式定义的作为亮度曲线的倾斜度的Sv成为3.0以上，Sv＝（ΔB×0.1）/（t1－t2）（1）。2.如权利要求1所述的轧制铜箔，所述金属是合金。3.如权利要求1所述的轧制铜箔，其中，在所述轧制铜箔的单面形成所述镀覆层而且在所述轧制铜箔的相反面不形成所述镀覆层来实施表面处理。4.如权利要求1~3中的任一项所述的轧制铜箔，其中，含有总计10～300质量ppm的从Ag、Sn、Mg、In、B、Ti、Zr以及Au的组中选择的一种或两种以上，剩余部份由Cu和不可避免的杂质构成。5.如权利要求1～3中的任一项所述的轧制铜箔，其中，含有2～50质量ppm的氧。6.如权利要求1～3中的任一项所述的轧制铜箔，其中，在以200℃加热30分钟之后，在轧制面，满足I{112}≤1.0。7.如权利要求1～3中的任一项所述的轧制铜箔，其中，在以350℃加热1秒后，在将所述轧制铜箔的轧制面的{200}面的X射线衍射强度设为I{200}、将纯铜粉末试样的{200}面的X射线衍射强度设为I0{200}时，满足5.0≤I{200}/I0{200}≤27.0。8.如权利要求1～3中的任一项所述的轧制铜箔，其中，厚度为4～70μm。9.如权利要求1～3中的任一项所述的轧制铜箔，其中，在通过使用了波长405nm的激光的激光显微镜来测定...

【专利技术属性】
技术研发人员：三木敦史，新井英太，新井康修，中室嘉一郎，青岛一贵，冠和树，
申请(专利权)人：JX日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP