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本发明的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质),其中,所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成,所述前躯体层将前躯体溶液作为原料,所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(N...该专利属于独立行政法人科学技术振兴机构所有,仅供学习研究参考,未经过独立行政法人科学技术振兴机构授权不得商用。
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本发明的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质),其中,所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成,所述前躯体层将前躯体溶液作为原料,所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(N...