本实用新型专利技术涉及一种高功率的DC-DC模块电源电路板，它包括电路板本体（1），电路板本体（1）的一面的左上角设置有MOS管A（2），变压器B（27）的左右两侧分别设置有驱动芯片C（9）和电感C（21），电感C（21）的左侧依次设置有光耦A（16）、控制芯片C（12）、电感D（22）以及控制芯片D（13）；电路板本体（1）的另一面中部上方设置有MOS管D（5），MOS管D（5）的左侧从上至下设置有MOS管C（4）和MOS管B（3），MOS管D（5）的下方从上至下依次设置有光耦C（18）和运放B（24）。本实用新型专利技术的优点在于：集成度高、电路元器件分布合理和可实现多个电源模块并联使用的均流控制。
【技术实现步骤摘要】
一种高功率的DC-DC模块电源电路板
本技术涉及电路板
，特别是一种高功率的DC-DC模块电源电路板。
技术介绍
随着科学技术水平的提高，集成电路板在日常生活中的运用越来越普遍，同时其功能也越来也强大。在全球日益竞争激烈的环境中，如何从电路结构设计角度对整机进行优化，已经成为了设计公司越来越重视的一种创新。通常情况下，若不考虑电路板的集成度，那么电路板的设计显得就比较简单，但若将电路板的集成度作为电路板设计的核心点，那么如何对电路板上的元器件进行布局显得尤为重要。目前，普遍的电路板要么虽然能够实现电路功能，但是电路板集成度较低，使得整机显得更加臃肿，从而提高生产成本，要么虽然有较高的电路集成度，但是无法实现更强大的电路功能。换句话说，现有的电路板对强大的电路功能和高集成度无法兼得。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种集成度高、电路元器件分布合理和可实现多个电源模块并联使用的均流控制的SFN电路的电路板。 本技术的目的通过以下技术方案来实现:一种高功率的DC-DC模块电源电路板，它包括电路板本体，所述的电路板本体的一面的左上角设置有MOS管A，MOS管A的右侧设置有运放A，运放A下方设置有变压器A，MOS管A和变压器A的下侧分别设置有检流电阻，电路板本体的中心位置设置有变压器B，变压器B的左右两侧分别设置有驱动芯片C和电感C，电感C的左侧依次设置有光耦A、控制芯片C、电感D以及控制芯片D，电感C的上方从左至右依次设置有光耦B、驱动芯片A、控制芯片A以及电流互感器，电路板本体的右上方从左至右依次设置有驱动芯片B和电感B，两个驱动芯片B之间设置有控制芯片B，驱动芯片B的右侧还设置有电感A ；电路板本体的另一面中部上方设置有MOS管D，MOS管D的左侧从上至下设置有MOS管C和MOS管B，M0S管的左上方设置有控制芯片F，M0S管B的下方依次设置有电流互感器和二极管，MOS管D的下方从上至下依次设置有光耦C和运放B，光親C的右侧设置有MOS管E，电路板本体的右下角还设置有运放C。 所述的变压器B为隔离驱动变压器。 所述的驱动芯片B和电感B之间设置有提供RS485通讯的控制芯片E。 本技术具有以下优点: 1、本技术结构布局合理，集成度高，在电路板两侧设置不同的电路元器件，且各电路元器件之间的相互位置关系布局合理，从而最大限度地降低电路板结构大小，进一步降低生产成本。 2、在输出侧设置有均流控制芯片，用于检测并联电路的电流信号，实现多个电源模块并联使用时的均流控制。 3、本模块电源电路板输出功率可达1200W，输出功率高。 【附图说明】 图1为本技术的结构示意图； 图2为图1的后视图； 图中:1-电路板本体，2-MOS管 A，3-MOS 管 B，4-M0S 管 C，5-MOS 管 D，6-MOS 管 E，7-驱动芯片A，8-驱动芯片B，9-驱动芯片C，10-控制芯片A，11-控制芯片B，12-控制芯片C，13-控制芯片D，14-控制芯片E，15-控制芯片F，16-光耦A，17-光耦B，18-光耦C，19-电感A，20-电感B，21-电感C，22-电感D，23-运放A，24-运放B，25-运放C，26-变压器A，27-变压器B，28- 二极管，29-电流互感器，30-检流电阻。 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术做进一步的描述，但本技术的保护范围不局限于以下所述。 一种高功率的DC-DC模块电源电路板，它包括电路板本体1，如图1所示，所述的电路板本体1的一面的左上角设置有MOS管A2，MOS管A2的右侧设置有运放A23，运放A23下方设置有变压器A26，MOS管A2和变压器A26的下侧分别设置有检流电阻30，电路板本体1的中心位置设置有变压器B27，变压器B27的左右两侧分别设置有驱动芯片C9和电感C21，电感C21的左侧依次设置有光耦A16、控制芯片C12、电感D22以及控制芯片D13，电感C21的上方从左至右依次设置有光耦B17、驱动芯片A7、控制芯片A10以及电流互感器29，电路板本体1的右上方从左至右依次设置有驱动芯片B8和电感B20，两个驱动芯片B8之间设置有控制芯片B11，驱动芯片B8的右侧还设置有电感A19 ;如图2所示，电路板本体1的另一面中部上方设置有MOS管D5，MOS管D5的左侧从上至下设置有MOS管C4和MOS管B3，MOS管4的左上方设置有控制芯片F15，MOS管B3的下方依次设置有电流互感器29和二极管28，MOS管D5的下方从上至下依次设置有光耦C18和运放B24，光耦C18的右侧设置有MOS管E6，电路板本体1的右下角还设置有运放C25。 进一步地，所述的变压器B27为隔离驱动变压器。 进一步地，所述的驱动芯片B8和电感B20之间设置有提供RS485通讯的控制芯片E14。 电流互感器29用于检测输入侧电流，一端与MOS管B3连接，控制芯片A10与驱动芯片A6和驱动芯片B8连接，为驱动芯片A6和驱动芯片B8提供PWM信号，驱动芯片A6与MOS管B3连接，用于驱动MOS管B3，MOS管B3的另一端分别与电感C15、二极管28连接，构成BUCK降压电路，电感C15的另一端依次连接有MOS管D5、变压器A和MOS管E6，构成全桥变换电路，将输入侧和输出侧进行电气隔离，并进一步降压，MOS管E6的输出端与电感D22连接，电感D22用于输出电压的滤波，电感D22与检流电阻30连接，用于检测输出电流，检流电阻30与MOS管A2连接，MOS管A2与运放A23连接，防止多模块并联使用时输出电压倒灌，检流电阻30与控制芯片D13连接，用于多个电源模块并联使用时的均流控制，控制芯片D13和控制芯片C12连接，检测输出侧的电压、电流信号，控制电源模块的工作，控制芯片C12和控制芯片B11之间连接有光耦A16和光耦C18，用于控制芯片B11和控制芯片C12之间的信息传递，控制芯片B11与控制芯片A10连接，用于检测输入侧电压、电流和温度信号，控制电源模块的工作，控制芯片D13与运放C25连接，运放C25用于输出电流信号的放大，电感D22与控制芯片AlO之间依次连接有运放B24和光耦B17，用于电源模块的负反馈控制。电感A19、电感B20、控制芯片15和MOS管C4构成降压电路，为模块内部各个控制芯片提供电源；控制芯片E14用于提供RS485通讯功能。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高功率的DC‑DC模块电源电路板，它包括电路板本体（1），其特征在于：所述的电路板本体（1）的一面的左上角设置有MOS管A（2），MOS管A（2）的右侧设置有运放A（23），运放A（23）下方设置有变压器A（26），MOS管A（2）和变压器A（26）的下侧分别设置有检流电阻（30），电路板本体（1）的中心位置设置有变压器B（27），变压器B（27）的左右两侧分别设置有驱动芯片C（9）和电感C（21），电感C（21）的左侧依次设置有光耦A（16）、控制芯片C（12）、电感D（22）以及控制芯片D（13），电感C（21）的上方从左至右依次设置有光耦B（17）、驱动芯片A（7）、控制芯片A（10）以及电流互感器（29），电路板本体（1）的右上方从左至右依次设置有驱动芯片B（8）和电感B（20），两个驱动芯片B（8）之间设置有控制芯片B（11），驱动芯片B（8）的右侧还设置有电感A（19）；电路板本体（1）的另一面中部上方设置有MOS管D（5），MOS管D（5）的左侧从上至下设置有MOS管C（4）和MOS管B（3），MOS管（4）的左上方设置有控制芯片F（15），MOS管B（3）的下方依次设置有电流互感器（29）和二极管（28），MOS管D（5）的下方从上至下依次设置有光耦C（18）和运放B（24），光耦C（18）的右侧设置有MOS管E（6），电路板本体（1）的右下角还设置有运放C（25）。...
【技术特征摘要】
1.一种高功率的000(:模块电源电路板，它包括电路板本体(1),其特征在于:所述的电路板本体(1)的一面的左上角设置有103管4 (2), 103管4 (2)的右侧设置有运放八(23),运放4 (23)下方设置有变压器4 (26), 103管4 (2)和变压器4 (26)的下侧分别设置有检流电阻(30),电路板本体(1)的中心位置设置有变压器8 (27),变压器8 (27)的左右两侧分别设置有驱动芯片￠: (9)和电感(:(21),电感(:(21)的左侧依次设置有光耦八(…)、控制芯片(^、电感^ (22)以及控制芯片0 (13),电感(:(21)的上方从左至右依次设置有光耦8 (”)、驱动芯片八(了)、控制芯片八(10)以及电流互感器(29),电路板本体(1)的右上方从左至右依次设置有驱动芯片8 (8)和电感8 (20),两个驱动芯片8 (8)之间设置有控制芯片8...
【专利技术属性】
技术研发人员：马超，
申请(专利权)人：四川升华电源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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