固体电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质)，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固体电子装置
[0001 ] 本专利技术涉及一种固体电子装置。
技术介绍
现有技术中，作为固体电子装置的一例的薄膜电容器中，开发了一种具备能够实现高速工作的铁电体薄膜的薄膜电容器。作为用于电容器的电介质材料，现在积极地研究金属氧化物，作为上述铁电体薄膜的形成方法，正在广泛地使用溅射法(专利文献1)。现有技术文献:专利文献专利文献1:日本国特开平10-173140号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，为了在溅射法中得到良好的膜质量，一般需要使制膜室内处于高真空状态。另外，其他真空工艺或光刻法一般也是需要比较长的时间、及/或需要昂贵设备的工艺，因此，原料或制造能源的使用效率非常恶劣。采用如上所述的制造方法的情况下，为制造固体电子装置而需要多种处理和长时间，因此，从工业性及量产性的观点来看并不是优选的。另夕卜，在现有技术中，还存在比较难以实现大面积化相当困难这一问题。从而，选定通过工业性及量产性优异的制造方法得到的、具有作为固体电子装置的绝缘层的、高特性的材料，也是为了实现固体电子装置的高性能化而应当解决的技术课题之一。本专利技术通过解决上述问题，实现固体电子装置的制造工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固体电子装置，其中，所述固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，且所述氧化物层可以包含不可避免的杂质，并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.11.09 JP 2011-2459151.一种固体电子装置，其中， 所述固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，且所述氧化物层可以包含不可避免的杂质， 并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520°C以上且650°C以下。2.根据权利要求1所述的固体电子装置，其中， 所述氧化物层的碳含量在1.5atm%以下。3.根据权利要求1或2所述的固体电子装置，其中， 在形成所述氧化物层之...

【专利技术属性】
技术研发人员：下田达也，德光永辅，尾上允敏，宫迫毅明，
申请(专利权)人：独立行政法人科学技术振兴机构，
类型：发明
国别省市：日本;JP