一种电子器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种电子器件。电子器件可以包括：集成电路；导电连接件，耦合至集成电路；散热层，邻近集成电路并且与导电连接件相对。电子器件可以包括：封装材料，围绕集成电路和导电连接件；再分布层，具有耦合至导电连接件的导电迹线；加强件，位于散热层和再分布层之间；以及扇出部件，位于散热层和再分布层之间，并且位于封装材料内。本实用新型专利技术的电子器件具有改进的散热效率、减少的翘曲以及低材料CTE失配。另外提升了可靠性，并且解决了倒装凸块可靠性和BGA接合可靠性的冲突。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种电子器件。电子器件可以包括：集成电路；导电连接件，耦合至集成电路；散热层，邻近集成电路并且与导电连接件相对。电子器件可以包括：封装材料，围绕集成电路和导电连接件；再分布层，具有耦合至导电连接件的导电迹线；加强件，位于散热层和再分布层之间；以及扇出部件，位于散热层和再分布层之间，并且位于封装材料内。本技术的电子器件具有改进的散热效率、减少的翘曲以及低材料CTE失配。另外提升了可靠性，并且解决了倒装凸块可靠性和BGA接合可靠性的冲突。【专利说明】一种电子器件
本公开涉及集成电路器件领域，并且更具体地涉及集成电路器件的封装。
技术介绍
在具有集成电路(IC)的电子器件中，IC典型地安装在电路板上。为了电路板和IC之间的电耦合连接，IC典型地被“封装”。IC封装通常提供用于物理保护IC的小包装以及提供用于耦合至电路板的接触焊盘。在一些应用中，封装IC可以通过焊接凸点耦合至电路板。 IC封装的一种手段包括方形扁平无引脚(QFN)封装。QFN封装可以提供一些优点，诸如减小的引线电感、近芯片尺度足迹、薄侧面以及低重量。另外，QFN封装典型地包括周界I/O焊盘(perimeter I/O pad)以便于电路板迹线布线，并且露出的铜裸片焊盘(die-pad)技术提供增强的热和电性能。QFN封装可能正好适合于其中尺寸、重量、以及热和电性能重要的应用。 首先参照图1，现在描述典型的球栅阵列(BGA)电子器件200。电子器件200包括散热层201、一对加强件(stiffener) 203a-203b、以及位于加强件和散热层之间的粘合层202a、202c。电子器件200包括其中具有导电迹线208的电路板层205、位于电路板层和加强件203a-203b之间的另一粘合层204a_204b、以及由电路板层承载的多个球状接触件207a-2071。电子器件200包括IC206、将IC耦合至电路板层205的多个球状接触件209a-209j、位于散热层201和IC之间的粘合层202b、以及在IC周围并且围绕多个球状接触件的底部填充材料210。 现有技术的电子器件200可能存在一些潜在缺陷。由于热膨胀系数(CTE)失配，电子器件200可能会有关于球状接触件207a-2071、209a-209j的可靠性问题。由于外部物理力和热，电子器件200还可能受困于翘曲。此外，电子器件200的设计产生高成本制造工艺和降低的产量。电子器件200还受困于具有大封装尺寸，同时还伴随着侧面厚、布线差、散热不良、噪声控制不好、以及射频(RF)屏蔽不佳的问题。
技术实现思路
本技术的目的就在于提供一种能够克服上述现有技术缺陷的电子器件。 总体地，电子器件可以包括:集成电路；多个导电连接件，耦合至集成电路；以及散热层，邻近集成电路并且与多个导电连接件相对。电子器件可以包括:封装材料，围绕集成电路和多个导电连接件；再分布层，具有耦合至多个导电连接件的多个导电迹线；加强件，位于散热层和再分布层之间；以及扇出部件，位于散热层和再分布层之间并且位于封装材料内。 更具体地，电子器件可以进一步包括位于散热层和集成电路之间的热界面层。电子器件可以进一步包括耦合至再分布层的多个导电焊球。加强件可以具有邻近封装材料的内表面和限定电子器件的外部表面的外表面。加强件可以邻接并且保持封装材料。 再分布层可以包括介电层。多个导电迹线由介电层承载，并且耦合至多个导电连接件。扇出部件可以包括例如陶瓷材料。多个导电连接件可以包括焊接凸点和导柱(pillar)中的至少一个。 另一方面，提供一种电子器件，其特征在于，包括:集成电路；多个导电连接件，耦合至所述集成电路；散热层，邻近所述集成电路，并且与所述多个导电连接件相对；热界面层，位于所述散热层和所述集成电路之间；封装材料，围绕所述集成电路和所述多个导电连接件；再分布层，具有耦合至所述多个导电连接件的多个导电迹线；加强件，位于所述散热层和所述再分布层之间，并且具有邻近所述封装材料的内表面和限定所述电子器件的外部表面的外表面；以及扇出部件，位于所述散热层和所述再分布层之间，并且位于所述封装材料内。 更具体地，该电子器件进一步包括耦合至所述再分布层的多个导电焊球。 更具体地，所述加强件邻接所述封装材料。 更具体地，所述再分布层包括介电层；以及其中，所述多个导电迹线由所述介电层承载并且耦合至所述多个导电连接件。 更具体地，所述扇出部件包括陶瓷材料。 更具体地，所述多个导电连接件包括焊接凸点和导柱中的至少一个。 本技术的电子器件具有改进的散热效率、减少的翘曲以及低材料CTE失配。另外提升了可靠性，并且解决了倒装凸块可靠性和BGA接合可靠性的冲突。 【专利附图】【附图说明】 图1是根据现有技术的电子器件的截面图。 图2是根据本公开的电子器件的截面图。 图3-图9是用于制造图2中电子器件的方法的各步骤的截面图。 【具体实施方式】 现有技术的电子器件200可能存在一些潜在缺陷。由于热膨胀系数(CTE)失配，电子器件200可能会有关于球状接触件207a-2071、209a-209j的可靠性问题。由于外部物理力和热，电子器件200还可能受困于翘曲。此外，电子器件200的设计产生高成本制造工艺和降低的产量。电子器件200还受困于具有大封装尺寸，同时还伴随着侧面厚、布线差、散热不良、噪声控制不好、以及射频(RF)屏蔽不佳的问题。 现在将参照附图更为全面地描述本公开，其中示出了本技术的若干实施例。然而，本公开可以很多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文所描述的实施例。当然，提供这些实施例是为了使本公开充分和完整，并且可以向本领域技术人员全面传达本公开的保护范围。本文中相同的标号表示相同的元件。 参照图2，描述了根据本公开的电子器件10。电子器件10示意性地包括IC36，该IC具有多个导电接触件20a_20e、连接至IC的导电接触件的多个导电连接件21a_21e、以及邻近IC并与多个导电连接件相对的散热层11。多个导电连接件21a-21e可以包括多个焊接凸点或者多个导柱(例如，铜、铝)。 电子器件10示意性地包括:封装材料14，围绕IC36和多个导电连接件21a_21e ；再分布层16，具有耦合至多个导电连接件的多个导电迹线18a-18k ;加强件13，位于散热层11和再分布层之间；以及扇出部件15，位于散热层和再分布层之间，并且位于封装材料内。扇出部件15可以包括例如陶瓷和/或有机材料。扇出部件15横向地定位在加强件13和IC36之间。有利地，解决了电路板层205和球状接触件207a-2071、209a-209j的CTE失配的现有技术的问题。 更具体地，电子器件10示意性地包括位于散热层11和IC36之间的热界面层12。电子器件10示意性地包括由再分布层16承载的多个导电焊球19a-19k，以提供BGA型连接。 加强件13具有邻近封装材料14的内表面23和限定电子器件10的外部表面的外表面22。加强件13可以利用内表面23邻接和/或保持封装材料14。 再分布层16示意性地包括介电层17。多个导电迹线18a_18k由介电层17承载，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，其特征在于，包括：集成电路；多个导电连接件，耦合至所述集成电路；散热层，邻近所述集成电路，并且与所述多个导电连接件相对；封装材料，围绕所述集成电路和所述多个导电连接件；再分布层，具有耦合至所述多个导电连接件的多个导电迹线；加强件，位于所述散热层和所述再分布层之间；以及扇出部件，位于所述散热层和所述再分布层之间，并且位于所述封装材料内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：栾竟恩，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：新加坡;SG