阵列基板及制作方法、液晶显示面板和反射式液晶显示器技术

本公开提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及形成于衬底基板上的薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括依次堆叠在所述衬底基板上的源/漏电极、有源区和栅电极，其中所述源/漏电极与所述像素电极同层布置在所述衬底基板上。根据本公开，在保证高反射率和高开口率的性能的同时，减少了构图工艺次数，从而减少工艺步骤，提高生产节拍并且有效地控制成本。本公开还提供了一种制作阵列基板的方法、包括该阵列基板的液晶显示面板以及反射式液晶显示器。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及显示
，并且具体而言涉及一种阵列基板、制作阵列基板的方法、包括该阵列基板的液晶显示面板以及反射式液晶显示器。
技术介绍
如图1所示，透射式液晶显示器通常包括透射式液晶显示面板10，该透射式液晶显示面板10包括背光源101和透射式液晶盒102。如图中箭头所示，从背光源101发射的光透射穿过透射式液晶盒102以实现显示功能。由于背光源101通常采用有机发光二极管，亮度较低，传统的透射式液晶显示器在户外显示时的可读性非常差。如果通过提高亮度来提升户外可读性，透射式液晶显示器的功耗将增加，续航时间减小，同时伴随有散热问题。如图2所示，反射式液晶显示器通常包括具有反射式液晶盒201的反射式液晶显示面板20。如图中箭头所示，反射式液晶盒201反射来自环境的光以实现显示功能。在反射式液晶显示器中，环境光的亮度越高，反射光的亮度也变高，从而增加了户外显示时的可读性。由于反射式液晶显示器不需要背光源，可以大幅降低功耗，延长续航时间，并且容易实现产品轻薄化。在现有反射式液晶显示器中，阵列基板的制作通常包括下述步骤：栅电极层成膜并通过第一次构图工艺形成栅电极图案，栅极绝缘层成膜并通过第二次构图工艺形成半导体层图案，源/漏电极层成膜并通过第三次构图工艺形成源/漏电极图案，钝化层成膜并通过第四次构图工艺形成钝化层，树脂层成膜并通过第五次构图工艺形成平坦树脂层，像素电极层成膜并通过第六次构图工艺形成像素电极图案，以及金属保护层成膜并通过第七次构图工艺形成金属保护层。上述制作方法中的各个构图工艺均包括光刻胶涂覆，利用掩模进行曝光、对光刻胶显影、对光刻胶刻蚀以及剥离光刻胶等工序。在上述制作方法中，现有反射式液晶显示器的阵列基板一般需要七次构图工艺。因此，现有反射式液晶显示器存在改进的空间，并且本领域中存在对反射式液晶显示器进行改进的需求。
技术实现思路
本公开的目的在于减轻或解决前文所提到的问题。根据本公开，在反射式液晶显示器的阵列基板中采用顶栅型设计，并且源/漏电极与像素电极同时形成，从而在确保高反射率、高开口率的前提下降低了构图工艺的次数。根据本公开的第一个方面，提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及形成于衬底基板上的薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括依次堆叠在所述衬底基板上的源/漏电极、有源区和栅电极，其中所述源/漏电极与所述像素电极同层布置在所述衬底基板上。根据本公开，阵列基板上的薄膜晶体管采用顶栅型设计，外界光线可以被栅电极遮挡而不照射到有源区，从而避免有源区受外界光线照射而产生光电流。因而，根据本公开，彩色滤光片基板上所需要的黑矩阵的线宽可以减小，这可以提高反射式液晶显示器的高开口率。根据本公开，所述源/漏电极与所述像素电极同层布置在所述衬底基板上。像素电极形成于平坦的衬底基板上，因此具有较高的反射率，这有利于提高反射式液晶显示器在户外显示时的可读性。相对于透射式液晶显示器，根据本公开的反射式液晶显示器具有其固有的优势，即，不需要背光源，大幅降低功耗，延长续航时间，并且容易实现产品轻薄化。此外，相对于现有反射式液晶显示器，根据本公开的反射式液晶显示器在保证高反射率和高开口率的性能的同时，减少了构图工艺次数，从而减少工艺步骤，提高生产节拍并且有效地控制成本。在一实施例中，所述阵列基板还可以包括布置在所述衬底基板和所述薄膜晶体管之间的有源区保护层。根据本公开，该有源区保护层可以是无机绝缘层，从而保护后续形成的半导体材料的有源区，避免有源区与诸如玻璃的衬底基板直接接触而形成不良界面。在一实施例中，所述阵列基板还可以包括与所述源/漏电极同层布置的位于数据线区域中的数据线。根据本公开，所述数据线与所述源/漏电极在同一工序中形成，从而有利于简化工艺并且降低成本。在一实施例中，所述阵列基板还可以包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层布置在所述有源区和所述栅电极之间并且覆盖所述有源区、源/漏电极、像素电极和数据线。根据本公开，所述栅极绝缘层覆盖所述源/漏电极，避免所述源/漏电极和后续形成的所述栅电极之间电气短路。此外，根据本公开，所述栅极绝缘层覆盖所述像素电极，可以避免所述像素电极被氧化或腐蚀。在一实施例中，所述阵列基板还可以包括与所述栅电极同层布置的位于栅线区域中的栅线。根据本公开，所述栅线与所述栅电极在同一工序中形成，从而有利于简化工艺并且降低成本。在一实施例中，所述阵列基板还可以包括覆盖所述栅电极、栅极绝缘层和栅线的钝化层。根据本公开，所述钝化层保护栅电极，避免所述栅电极被氧化或腐蚀。此外，根据本公开，由于采用顶栅型设计，像素电极与源/漏电极同时形成于衬底基板上，因此像素电极被栅极绝缘层和钝化层覆盖，使得像素电极没有被氧化或腐蚀的风险。在一实施例中，所述数据线上方可以设有贯穿所述栅极绝缘层和所述钝化层的第一过孔，所述栅线上方可以设有贯穿所述钝化层的第二过孔，并且所述第一过孔和第二过孔上方可以覆盖有金属保护层。在一实施例中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述有源区的投影完全落在所述栅电极的投影之内。根据本公开，所述栅电极布置在所述有源区上方并且在垂直方向上的投影完全覆盖所述有源区，因而外界光线可以被所述栅电极完全遮挡而不照射到所述有源区。根据本公开的第二个方面，提供了一种制作阵列基板的方法，其包括：步骤S600，在衬底基板上沉积导电材料，通过构图工艺形成包括源/漏电极和像素电极的图形；步骤S602，在步骤S600得到的衬底基板上沉积半导体材料，通过构图工艺形成包括有源区的图形；以及步骤S604，在步骤S602得到的衬底基板上沉积绝缘材料以形成栅极绝缘层，并且进一步沉积导电材料，通过构图工艺形成包括栅电极的图形。在一实施例中，所述制作阵列基板的方法还可以包括：在步骤S600之前，在衬底基板上沉积电介质材料以形成有源区保护层。在一实施例中，在步骤S600中，所述构图工艺还可以形成位于数据线区域中的数据线。在一实施例中，在步骤S604中，所述构图工艺还可以形成位于栅线区域中的栅线。在一实施例中，所述制作阵列基板的方法还可以包括：在步骤S604得到的衬底基板上沉积电介质材料，通过构图工艺形成包括钝化层的图形。在一实施例中，所述制作阵列基板的方法还可以包括：在所述数据线上方形成贯穿所述栅极绝缘层和所述钝化层的第一过孔，在所述栅线上方形成贯穿所述钝化层的第二过孔，沉积导电材料，通过构图工艺形成包括金属保护层的图形。根据本公开的第三个方面，提供了一种液晶显示面板，其包括上文所述的阵列基板、彩膜基板以及布置在所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶。根据本公开的第四个方面，提供了一种反射式液晶显示器，包括上文所述的液晶显示面板。根据本公开的制作阵列基板的方法、液晶显示面板和反射式液晶显示器具有与前文所述阵列基板相同或相似的益处，此处不再赘述。附图说明在下文中，结合附图参照实施例通过实例的方式对本公开进行详细的解释说明，在附图中：图1为图示传统透射式液晶显示器的示意本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板以及形成于衬底基板上的薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括依次堆叠在所述衬底基板上的源/漏电极、有源区和栅电极，其中所述源/漏电极与所述像素电极同层布置在所述衬底基板上。

【技术特征摘要】
1. 一种阵列基板，包括衬底基板以及形成于衬底基板上的薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括依次堆叠在所述衬底基板上的源/漏电极、有源区和栅电极，其中所述源/漏电极与所述像素电极同层布置在所述衬底基板上。
2. 如权利要求1所述的阵列基板，其中所述阵列基板还包括布置在所述衬底基板和所述薄膜晶体管之间的有源区保护层。
3. 如权利要求1所述的阵列基板，其中所述阵列基板还包括与所述源/漏电极同层布置的位于数据线区域中的数据线。
4. 如权利要求3所述的阵列基板，其中所述阵列基板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层布置在所述有源区和所述栅电极之间并且覆盖所述有源区、源/漏电极、像素电极和数据线。
5. 如权利要求3所述的阵列基板，其中所述阵列基板还包括与所述栅电极同层布置的位于栅线区域中的栅线。
6. 如权利要求5所述的阵列基板，其中所述阵列基板还包括覆盖所述栅电极、栅极绝缘层和栅线的钝化层。
7. 如权利要求6所述的阵列基板，其中所述数据线上方设有贯穿所述栅极绝缘层和所述钝化层的第一过孔，所述栅线上方设有贯穿所述钝化层的第二过孔，并且所述第一过孔和第二过孔上方覆盖有金属保护层。
8. 如权利要求1所述的阵列基板，其中在垂直于所述衬底基板的方向上，所述有源区的投影完全落在所述栅电极的投影之内。
9. 一种制作阵列基板的方法，包括：
步骤S600，在衬底基板上沉积导电材料，...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐传祥，舒适，齐永莲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11