一种阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及显示工艺技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。该阵列基板包括基板，基板上依次设有第一栅极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、第二栅极、第三栅绝缘层和源漏电极，有源层与第二栅极相对应的区域的外侧分别为源漏轻掺杂区域和源漏重掺杂区域，源、漏电极与源、漏重掺杂区域电连接；第一栅极设置于漏电极所对应区域的漏轻掺杂区域下方或第一栅极分为两个部分，分别设置于源、漏电极对应区域的轻掺杂区域下方。本实用新型专利技术提供一种阵列基板及显示装置，通过LDD结构降低TFT关态漏电流，同时通过底栅结构提高TFT开态电流的效果，提高产品良品率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示工艺
，特别涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
在LCD(液晶显示器)或OLED(有机发光二极管)显示器中，每个像素点都是由集成在像素点后面的TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度的显示屏幕信息。在现在的生产技术中，多采用多晶硅或非晶硅来制造TFT。多晶硅的载流子迁移率为10-200cm2/V，明显高于非晶硅的载流子迁移率(1cm2/V)，所以多晶硅相对于非晶硅具有更高的电容性和存储性。对于LCD和OLED，TFT一般形成于玻璃基板上，由于玻璃的热力学限制，多晶硅TFT的结晶特性及离子注入后退火的过程往往不能得到有效的恢复，则在反偏电压的情况下会出现较大的漏电流，影响TFT的正常使用。为了抑制TFT的漏电流，一般采用在TFT的栅极和源、漏极间进行轻掺杂的方式，尤其是在一些短沟道的情况下，轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain，LDD)的宽度范围仅为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括基板，所述基板上依次设有第一栅极、第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层上设有有源层，所述有源层上依次设有第二栅绝缘层、第二栅极、第三栅绝缘层和源漏电极，所述源漏电极在第三栅绝缘层上；所述有源层与第二栅极相对应的区域的外侧分别为源漏轻掺杂区域和源漏重掺杂区域，其中，源轻掺杂区域和漏轻掺杂区域紧挨第二栅极，源重掺杂区域紧挨所述源轻掺杂区域并且所述漏重掺杂区域紧挨所述漏轻掺杂区域，所述源、漏电极与所述源、漏重掺杂区域电连接；其中，所述第一栅极设置于所述漏电极所对应区域的漏轻掺杂区域下方或所述第一栅极分为两个部分，分别设置于所述源、漏电极对应区域的轻掺杂区域下方。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板，所述基板上依次设有第
一栅极、第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层上设有有源层，所述有源层
上依次设有第二栅绝缘层、第二栅极、第三栅绝缘层和源漏电极，所述
源漏电极在第三栅绝缘层上；
所述有源层与第二栅极相对应的区域的外侧分别为源漏轻掺杂区域
和源漏重掺杂区域，其中，源轻掺杂区域和漏轻掺杂区域紧挨第二栅极，
源重掺杂区域紧挨所述源轻掺杂区域并且所述漏重掺杂区域紧挨所述漏
轻掺杂区域，所述源、漏电极与所述源、漏重掺杂区域电连接；
其中，所述第一栅极设置于所述漏电极所对应区域的漏轻掺杂区域
下方或所述第一栅极分为两个部分，分...

【专利技术属性】
技术研发人员：石磊，许晓伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11