半导体装置制造方法及图纸

与钝化膜(PL)相接地形成的第1感光性有机绝缘膜(PO1)覆盖在通过最上层导电层(TCL)而产生的钝化膜(PL)表面的阶梯部(TRE)的整周上，而且在整周上具有相比阶梯部(TRE)位于外周侧的外周端缘(ED1)。由此，能够抑制第1感光性有机绝缘膜(PO1)从钝化膜(PL)剥离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置，例如涉及具有元件形成区域和在俯视时包围该元件形成区域的保护环区域的半导体装置。
技术介绍
公知有形成以晶圆级进行封装所需的要素(再配线层和凸起电极)的裸芯片/倒装芯片安装用的芯片结构。这种芯片结构例如记载于日本特开2000-243754号公报(专利文献I)、日本特开2010-192867号公报(专利文献2)等中。 在上述两个公报中记载的芯片结构中，在成为电极焊盘的导电层上形成有钝化膜，在该钝化膜上形成有有机绝缘膜、再配线层、凸起电极等。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2000-243754号公报 专利文献2:日本特开2010-192867号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 但是在以往的芯片结构中，钝化膜与形成在该钝化膜上的有机绝缘膜之间的密接性变差，有机绝缘膜容易从钝化膜脱落。 其他课题和新的特征通过本说明书的记载和附图而变得明确。 用于解决课题的手段 根据一种实施方式，与钝化膜相接地形成的第I感光性有机绝缘膜覆盖在通过最上层导电层而产生的钝化膜表面的阶梯部的整周上，而且在整周上具有相比阶梯部位于外周侧的外周端缘。 专利技术效果 根据上述一种实施方式，能够抑制第I感光性有机绝缘膜从钝化膜剥离。 【附图说明】 图1是概略地示出实施方式I的芯片状态的半导体装置的结构的俯视图。 图2是放大示出图1的芯片状态的半导体装置的俯视图。 图3是放大示出图2的区域Rl的局部俯视图。 图4是放大图1的芯片状态的半导体装置的外周端缘附近而概略地示出的局部剖视图。 图5是进一步放大图4中的外周端缘附近而概略地示出的局部剖视图。 图6是与图5的剖面对应地示出实施方式I中的半导体装置的制造方法的第I工序的概略剖视图。 图7是与图5的剖面对应地示出实施方式I中的半导体装置的制造方法的第2工序的概略剖视图。 图8是与图5的剖面对应地示出实施方式I中的半导体装置的制造方法的第3工序的概略剖视图。 图9是与图5的剖面对应地示出实施方式I中的半导体装置的制造方法的第4工序的概略剖视图。 图10是与图5的剖面对应地示出实施方式I中的半导体装置的制造方法的第5工序的概略剖视图。 图11是概略地示出关联技术的半导体装置的结构的剖视图。 图12是示出在关联技术的半导体装置的制造方法中使第I感光性有机绝缘膜显影的工序的概略剖视图。 图13是示出在关联技术的半导体装置的制造方法中剥离了第I和第2感光性有机绝缘膜的样子的概略剖视图。 图14是概略地示出实施方式2的芯片状态的半导体装置的结构的俯视图。 图15是放大图14的芯片状态的半导体装置的外周端缘附近而概略地示出的局部首1J视图。 图16是概略地示出实施方式3的芯片状态的半导体装置的结构的俯视图。 图17是放大图16的芯片状态的半导体装置的外周端缘附近而概略地示出的局部首1J视图。 图18是概略地示出实施方式4的芯片状态的半导体装置的结构的俯视图。 图19是放大图18的芯片状态的半导体装置的外周端缘附近而概略地示出的局部首1J视图。 图20是与图5的剖面对应地示出实施方式4中的半导体装置的制造方法的概略首1J视图。 图21是概略地示出凸起电极位于焊盘用最上层导电层的正上方的结构的剖视图。 图22是概略地示出晶圆状态的半导体装置的结构的俯视图。 【具体实施方式】 以下，根据附图对实施方式进行说明。 (实施方式I) 参照图1，本实施方式的芯片状态的半导体装置SD在表面具有多个凸起电极BP。 参照图2和图3,在俯视时(从相对于半导体基板SB(图4、5)的表面正交的方向观察)，在半导体装置SD的表面的内周区域配置有元件形成区域，并且在最外周区域配置有划片区域。在该元件形成区域与划片区域之间，以包围元件形成区域的整周的方式配置有保护环区域。 在保护环区域的最外周侧以包围保护环的整周的方式配置有硅烷缝(silaneslit)SS。另外，上述多个凸起电极BP配置在元件形成区域内。 参照图4和图5，在例如由硅构成的半导体基板SB的表面形成有例如由STI (Shallow Trench Isolat1n,浅沟槽绝缘)或LOCOS (Local Oxidat1n of Silicon,娃的局部氧化)氧化膜构成的元件分离结构IR。在通过该元件分离结构IR而电分离的半导体基板SB的表面、且元件形成区域内，形成有例如MOS (Metal Oxide Semiconductor,金属氧化物半导体)晶体管TRA等元件。 在该半导体基板SB的表面上交替地层叠有多层导电层CL的每个和多层层间绝缘层II的每个。该多层导电层CL的每个例如由包含Cu(铜)的材质构成，具有镶嵌结构。另夕卜，多层层间绝缘层II的每个例如由氧化硅膜、低介电常数(Low-k)材料等构成。 在元件形成区域内形成有通过导电层CL构成的各种元件、多层配线结构INL等。另外，在保护环区域内通过多层导电层CL而构成保护环GR的一部分。构成该保护环GR的多层导电层CL的每个以在俯视时包围元件形成区域的整周的方式形成。另外，多层层间绝缘层II各自的表面被进行平坦化处理，成为比较平坦的表面。 在多层层间绝缘层II中的最上层的层间绝缘层II上，形成有由包含例如Al (铝)或Cu的材质构成的最上层导电层TCL。该最上层导电层TCL具有焊盘用最上层导电层TCL和保护环用最上层导电层TCL。 焊盘用最上层导电层TCL形成在元件形成区域内，且具有作为焊盘电极发挥功能的部分(焊盘部)。另外，保护环用最上层导电层TCL形成在保护环区域内，且构成保护环GR的一部分。焊盘用最上层导电层TCL和保护环用最上层导电层TCL是彼此从相同的层分离而形成的层。 保护环GR由多层导电层CL和保护环用最上层导电层TCL构成。该保护环GR主要用于防止湿气向元件形成区域内侵入，优选从半导体基板SB的表面延伸到最上层的层间绝缘层II上。如图2所示，保护环用最上层导电层TCL形成为，在俯视时包围元件形成区域的整周。 参照图4和图5，以覆盖焊盘用最上层导电层TCL和保护环用最上层导电层TCL的方式，在最上层的层间绝缘层II上形成有钝化膜PL。该钝化膜PL形成在元件形成区域、保护环区域以及划片区域的每个上。钝化膜PL由具有耐湿性的材质构成，例如由含有氮的绝缘膜单体或包括含有氮的绝缘膜的层压膜构成。具体地讲，钝化膜PL由p-SiN(等离子氮化娃膜)、p_Si0N(等离子氮氧化娃膜)、p-SiN/p-Si02(等离子氮化娃膜/等离子氧化娃膜)、p-Si0N/p-Si02(等离子氮氧化娃膜/等离子氧化娃膜)等构成。 在元件形成区域内，在焊盘用最上层导电层TCL上的钝化膜PL形成有到达焊盘用最上层导电层TCL的表面的开口部OPl。通过该开口部OPl，焊盘用最上层导电层TCL的表面的一部分从钝化膜PL露出。 在元件形成区域与保护环区域的边界附近，在钝化膜PL的表面形成有阶梯部TRE。该阶梯部TRE位于比保护环用最上层导电层TCL靠元件形成区域侧即靠内周侧。 通过该阶梯部TRE，比保护环用最上层导电层TCL靠内周侧的钝化膜PL的表面低于保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具有元件形成区域和在俯视时包围所述元件形成区域的保护环区域，所述半导体装置的特征在于，具有：保护环(GR)，在最上部包含以在所述俯视时包围所述元件形成区域的周围的方式形成于所述保护环区域的保护环用最上层导电层(TCL)；钝化膜(PL)，以覆盖所述保护环用最上层导电层(TCL)的方式形成于所述保护环区域和所述元件形成区域；以及第1感光性有机绝缘膜(PO1)，与所述钝化膜(PL)相接地形成，在所述钝化膜(PL)的表面，在比所述保护环用最上层导电层(TCL)靠所述元件形成区域侧即靠内周侧形成有阶梯部(TRE)，而且通过所述阶梯部(TRE)，比所述保护环用最上层导电层(TCL)靠内周侧的所述钝化膜(PL)的所述表面低于所述保护环用最上层导电层(TCL)正上方的所述钝化膜(PL)的所述表面，所述第1感光性有机绝缘膜(PO1)在俯视时覆盖在所述阶梯部(TRE)的整周上，而且在整周上具有相比所述阶梯部(TRE)位于外周侧的外周端缘(ED1)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，具有元件形成区域和在俯视时包围所述元件形成区域的保护环区域，所述半导体装置的特征在于， 具有:保护环(GR)，在最上部包含以在所述俯视时包围所述元件形成区域的周围的方式形成于所述保护环区域的保护环用最上层导电层(TCL)； 钝化膜(PL)，以覆盖所述保护环用最上层导电层(TCL)的方式形成于所述保护环区域和所述元件形成区域；以及 第I感光性有机绝缘膜(POl)，与所述钝化膜(PL)相接地形成， 在所述钝化膜(PL)的表面，在比所述保护环用最上层导电层(TCL)靠所述元件形成区域侧即靠内周侧形成有阶梯部(TRE)，而且通过所述阶梯部(TRE)，比所述保护环用最上层导电层(TCL)靠内周侧的所述钝化膜(PL)的所述表面低于所述保护环用最上层导电层(TCL)正上方的所述钝化膜(PL)的所述表面， 所述第I感光性有机绝缘膜(POl)在俯视时覆盖在所述阶梯部(TRE)的整周上，而且在整周上具有相比所述阶梯部(TRE)位于外周侧的外周端缘(EDI)。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中， 所述半导体装置还具有第2感光性有机绝缘膜(P02)，该第2感光性有机绝缘膜(P02)形成在所述第I感光性有机绝缘膜(POl)上。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中， 所述第2感光性有机绝缘膜(P02)覆盖所述第I感光性有机绝缘膜(POl)的所述外周端缘(EDl)，所述第2感光性有机绝缘膜(P02)的外周端缘(ED2)相比所述第I感光性有机绝缘膜(POl)的所述外周端缘(EDl)位于外周侧。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中， 贯通所述钝化膜(PL)的槽(SS)形成为在俯视时包围所述保护环区域的外周， 所述第2感光性...

【专利技术属性】
技术研发人员：富田和朗，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP